NAND
美股雷達
人工智慧(AI)基礎建設持續擴張,除了帶動輝達(NVDA-US) 等AI晶片需求,也讓記憶體市場迎來罕見的供需緊張。美銀全球研究(BofA Global Research)最新報告指出,在輝達釋出2027年營收成長約70%的展望之際,記憶體產業的成長幅度甚至可能更高,若價格漲勢延續,全球DRAM銷售額增幅有機會超過80%。
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日本NAND快閃記憶體大廠鎧俠(Kioxia)與SanDisk (SNDKV-US) 近期公布截至2033會計年度的5兆日元擴產計畫,瑞銀(UBS)認為,這項計畫真正值得關注的並非擴產規模,而是鎧俠展現出「有能力擴產、但不急著立即執行」的策略,可能成為未來與超大規模雲端業者洽談NAND長期供貨合約(LTA)的重要籌碼。
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中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術,但在龐大內需、政策與資本投入,以及供應鏈國產化推動下,已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。摩根士丹利指出,中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」,真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。
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美國銀行全球研究最新報告指出,全球儲存晶片現貨市場的供需失衡持續惡化,在AI基礎設施需求強勁、主要晶片廠優先供應大型客戶,以及傳統消費電子旺季到來等多重因素推動下,預計9月DRAM與NAND現貨價格仍有10%至20%的上漲空間。美銀全球研究8月27日發布的報告顯示,根據通路調查,9月現貨市場的供給滿足率 (sufficiency ratio) 已降至不足50%。
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SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,正尋求深化與日本客戶及供應商在記憶體產業的合作,以共同開發NAND Flash市場。郭魯正周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)出席新廠動工儀式後受訪時說:「我們正非常審慎的評估如何與客戶及供應商共同開發NAND Flash市場。
歐亞股
記憶體大廠鎧俠正於日本北部岩手縣的生產基地興建新晶圓廠,藉此擴大產能,以因應AI帶動的持續儲存需求,這將是鎧俠在當地興建的第三座晶圓廠。彭博引述消息人士報導,新廠將生產鎧俠最新的高密度3D快閃記憶體晶片,專為處理 AI 服務所產生的海量工作負載而設計。
歐亞股
三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正同步加快在中國的NAND快閃記憶體布局,兩家南韓記憶體大廠計畫在明年前陸續完成新一輪設備投資,鎖定人工智慧(AI)伺服器帶動的高階儲存需求成長。根據《ZDnet》報導,三星電子已具體化西安廠第9代NAND轉換投資計畫,並確定追加設備投資方案,相關設備採購訂單預計在今年底前敲定,補充投資則規劃於明年下半年啟動。
歐亞股
南韓兩大記憶體晶片廠三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 正加大中國 NAND 快閃記憶體產能投資。業界消息指出,兩家公司計畫明年積極推進中國 NAND 生產線設備投資,其中三星將擴充西安廠先進 V9 NAND 產能,SK 海力士則重啟大連二廠擴產,規劃新增每月約 3 萬片晶圓產能。
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最新市場消息指出,川普政府可能考慮允許蘋果(AAPL-US) 向中國長鑫科技(688825-CN) 及長江存儲採購記憶體與儲存晶片,相關決定甚至可能在美國總統川普與中國國家主席習近平9月會面後正式對外傳達。根據《Wccftech》報導,在習近平正式訪美前夕,蘋果分別向中國長鑫科技及長江存儲採購DRAM與NAND模組的計畫,已成為美中地緣政治角力的敏感焦點。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進,製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日(23日)在X平台發布文章指出,當3D NAND堆疊層數突破約300層後,傳統以鎢(Tungsten,W)製作的字線(word line)逐漸面臨物理與製程限制,鉬(Molybdenum,Mo)可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
