鉅亨網編譯莊閔棻
近期市場一度擔憂,記憶體廠第三季財報恐因均價(ASP)漲幅無法達到共識而「不如預期」,不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果,打臉了這股悲觀情緒。報告指出,第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%,明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。
美銀團隊透過最新的產業通路訪查,歸納出五項關鍵觀察,認為第三季 DRAM 價格會比市場預期漲更多。
首先,伺服器用 DRAM 的漲勢超預期。在高速 LPDDR5 帶動下,價格季增幅度落在 20% 至 30% 之間,高於市場原先預期的「20% 以內」水準。
其次,現貨市場需求全面回溫,不只主流的 DDR5,就連已屬老舊規格的 DDR4 現貨需求同樣強勁,7 月價格持續走高。
第三,高階市場出現產品結構升級,客戶下單重心正從性價比較高的 HBM3E,轉向單價更貴的 HBM4,進一步墊高整體均價。
第四,長期合約(LTA)的議價保護效果正在減弱。目前以長約模式銷售的 DRAM 占整體銷量比重已跌破五成,非長約比重反而攀升至 60% 到 70%;即便是受長約保障的訂單,價格也普遍出現 5% 至 10% 的季增。
第五,部分終端原廠因庫存吃緊而緊急追加訂單,此舉間接證實了標準型 DRAM 與 NAND 的季增幅度雙雙超過 20%。
比較美銀與 TrendForce 的預測可以發現分歧所在。
DRAM
TrendForce 預估,今年第三季傳統 DRAM 平均售價將較前一季上漲 13% 至 18%,若將 HBM(高頻寬記憶體)納入計算,整體 DRAM 平均售價漲幅則為 8% 至 13%。
相較之下,美銀對第三季看法更為樂觀,預估全球 DRAM 平均售價將季增 21%,高於 TrendForce 的預測;第二季則估計上漲 45% 至 50%,略低於 TrendForce,第四季則預估仍可維持高個位數百分比的季增幅。
NAND
TrendForce 預估第三季平均售價將季增 10% 至 15%,第四季漲幅將放緩至 0% 至 5%;第二季價格則季增 55% 至 60%,但已較先前預測略為下修。
美銀則預估,全球 NAND 平均售價第二季約季增 65%,高於 TrendForce 的估計;第三季可望再上漲 15%,第四季則大致持平。
DRAM 現貨價格已連續八週上揚,與二、三個月前市場普遍看衰「35 至 40 美元將是天花板」的悲觀氣氛完全反轉。
過去部分品牌廠因不堪現貨價格過高(當時採購成本約僅 5 美元)而一度減產 PC、平板與手機藉此對抗漲勢,如今態度已轉為積極回補庫存,為即將到來的 9 月及第四季銷售旺季超前部署。
不過報告也提醒,現貨交易量僅占全球供應的低個位數百分比,性質上更接近品牌廠的緊急追單,而非市場主流交易模式。
儘管如此,當前 DDR5 與 DDR4 現貨走勢,仍指向三季合約價季增約 20% 的方向。
NAND 現貨同步出現價格修復訊號,本週 1Tb 晶圆報價週增 4%,被視為三季 NAND 均價有機會挑戰突破 10% 漲幅的正面指標。
報告另外提到,日系記憶體廠二季均價表現弱於全球平均,但隨著 7 月現貨與合約價同步走揚,目前研判其三季財報不如預期仍為時過早。
主要現貨價格一覽(截至最新周度)
| 品項 | 單價(美元) | 週增 | 季增 | 年增 |
|---|---|---|---|---|
| 16Gb DDR5 | 49.2 | +3% | +28% | +712% |
| 16Gb DDR4 | 80.1 | +3% | +16% | +829% |
| 8Gb DDR4 | 39.9 | +6% | +21% | +685% |
| 4Gb DDR4 | 12.9 | +4% | +81% | +426% |
| 1Tb NAND 晶圓 | 25.1 | +4% | -3% | +397% |
| 512Gb NAND 晶圓 | 19.2 | -1% | -9% | +617% |
台積電 (2330-TW) 第二季財報表現亮眼,營收達 400 億美元,年增 34%,營業利益率 60%、毛利率 68%;法人說明會上,公司釋出三季營收年增 46% 的樂觀展望,全年營收增速估達約 40% 左右,2 奈米製程量產進度順利。
資本支出方面,台積電將 2026 年全年資本開支上調至 600 億至 640 億美元,另加碼 1000 億美元投入美國廠區建設,雙雙創下歷史新高紀錄。
報告指出,台積電客戶端的 AI 晶片廠商對更先進的 HBM、SOCAMM(小外形壓縮記憶體模組)以及企業級 SSD 需求殷切,將持續為高階記憶體需求添加動能。
半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 同樣繳出優於預期的成績單,二季營收 93 億歐元,年增 21%,主要受惠於存量設備維運業務的貢獻;公司預告三季營收 115 億歐元(年增 53%),四季則上看 144 億歐元(年增 48%),二季毛利率 54%、營業利益率 37%,下半年目標分別上看 55% 以上與 40% 以上。
