三星
外媒週四 (12 日) 報導指出，記憶體荒緩解與價格回落不會只靠「蓋新廠」就能快速發生，即便產能在 2027 年後逐步開出，HBM 持續升級、AI 資料中心投資維持高檔、以及價格黏性，都可能讓記憶體價格在更長一段時間內維持高位震盪。AI 熱潮正把電腦記憶體市場推向前所未見的緊張狀態。
台股新聞
2026 年 1 月台灣二手機回收市場明顯降溫，呈現量縮價漲的鮮明對比，整體回收量較前月下滑約 25%，市場進入價值重估行情。傑昇通信彙整門市資料發現，在回收價格端仍有亮點支撐，前十名增值機型的單月回收金額全數破萬元，以三星 Galaxy Z TriFold（16GB/512GB）單月回收價暴漲將近 2.8 萬元最為吸睛，成為回收增值王；另一方面，消費者若有年前資金需求，仍可在高階旗艦與稀缺機型上取得不錯的變現條件。
台股新聞
全球記憶體大廠三星今 (12) 日宣布，正式量產 HBM4 產品，並完成業界首次出貨，預期今年 HBM 業績將較 2025 年增長超過 3 倍，並積極擴大 HBM4 的產能，並預計於 2026 年下半年開始出貨 HBM4E 樣品，並將依客戶各別的規格需求，於 2027 年開始提供客戶客製化 HBM 樣品。
歐亞股
南韓綜合股價指數 (KOSPI) 周四 (12 日) 收盤價史上首破 5500 點，上漲 3.13% 至 5522.27 點，刷新史上最高收盤價紀錄，且連 4 天收漲，主要受到三星電子和 SK 海力士等科技股強勁上漲的提振。KOSPI 今日高開 70.9 點（1.32%），報 5425.39 點，史上首破 5400 點，之後擴大漲幅，終場收在 5500 點之上，較前一交易日上升 167.78 點。
歐亞股
三星電子週四 (12 日) 宣布，已開始向某不具名客戶正式商用出貨其最新一代 HBM4 記憶體晶片。此舉象徵三星在競爭白熱化的 AI 記憶體市場中，已取得關鍵的策略領先。目前市場對輝達繪圖晶片的需求呈現爆發式成長，而三星正傾力滿足這類頂尖 AI 加速器（用於模型訓練與運作）的硬體供給。
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路透引述知情人士說法報導，TikTok 母公司字節跳動 (ByteDance) 正在開發自有的人工智慧 (AI) 晶片，且正為此與三星電子洽商生產事宜。報導披露，這項在字節跳空內部代碼為「SeedChip」的計畫，將設計專門執行 AI 推論任務的晶片。
三星電子高層周三 (11 日) 表示，在人工智慧 (AI) 的強大需求帶動下，記憶體晶片的強勁需求將一路從今年持續到明年，並透露，客戶對三星新一代高頻寬記憶體晶片 HBM4 都給予「非常滿意」的回應。三星晶片部門技術長 Song Jai-hyuk 在首爾舉行的 Semicon 國際半導體展中發表上述言論，並表示，憑著新的 HBM4 技術，三星重返記憶體產業的巔峰。
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三星電子今 (11) 日正式發出邀請函，宣布將於台灣時間 2 月 26 日凌晨 2 點在美國舊金山舉行 Galaxy Unpacked 發布會。本次活動預計發表新一代旗艦手機 Galaxy S26 系列，並同步於三星官網及 YouTube 頻道進行全球直播，市場預期全新 Galaxy Buds 4 耳機也有望同場亮相。
隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
最新數據顯示，近期記憶體晶片價格持續飆升，導致全球電子產業鏈陷入劇烈震盪。自去年 9 月底以來，《彭博資訊》編纂的全球消費性電子製造商指數暴跌 10%，三星電子等記憶體晶片生產商股價卻逆勢暴漲約 160%，形成鮮明對比，漲價潮衝擊波及廣泛。日本遊戲產商任天堂因晶片短缺預警利潤承壓，股價日前創一年半最大跌幅，本田汽車周一 (9 日) 也首次承認記憶體零件供應風險，高通也示警產能受限，股價單日跌超 8%。
自 2025 年初以來，南韓綜合股價指數 (Kospi) 已實現翻倍以上的驚人漲幅，整體市場市值激增 1.7 兆美元，成為全球表現最亮眼的市場之一。然而，多位基金經理人與分析師指出，南韓股價仍有進一步走高的潛力。據 Jupiter Fund Management 和 Matthews Asia 的投資人士稱，在近期強漲後，韓股估值有所回升，也僅是勉強跟上強勁的企業獲利預期，長期困擾南韓股市的「南韓折價」現象尚未完全消失。
