NAND
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (2) 日出具最新報告，2026 年第一季 AI 與資料中心需求持續加劇記憶體供需失衡，原廠議價能力有增無減，因此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各產品價格季增幅，預估整體 conventional DRAM 合約價將從 1 月初公布的季增 55-60%，改為上漲 90-95%，NAND Flash 合約價則從季增 33-38% 上調至 55-60%，並且不排除仍有進一步上修空間。
台股新聞
近期市場傳出，中國 NAND 原廠長江存儲 (YMTC) 可能將原訂 2027 年才開出的新晶圓廠產能，提前至 2026 年下半年啟動量產，加上三星重啟投資平澤廠，引發市場對 NAND 供需市況將有所變化的擔憂。業界認為，若從供需結構性變化來看，單一廠商的擴產消息，難以實質扭轉 NAND 市場長期供不應求的趨勢。
美股雷達
摩根大通 (JPM-US) 亞太區科技研究團隊近日發布最新報告《半導體：NAND—更長、更強的上升週期》，指出 NAND 快閃記憶體產業已正式進入一個由 AI 推理全面驅動的全新「超級循環」，其結構性影響力可能超過過去任何一輪由智慧型手機或個人電腦帶動的景氣循環。
美股雷達
錯過了 Sandisk(SNDK-US) 截至周五 (30 日) 收盤累計超過 1,500% 的年漲幅嗎？據《MarketWatch》報導，該公司這次的爆炸性財報，讓分析師認為股價仍有進一步上行空間。Sandisk 周五繼續大漲 6.85%，至每股 576.25 美元。
美股雷達
資料儲存大廠 Sandisk 股價持續狂飆，在公布遠優於市場預期的財測後，再度成為美股焦點。該公司看好人工智慧 (AI) 資料中心需求推升儲存產品價格與出貨動能，帶動第三季獲利展望大幅跳升，也促使多家華爾街券商同步上修評等與目標價。分析師形容，這波由 AI 驅動的記憶體與儲存循環，正出現「前所未見」的結構性轉變。
美股雷達
快閃記憶體大廠 Sandisk(SNDK-US)周四 (29 日) 盤後大漲超過 15%，利多不只來自第 2 季財報遠勝市場預期，也因為第 3 季財測讓華爾街感到驚喜。F2026 Q3 財測關鍵數字 vs 分析師預期EPS：12-14 美元 vs 4.21 美元營收：44-48 億美元 vs 29.2 億美元Q2 財報關鍵數字 vs. 分析師預期EPS：6.20 美元 vs 3.49 美元 營收：30.3 億美元 vs 26.7 億美元 Sandisk 預估，本季 (會計年度第 3 季) 營收將落在 44-48 億美元之間，明顯高於市場共識預估的 29.2 億美元，調整後每股盈餘介於 12 到 14 美元，幾乎是分析師共識預期 4.21 美元的三倍。
美股雷達
華爾街投行伯恩斯坦周三 (28 日) 出具最新研究報告指出，維持對記憶體晶片龍頭企業 SanDisk(SNDKV-US) 「優於大盤」的股票評等，並將目標價上調至 580 美元，較目前約 481.42 美元的股價仍有 20% 上行空間。這項判斷是基於 AI 需求激增與 NAND 快閃記憶體供給持續收緊的雙重驅動邏輯，認為產業正經歷結構性上行週期。
歐亞股
南韓記憶體雙雄三星電子 (Samsung Electronics) 與 SK 海力士 (SK Hynix) 罕見都選在本周四 (29 日) 這一天公布財報，象徵兩家公司在人工智慧 (AI) 記憶體晶片領域的高風險競賽，正進入關鍵時刻。SK 海力士將於周四上午 9 點在首爾舉行財報說明會，三星則在上午 10 點接棒。
美股雷達
隨著 DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格持續走高，市場普遍關注蘋果 (AAPL-US) 即將推出的 iPhone 18 系列，是否會因零組件成本上升而面臨漲價壓力。不過，分析師指出，蘋果未必會將記憶體成本轉嫁給消費者。根據《Wccftech》報導，由於蘋果目前僅確保 2026 年上半年 DRAM 供應的長期合約，市場一度傳出，高儲存容量版本的 iPhone 18 可能因成本壓力而調高售價。
