HBM4
台股新聞
研調機構 TrendForce 最新調查，輝達 (NVDA-US) 先前因更改 HBM4 的速度規格，導致三大 HBM 業者更改設計，加上自家 Blackwell 需求優預期，Rubin 平台順勢調整，導致 HBM4 放量時程延後，預期最快 2026 年第一季底進入量產。
科技
全球最大記憶體製造商三星電子今 (8) 日公布去年第四季初步財報，受 AI 熱潮推動記憶體價格上漲影響，當季營業利潤年增 208% 至 20 兆韓元(約 138.2 億美元)，不僅刷新單季獲利歷史紀錄，更超出市場預期的 18 兆韓元。三星此次業績亮眼的核心動力來自於記憶體市場的供需失衡。
科技
輝達 (NVDA-US) 周一 (5 日) 在 CES 2026 大展上宣布，下一代 Rubin AI 晶片已全面投入生產，並打算今年下半年正式上市。這次發布的最大亮點在於，Rubin GPU 將成為業界首款整合 HBM4 高頻寬記憶體的處理器，標誌著 AI 運算基礎設施邁入新的技術階段。
歐亞股
三星電子計畫 8 日公布財報，預估第 4 季營業利益將激增 160%，此成長動能主要受惠於晶片嚴重短缺，導致記憶體價格大幅飆升，同時也反映出客戶為因應蓬勃的 AI 需求，正積極爭相拉貨。《路透》報導，近幾個月以來，半導體價格強勢噴出，受產業轉向 AI 晶片影響，傳統記憶體產能遭到排擠，然而市場對訓練與運行 AI 模型所需的傳統及先進晶片需求同步暴漲，供需失衡加劇。
科技
SK 海力士今 (6) 日宣布，將在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展 (CES) 上以「創新 AI，可持續未來」為主題舉辦專題展覽，集中展示面向 AI 時代優化的新一代記憶體解決方案。此次展覽將重點呈現該公司在高頻寬記憶體(HBM)、低功耗記憶體及 NAND 快閃記憶體領域的技術突破。
美股雷達
三星電子在高頻寬記憶體市場傳出關鍵突破，市場對其下一代 HBM4 產品的競爭力與市占前景重新評價。三星電子共同執行長暨晶片事業負責人全永鉉在新年致辭中表示，客戶對 HBM4 展現出的差異化競爭力給予高度肯定，並以「三星回來了」形容市場回饋。相關表態提振投資信心，帶動三星電子股價強勢走高。
歐亞股
路透社報導，三星電子共同執行長暨晶片事業負責人全永鉉 (Jun Young-hyun) 在新年談話時表示，客戶對下一代 HBM4 的差異化競爭力給予高度肯定，並稱「三星回來了」。三星去年 10 月時透露，正與輝達「密切討論」供應 HBM4 的事宜，這家韓國晶片製造商正努力在 AI 晶片領域追趕 SK 海力士等競爭對手。
歐亞股
在 HBM3E 價格持續攀升之際，高頻寬記憶體（HBM）戰場已提前轉向下一代產品。隨著 AI 伺服器與加速運算需求持續爆發，HBM4 被視為關鍵成長引擎，全球三大記憶體廠，包括 SK 海力士、三星、美光科技 (MU-US) 也正式展開新一輪市占率競逐。
歐亞股
韓國《每日經濟新聞》報導，三星電子的第四代高頻寬記憶體（HBM4）在輝達 (NVDA-US) 下一代人工智慧加速器「Vera Rubin」的測試中獲得最高分，明年供應前景樂觀。報導引述消息人士指出，輝達相關團隊上週訪問三星，報告了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進度。
科技
南韓券商 Kiwoon 最新研報引爆市場，三星今年營業利潤有望突破 90 兆韓元，最高上看 100 兆韓元 (約兆台幣)，此項預測得到多家機構背書，報告核心邏輯在於 AI 浪潮下記憶體晶片的史詩級漲價潮，以及技術突破的雙重加持。高頻寬記憶體 (HBM) 與 DRAM 的供需失衡構成利潤爆發式成長的基石。
台股新聞
在雲端服務供應商 (CSP) 大舉採購 DRAM 與 NAND Flash 帶動下，全球記憶體市況自 8 月起急速升溫，引爆數十年罕見的記憶體大缺貨。業界普遍認為，明年上半年價格將持續走揚，下半年才有機會逐步趨緩，且整體價格將維持在高檔一段時間，而 3C 產品相關供應鏈明年成本壓力將會比今年感受更劇烈。