最新數據顯示，曾領漲記憶體市場的 DDR4 記憶體近來突現斷崖式下跌，8GB 規格 DDR4 本月報價從 260-270 元 (人民幣，下同) 急跌至 180-190 元，單日跌幅近 20%，16GB 同步從 800 元回落至 650 元。《銳芯網》報導，這場劇烈震盪終結 DDR4 長達一年的暴漲神話，去年 DRAM 整體漲幅達 386%，其中 16GB DDR4 曾在三個月內價格成長一倍。
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三星已獲得臨時批准，可在其位於美國德克薩斯州泰勒市的半導體工廠啟動有限運營，為這項歷經多年延宕的重大投資案邁出關鍵一步，也意味著這家科技巨頭在美國本土為特斯拉 (TSLA-US) 生產下一代 AI5 晶片進入落實階段。三星證實，該廠首批晶片預計將於今年下半年下線。
據《MarketWatch》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 今年以來一直是美股最火熱的股票之一，但隨著投資人重新評估競爭態勢，該股周一 (9 日) 走勢降溫，下跌 2.8%。拖累美光股價的一項潛在因素是，競爭對手三星電子 (Samsung Electronics) 將於本月底開始量產第六代高頻寬記憶體 HBM4，供應輝達 (Nvidia)(NVDA-US) 即將推出的 Vera Rubin 圖形處理器(GPU)。
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根據 TrendForce 最新數據顯示，受惠 AI 浪潮的推升下，記憶體與晶圓代工產值皆將在 2026 年同步創新高。記憶體產業受到供給吃緊與價格飆升，帶動產值規模大幅擴張至 5,516 億美元，而晶圓代工產值也成長至 2,187 億美元的新高，但記憶體產值規模已攀升至晶圓代工的 2 倍以上。
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三星即將啟動第六代高頻寬記憶體（HBM4）量產，最快這周就會正式進入大規模生產階段。這款先進記憶體晶片已通過輝達的嚴格認證，未來將導入新一代 人工智慧（AI）加速器，進一步鞏固三星在高階半導體市場的關鍵地位。根據產業消息與南韓《聯合新聞通訊社》報導，三星此次 HBM4 的量產時程，明顯配合輝達即將推出的下一代 AI 加速器平台「Vera Rubin」。
科技
南韓三星電子將於春節假期後率先啟動全球首次 HBM4 大規模量產，並於 2 月第三周向輝達交付首批產品，此舉代表三星在 AI 記憶體領域上實現關鍵突破，試圖扭轉上一代產品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階記憶體競爭格局。三星 HBM4 在性能上實現跨越式升級。
美股雷達
根據韓媒 ETNews 週五 (6 日) 引述消息人士報導，三星、SK 海力士與美光等記憶體巨頭，正在推行一種新型合約模式，兩大核心變化是：將合約期限縮短，再來是「結算後定價」(Post-Settlement Price) 模式。全球記憶體市場的遊戲規則正迎來變革過去，DRAM、NAND 這類記憶體產品的合約大多在供貨開始時就把價格談定，之後就算市場行情劇烈波動，通常也只會在季度談判時做小幅調整，變動幅度大多落在正負 10% 左右。
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韓媒週五 (5 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 正加速擴大下一代 DRAM 產能，計劃將用於高頻寬記憶體第四代 (HBM4) 的先進記憶體產能最高提升約 70%，以因應輝達 (NVDA-US) 與超微 (AMD) (AMD-US) 等 AI 晶片大廠需求快速升溫。
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韓國股市在 AI 題材帶動下強勢上攻，Kospi 指數今年以來大漲約 25%，權值半導體股屢創新高。然而，官方數據顯示，這波漲勢並未讓多數散戶受益，獲利高度集中於少數投資人，超過六成散戶仍處於虧損狀態，凸顯指數創高與實際投資成果之間的明顯落差。