美股雷達
隨著記憶體晶片成本飆升,輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知,稱搭載輝達人工智慧(AI)晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。根據《彭博》報導,知情人士透露,這波漲價預計適用於明年初出貨的系統,包括搭載輝達最新Vera Rubin,以及Grace Blackwell晶片的伺服器。
A股
綜合外媒周五(21日)報導,中國NAND快閃記憶體大廠長江存儲(YMTC)的母公司長江存儲控股股份有限公司(CCSH Corporation,CCSH),計劃透過上海科創板首次公開募股(IPO)籌資人民幣330億元(約49億美元),上市申請已獲上海證券交易所受理。
美股雷達
《巴隆周刊》報導,美光科技(Micron Technology)(MU-US)周三(19日)連續第二個交易日下跌,此前股價才在周一短暫重新站上1,000美元。這家記憶體晶片製造商股價周三收盤下跌0.4%,至937.11美元。此前周二股價已下跌7%,當時晶片股受到市場擔憂債券殖利率上升將壓縮AI硬體支出的影響而大幅走弱。
美股雷達
人工智慧(AI)基礎建設持續擴張,正在將記憶體產業推向新一輪供需緊張週期。2026年FMS大會釋出的數據顯示,DRAM、企業級SSD、HDD等多種記憶體產品價格同步走高,而供應端受限於擴產週期與過去產能過剩的經驗,短期內難以快速跟上需求。從目前產業訊號來看,這波記憶體價格上漲可能不只是傳統景氣循環的短期反彈,AI對資料處理、記憶體與傳輸需求的快速增加,正逐漸改變記憶體市場原有的供需結構。
國際政經
不用盯盤也能感受到這波記憶體漲價潮,因PC、筆電、SSD標價集體跳漲,早已把成本轉嫁到消費端。最新數據顯示,DDR5 均價較一年前暴衝400%–500%,容量越大漲越兇,128GB DDR5套件現價已是歷史低點的十倍。美國科技媒體《Tom's Hardware》報導, 為壓低裝機預算,部分用戶回頭抱LGA1700、AM4等支援DDR4的舊平台,盼DDR4 價格撐住,但DDR4也難獨善其身,均價較一年前漲約150%–200%,NAND顆粒同步翻倍,SSD價格同樣以倍數上揚,整機裝機成本遠高於去年同期。
歐亞股
南韓記憶體雙雄三星電子與SK海力士近期遭多家本土券商下修目標價,市場對「記憶體晶片週期是否已過頂」判斷出現明顯分歧。未來證券以「週期頂峰可能早於預期」為由,將三星股價目標價從39萬韓元砍至35萬,未來資產證券亦從55萬降至37萬,信韓投資從59萬降至45萬,三星證券從50萬降至40萬,唯獨KB證券堅持「供給短缺至少再持續3年」,維持60萬韓元目標價不動。
美股雷達
《MarketWatch》報導,SanDisk(SNDK-US)股價延續近期低點以來的強勁反彈,短短兩周多累計漲幅已超過60%。SanDisk周五(14日)收盤大漲7.4%,前一交易日則飆升13.7%。這波漲勢反映華爾街對SanDisk最新財務目標及技術發展藍圖的樂觀態度。
國際政經
最新數據顯示,隨著AI普及推高記憶體晶片需求,中國長江存儲(YMTC)在NAND快閃記憶體領域中躋身全球第三,且在規模更大的DRAM記憶體晶片市場位列全球第四。根據市場研究機構Counterpoint週三(12日)公布的最新數據,YMTC正快速搶佔NAND這一核心晶片領域的市場份額。
台股新聞
群聯(8299-TW)今(13)日召開法說會,並公布第二季財報,受惠NAND價格持續飆漲,單季毛利率衝上65%,續創歷史新高,單季稅後純益達262.17億元,季增72.78%,年增3,419%,每股稅後純益118.57元,雙雙締造新猷,累計上半年大賺187.43元。
美股雷達
谷歌周三(12日)在「Made by Google」發表會推出Pixel 11、Pixel 11 Pro、Pixel 11 Pro XL與Pixel 11 Pro Fold四款新機,下周四(20日)正式開賣,分別要價899、1099、1299、1899美元,較上代Pixel 10全系列調漲100美元,漲價主因AI資料中心擠佔DRAM/NAND產能、RAM與快閃記憶體成本飆漲,谷歌設備主管Rick Osterloh更直言,RAM和快閃記憶體短缺正推高整個消費電子業成本。