美光
在人工智慧 (AI) 帶動記憶體需求爆發的背景下，Micron Technology (MU-US)與 SK hynix (SKHY-US)成為市場最受矚目的兩大記憶體股。兩家公司都受惠於 DRAM、NAND 及高頻寬記憶體 (HBM) 價格走高，但華爾街投資人如今面對的問題已從「哪家公司能受惠於 AI 需求」轉向「哪一家股票的估值更值得買進」。
美光 (MU-US) 周五早盤下跌 3.6% 至 849.80 美元，市場一度擔憂南韓競爭對手 SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 大舉擴產，恐加速記憶體供需反轉。不過，《巴隆周刊》(Barron’s) 認為，晶圓廠從興建到投產需時多年，SK 海力士的投資短期內不會增加市場供給，因此不太可能對美光構成長期威脅。
記憶體股一片低氣壓中，美光 (MU-US) 周四 (5 日) 盤中一度翻紅上揚，雖然最終不敵賣壓收黑，但分析師對美光正在推動的轉型給予高度評價。美光午盤一度翻紅，終場仍下跌 1.3% 至每股 881.47 美元。其他記憶體股跌幅較重，同樣生產 NAND 快閃記憶體的 Sandisk(SNDK-US)因周三盤後公布的財測不如分析師預期，股價收低 6.8%，SK 海力士 ADR(SKHY-US)跌約 5%，儲存裝置大廠威騰電子 (WDC-US) 因財報不如預期暴跌 13%。
隨著 AI 資本開支狂飆，全球 DRAM/HBM 產能遭提前掃貨。多家媒體彙整供應鏈消息指出，三星、SK 海力士、美光已經完成 2027 全年產能分配談判，DRAM 與 HBM 產線「提前售罄」，多數客戶最終配貨僅拿到一開始請求的 60%-70%，三家均無新增產線規劃，NAND 則因供應商較多，買方尚有零星談判空間，但整體仍緊俏。
南韓預託結算院 SEIBRO 平台周三 (5 日) 數據顯示，截至周一 (3 日)，南韓的美股投資人單日淨賣超費半指數 3 倍槓桿 ETF(SOXL) 共 6.6439 億美元 (約 9486 億韓元)，規模相當於 7 月全月淨買超 37.8586 億美元的 17.5%，但本周前兩日合計仍淨賣出 6.0735 億美元，即便周二(4 日) 單日回補 5704 萬美元，也未扭轉撤離態勢，3 倍做多韓股 ETF(KORU)同期亦遭淨賣超 4563 萬美元。
美股雷達
全球記憶體供應危機持續升溫，AI 浪潮帶動資料中心大舉擴建，不僅推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，也排擠傳統 DRAM 與 NAND Flash 產能，使整體市場供需失衡情況進一步惡化。根據外媒引述產業消息指出，三星電子、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等主要記憶體供應商，已提前售罄 2027 年 DRAM 與 HBM 產能，市場普遍預期，供應緊張局面至少將持續至 2028 年。
美股雷達
Microchip (MCHP-US) 今 (5) 日宣布，攜手美光 (MU-US) 展示完整的端對端 PCIe Gen 6 儲存架構，結合 Microchip 3 奈米 Switchtec PCIe Gen 6 交換器與美光 9650 NVMe 固態硬碟 (SSD)，凸顯次世代 PCIe 技術提供更高的資料吞吐量、更低的延遲，以及可擴充的連線能力，以支援 AI、高效能運算及雲端資料中心工作負載。
《巴隆周刊》報導，SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 股票正獲得華爾街分析師高度青睞。這家南韓記憶體晶片大廠的 ADR 股價美國周二 (4 日) 迎來多家券商首次發布研究報告，且大多給予樂觀看法。SK 海力士 ADR 股價終場大漲 8%，報 154.38 美元。
美股雷達
《巴隆週刊》報導，美光科技 (MU-US) 週二勁揚 7.62%，收在每股 892.67 美元，盤中一度觸及 902.43 美元、漲幅達 8.8%。最新數據顯示，美光第二季在全球 DRAM 市場持續擴張，營收市占率已逼近 SK 海力士，但中國記憶體業者長鑫存儲 (CXMT) 快速崛起，也為產業競爭增添變數。
美股雷達