美股雷達
據《MarketWatch》報導，美光 (Micron Technology)(MU-US) 計劃興建一座新的製造廠，未來可望緩解記憶體供給吃緊的問題，但短期內並不會立即增加產能，這樣的節奏安排正好擊中投資人的「甜蜜點」。這家記憶體晶片製造商於周一晚間宣布，將在其新加坡園區內興建一座新的先進晶圓廠，用於生產 NAND 快閃記憶體。
台股新聞
旺宏 (2337-TW) 今 (27) 日召開法說會，並公布 2025 年第四季及全年財報，去年第四季毛利率回升至 24.2%，單季每股虧損也收斂至 0.16 元。展望今年，總經理盧志遠看好，由於三星停止生產 MLC eMMC 產品，有利公司，加上 AI 帶動 NOR Flash 供應短缺，公司也預計投入 220 億元擴產，帶動 12 吋月產能提升超過 5 成。
美股雷達
三名知情人士透露，美國記憶體晶片大廠美光科技 (MU-US) 即將宣布在新加坡投資新的記憶體晶片製造產能，藉此擴大產線規模，以因應全球日益嚴峻的記憶體短缺問題。根據《路透》報導，知情人士指出，美光最快將於週二（27 日）對外公布這項投資計畫，其中一人透露，投資重點將鎖定 NAND 快閃記憶體。
國際政經
DDR5 記憶體入市超過四年，按產業發展規律，前代 DDR4 本應逐步讓位，但過去一年市場走勢反常，DDR4 價格漲幅遠超預期，且大幅高於 DDR5，為記憶體發展史上首見。價格上漲主因為 AI 產業爆發性成長。為滿足 AI 晶片對高頻寬記憶體 (HBM) 的迫切需求，全球主要記憶體大廠將大量產能轉向 HBM 產品線，致使 DDR4 及 DDR5 常規產能持續承壓。
台股新聞
在智慧型手機晶片出貨量統計中，聯發科 (2454-TW) 已連續多個季度居於領先地位，出貨規模超越高通 (QCOM-US) 、蘋果 (AAPL-US) 與三星。然而，最新報告指出，這項最大優勢可能很快就會轉變為「阿基里斯之腱」，因為 DRAM 供應短缺恐將不利於聯發科系統單晶片的出貨表現。
國際政經
全球資本市場緊盯 GPU 與高頻寬記憶體 (HBM) 之際，一個悄然崛起的趨勢正改寫半導體的底層邏輯。AI 推理應用浪潮洶湧而來，不僅重塑算力流向，也將長期被視為「強週期商品」的 NAND 快閃記憶體推向舞台中央，使其成為 AI 時代不可或缺的基礎設施資產。
國際政經
在 AI 伺服器、企業儲存與高效能運算需求長期支撐下，TrendForce 預期記憶體市場規模將自 2026 年的 5,516 億美元，成長至 2027 年的 8,427 億美元，年增幅達 53%。AI 所引發的這場根本性變革，正使記憶體產業成為 AI 時代最核心、且最具成長動能的關鍵受益者之一。
台股新聞
研究機構 TrendForce 最新研究指出，AI 運算架構升級，除 DRAM 以外，NAND Flash 也成為重要元件，記憶體儼然成為關鍵資源，在有限產能下，報價不斷上漲，連帶使得整體記憶體產業產值逐年創高，預估 2026 年達 5,516 億美元，2027 年則再創高峰、達 8,427 億美元，年增 53%。
歐亞股
市場研究機構 Omdia 與業界最新報告指出，全球記憶體晶片兩大龍頭三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）正調整其產能配置，預計將於 2026 年小幅下調 NAND Flash 晶圓產量。在人工智慧（AI）資料中心需求爆發式成長的背景下，此舉預計將加劇全球市場供應緊缺，推動 NAND Flash 價格進一步攀升。
歐亞股
中國《IT 之家》報導，鎧俠 (KIOXIA) 高層 Shunsuke Nakato)周二 (20 日) 訪韓時在一場媒體活動上表示，7000 日元 (約 1425 台幣) 就能買到 1TB 固態硬碟 (SSD) 的時代已經過去，鎧俠今年的 NAND 產能接近售罄。
科技
儘管 AI 正以前所未有的速度推高記憶體需求，南韓兩大記憶體晶片巨頭三星和 SK 海力士卻決定今年繼續削減 NAND 快閃記憶體產量，這項「逆勢減產」策略料將推動 NAND 價格在伺服器、PC 和行動裝置等領域全面上行，並有望使其帶來與 DRAM 相當的利潤率提升。