科技
南韓媒體 DealSite 周四 (27 日) 報導，三星與輝達的 HBM4 供應價格談判已進入最後階段。此前，SK 海力士已完成與輝達的 HBM4 供應價格談判。三星先前供應的 12 層堆疊的 HBM3E 單價相對較低，但對於 12 層堆疊的 HBM4，目標則是跟 SK 海力士持平，維持在 500 美元中段左右，相比之前的 HBM3E 供應價格增加超過 150%。
歐亞股
韓媒 《BusinessKorea》報導，據業界消息，SK 海力士 (SK Hynix) 與 AI 巨頭輝達談判中佔上風，成功將 HBM4 價格上調超過 50%，並預期營業利益明年可能突破 70 兆韓元。此報導刊出後，SK 海力士亦給出官方回應，此消息為不實消息，公司對客戶相關事宜不予置評。
歐亞股
南韓三星電子今 (31) 日表示，正跟美國 AI 晶片巨擘輝達(NVDA-US) 就下一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片供應展開密切磋商，進一步深化雙方在 AI 領域的合作。輝達此前也在慶州 APEC 執行長峰會期間意外宣布，將向包括三星在內的南韓企業提供最新 Blackwell GPU 晶片，引發行業關注。
歐亞股
記憶體龍頭企業三星電子近日宣布，針對 12 層高頻寬記憶體 (HBM3E) 推出 30% 降價策略，意圖透過價格優勢爭奪市占率，此舉直接暴露三星因良率爬坡緩慢導致的競爭被動。三星 12 層 HBM3E 直至上月才通過輝達測試並啟動供貨，今年第 4 季出貨量料將僅有數萬片，顯著落後於 SK 海力士、美光等同業競爭對手。
歐亞股
南韓三星電子近日首度對外公開展示自家 HBM4 記憶體模組，顯示這家南韓記憶體巨擘已為即將到來的高頻寬記憶體 (HBM) 競爭做好準備。就在上月，三星也已經向輝達等核心客戶交付 HBM4 樣品，運行速度提升至每秒 11Gbps，與美光規格持平，並打算在年內啟動量產，此舉也被業界視為三星在 HBM 領域收復失土的關鍵一步。
科技
綜合韓媒報導，三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，據傳已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，這代表該技術將成為輝答最強大人工智慧加速器的重要供應來源。消息人士透露，這項核准距離三星完成晶片開發已有 18 個月之久，期間的數次測試均未能滿足輝達苛刻的性能要求。
台股新聞
研調機構 TrendForce 最新調查，因應超微 (AMD-US) 將於 2026 年推出 MI450 Helios 平台，輝達 (NVDA-US) 近期要求 Vera Rubin 伺服器機櫃的關鍵零組件供應商提高產品規格，包括 HBM4 的每腳位速度須調升至 10Gbps。
台股新聞
SK 海力士今 (12) 日宣佈，已完成 HBM4 開發，並在全球首度構建 HBM4 量產體系，展現 AI 記憶體的領導地位。此次 HBM4 傳輸頻寬擴大一倍，能效也提升 40% 以上，有助 AI 性能最高提升 69%。SK 海力士說，新推出的 HBM4 採用 MR-MUF 技術和第五代 10 奈米級 (1b) DRAM 工藝，較前一代產品翻倍的 2048 條數據傳輸通道 (I/O)，頻寬擴大一倍，同時能效也提升 40% 以上，實現全球最高水準的數據處理速度和能效，運行速度高達 10Gbps(每秒 10 千兆比特) 以上，大幅超越 JEDEC 標準規定的 8Gbps(每秒 8 千兆比特)。
科技
南韓半導體大廠 SK 海力士今 (12) 日宣佈，已成功完成面向 AI 的超高性能記憶體新產品 HBM4 的開發，並在全球範圍內率先構建了量產體系。《ZDNET Korea》報導，SK 海力士表示：「公司成功開發將引領 AI 新時代的 HBM4，並基於此技術成果，在全球首次構建了 HBM4 量產體系。