美股週二 (4 日) 全面大漲，市場一面消化美伊談判進展，一面迎接密集企業財報。大型科技與半導體股成為主要推力，費半指數暴漲超 6.5%。那斯達克指數勁揚近 3%。標普 500 指數首次收在 7,700 點上方，與道瓊指數雙雙改寫歷史收盤新高。
儘管七月半導體類股遭遇賣壓，市場擔憂大型科技業者放緩人工智慧（AI）支出腳步會衝擊股市，但最新數據顯示，情勢正朝反方向發展。為此美銀也點名九支半導體股，認為其 12 個月目標價位有約 30 到 90％的上漲空間，並給予它們「買入」評級。根據《TradingView》報導，科技巨頭的資本支出似乎沒有放緩的跡象。
台股新聞
力積電(6770-TW)代理董事長謝再居今(4)日首度對外說明公司未來營運方向，他向廣大股東喊話，隨著記憶體、邏輯代工及AI相關業務三大支柱逐步成形，加上出售銅鑼廠予美光後，財務結構明顯改善，若未來市場維持基本動能，力積電不只今年，明、後年也可望持續獲利，並承諾朝「年年獲利、年年配息」目標邁進。
市調機構 Counterpoint Research 今 (4) 日發布今年第二季全球 DRAM 市佔排名，三星電子以 39% 重回榜首，較上季成長 1 個百分點，創 2024 年來新高，SK 海力士市佔從去年同期 39% 摔至 26%，美光科技緊咬其後拿下 25%，三者合計仍壟斷九成市場，中國長鑫存儲以 7% 市佔穩居第四，營收年增 716%，躋身全球成長最快 DRAM 供應商。
歐亞股
全球記憶體市場再度掀起漲價潮。業界分析，人工智慧（AI）伺服器與高頻寬記憶體（HBM）持續蠶食既有產能，導致傳統記憶體晶片供應日趨吃緊，這波緊縮行情恐怕還沒走到盡頭。根據《韓聯社》報導，市調機構 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 最新統計顯示，個人電腦常用的 DDR4 8Gb 現貨均價於 7 月攀升至 24 美元，單月大漲 14.3%，寫下 2016 年 6 月建立統計以來的歷史新高；而 128Gb MLC NAND 快閃記憶體均價也首度站上 30 美元關卡，同樣刷新紀錄。
《巴隆週刊》報導，中國記憶體大廠長鑫存儲 (CXMT) 傳出擴產計畫，全球 DRAM 市場競爭可望進一步升溫。不過，美光 (MU-US) 週一 (3 日) 股價未受消息明顯拖累，早盤一度跌逾 3% 後逆轉收高，市場短線仍將美光股價走弱視為資金輪動，而非產業基本面惡化。
美股雷達
全球第一檔以記憶體晶片為主題的 ETF Roundhill DRAM ETF(DRAM-US) ，於七月底完成最新一輪成分股調整，將中國記憶體廠長鑫科技 (688825-CN) 納入持倉，占比達 2.52%，躋身該基金第八大重倉股。相對地，同樣來自中國的兆易創新 (603986-CN) 則在此次調整中權重下滑至 1.51%，排名滑落至第十大持股。
過去一年狂飆不止的記憶體概念股，在七月吃了一記悶棍。市場人士認為，這波急速回檔反而讓過熱的評價回到較合理水位，對打算進場的投資人來說未必是壞事。根據《巴隆周刊》報導，美系記憶體大廠中， SanDisk (SNDKV-US) 七月股價重挫 47%，創下 2025 年 2 月從威騰電子 (WDC-US) 分拆掛牌以來單月最差表現；美光科技 (MU-US) 同期下跌 29%，寫下 2015 年以來最慘的一個月。
AI 已經把記憶體晶片從「價格競爭」推向「產能與技術競爭」，未來真正決定產業地位的，不再是市占率，而是誰能掌握 HBM、高階 DRAM 與企業級 SSD 等關鍵記憶體供應，誰就能取得 AI 產業鏈最上游的定價權與主導權。2026 年才過一半，記憶體晶片產業的變化幅度已經超越過去五年總和。
《巴隆周刊》報導，南韓人工智慧 (AI) 與記憶體類股週五 (31 日) 強勢反彈，SK 海力士 (000660-KR) 股價單日暴漲 30%，三星電子 (005930-KR) 也勁揚約 27%，帶動南韓綜合股價指數 (KOSPI) 飆升近 18%。
上市未滿一週、市值已衝上 3.6 兆元人民幣的中國記憶體大廠長鑫科技 (688825-CN) ，近期在新一代低功耗記憶體技術上傳出重要進展。據悉，該公司 LPDDR6 產品的研發驗證階段已接近完成，距離正式量產僅剩一步之遙。依照業界慣例，LPDDR 產品從研發到上市須歷經顆粒單體驗證、研發驗證、小批量導入驗證，最終才進入量產。