就區域結構觀察,第二季系統銷售額中南韓占 43%、台灣占 30%、中國占 14%、美國占 9%,中國因出口管制導致本土晶片廠資本支出縮手,訂單動能明顯轉向台灣邏輯晶片廠商。
管理層對新一代 AI 晶片與高數值孔徑 EUV(High NA EUV)前景維持樂觀,先進邏輯製程擴產效應預期將間接挹注配套記憶體訂單,值得留意的是,近三年艾司摩爾來自記憶體類設備的營收占比持續攀升,規模已逐漸逼近邏輯晶片設備。
南韓半導體出口動能未見鬆動,7 月前十天出口額達 112 億美元,較上月同期成長 1.3%,增速雖略為放緓但仍處歷史高檔,且已連續六個月維持三位數的年增率,年增幅達 193%。
台灣科技廠 6 月營收表現同樣強勁,其中邏輯、晶圓代工與 ODM 廠商領漲季增排行,世界 (5347-TW) 、聯發科 (2454-TW) 、廣達 (2382-TW) 分別季增 41%、22%、24%。
若看年增表現,則以記憶體廠商彈性最大,南亞科 (2408-TW) 暴增 621%、創見 (2451-TW) 大增 382%、群聯 (8299-TW) 成長 301% 居前,台積電則以年增 68% 表現穩健。
中國 IC 進口同樣寫下歷史新高,6 月進口金額達 596 億美元,年增 72%,進口數量年增僅 7%,顯示單價墊高才是金額暴增的主因;細拆 5 月數據,記憶體晶片進口金額達 308 億美元,占 IC 總進口比重高達 54%,年增 249%,同樣刷新紀錄。
中國智慧型手機市場則呈現品牌分化,5 月出貨量 2680 萬台、年增 19%,在 DRAM 缺貨背景下仍見復甦,但能否延續尚待觀察。
就第二季整體來看,出貨量年減 4.3%,蘋果 (AAPL-US) 與華為分別年增 19% 至 24%,其餘主流品牌則普遍年減 10% 至 22%。
市占率方面,華為由 2025 年二季的 18% 躍升至 23%,蘋果緊追在後,多數中國本土品牌市占則明顯下滑。
以絕對價格水準來看, 目前 16Gb DDR5 現貨約 49 美元、16Gb DDR4 約 80 美元, 遠高於 2017 年上一輪景氣循環高峰時約 10 美元的水準。
報告分析,核心驅動力來自記憶體廠商持續將產能向高毛利的 HBM 及伺服器 DRAM 傾斜,壓縮了標準型 DRAM 的供給空間。
觀察漲勢節奏,2025 年 10 月至 2026 年 1 月為單月漲幅最猛烈的階段,最高曾單月飆漲 60% 至 120%;2 月至 4 月漲勢放緩並一度小幅回檔;5 月至 7 月則重新反彈並再創歷史新高。
報告特別點出一項特殊現象。DDR4 與 DDR5 合約價目前已基本持平、同落在 35 至 40 美元區間,原本 DDR5 應有的溢價已然消失,主因是 DDR4 供給收縮更為劇烈,出現結構性短缺。
伺服器記憶體部分,64GB DDR5 伺服器模組合約價約 1400 美元、DDR4 約 1100 美元,雙雙寫下歷史新高;今年 1 月與 4 月都曾出現單月暴漲 40% 至 60% 的行情,6 月則呈現 DDR5 重拾漲勢、DDR4 持平的態勢。
NAND 方面,512Gb 晶圓合約價約 26 美元,較 2025 年 2 月低點 2.5 美元已上漲約十倍之多。
漲勢節奏上,2025 年四季至 2026 年一季為快速上漲期,單月漲幅達 40% 至 60%;2026 年二季以來轉為高位震盪,6 月至 7 月現貨價格雖小幅走弱,但仍處於絕對高檔。
終端消費級 SSD 價格同步走高,較 2025 年底幾乎翻倍,6 月 256GB、512GB、1TB 容量報價分別達 40 美元、73.1 美元與 218.7 美元。
展望後市,美銀基準預測三季 DRAM 合約價季增 21%,第四季持續維持高個位數增長,現貨供應吃緊態勢下,夏季價格不排除持續走高。
NAND 則預估三季均價季增約 15%,四季大致持平,期間或有小幅回檔壓力,但報告強調不至於出現硬著陸,絕對價格水位仍遠高於歷史正常區間。
美銀分析指出,從 2026 會計年度預估估值來看,記憶體廠商目前本益比普遍仍處於相對偏低水準,但獲利能力相當突出。
其中,DRAM 廠商三星電子、美光科技 (MU-US) 與南亞科預估本益比分別約為 6.3 倍、12.4 倍及 7 倍。
NAND 廠商方面,鎧俠預估本益比約 6.7 倍,群聯更僅約 5.5 倍,同時預估股息殖利率高達 9.6%。
相較之下,半導體設備廠估值明顯較高,艾司摩爾、應用材料 (AMAT-US) 及科林研發 (LRCX-US) 預估本益比分別約 37 倍、48 倍及 59 倍。
股價表現方面,今年以來記憶體族群領漲半導體產業,其中 NAND 概念股整體漲幅優於 DRAM,南亞科、三星、群聯等個股皆有亮眼表現,而 SanDisk (SNDKV-US) 與鎧俠今年以來股價更已飆漲逾 500%。
不過,美銀指出,7 月上旬記憶體族群出現一波明顯回檔,主因市場開始擔憂企業財報表現恐不如預期,但若從全年來看,多數個股仍維持可觀漲幅。
美股科技股方面,美銀表示,今年以來 CPU 晶片廠商如英特爾 (INTC-US) 與超微半導體 (AMD-US) 股價表現,反而優於輝達 (NVDA-US) 、蘋果及高通 (QCOM-US) 等大型科技股;至於半導體設備族群,今年漲勢則介於記憶體與大型科技股之間。
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