HBM4
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過去兩年被視為高頻寬記憶體（HBM）封裝技術重大躍進的混合鍵合（Hybrid Bonding），如今發展步調出現變化。隨著 JEDEC 近期放寬 HBM4 設計規範，原本被認為勢在必行的新技術不再迫切，兩家南韓記憶體大廠三星和 SK 海力士 (SKHY-US) 也相繼決定，HBM4 產品將持續沿用既有封裝架構，而非提前導入混合鍵合。
作為第六代高頻寬記憶體，HBM4 將應用於輝達今年下半年推出的 Vera Rubin 等 AI 加速晶片，成為今年下半年企業業績關鍵支撐。目前，三星電子、SK 海力士與美光科技全球三大記憶體晶片廠已全面展開 HBM4 良率競爭。三星率先實現 HBM4 規模化量產，業界估其良率接近 70%，得益於年初良率穩定超 80% 的 1C 製程 DRAM 持續帶動，良率管控能力顯著提升。
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近期市場一度擔憂，記憶體廠第三季財報恐因均價（ASP）漲幅無法達到共識而「不如預期」，不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果，打臉了這股悲觀情緒。報告指出，第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%，明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。
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根據韓媒《The Bell》最新報導，SK 海力士已正式啟動針對輝達下一代 AI 平台「Vera Rubin」供應的 12 層堆疊 HBM4 量產出貨，目前產品進入產能提升階段，預計自今年 9 月起大規模量產。報導指出，此次從投入晶圓到最終出貨僅耗時兩個多月，遠低於業界常規的四個月周期，主要歸功於雙方緊密配合，SK 海力士開啟緊急生產模式賦予最高工序優先級，輝達則簡化品質驗證流程，以確保供貨急迫性。
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三星電子已開始量產旗下最先進的資料中心儲存裝置，將應用於輝達 (NVDA-US) 即將推出的 Vera Rubin AI 平台。這款產品為企業級固態硬碟（Enterprise SSD）PM1763，三星於今年稍早在輝達 GTC 大會首度亮相，並與新一代高頻寬記憶體（HBM4）及低功耗 SOCAMM2 模組共同展示，作為其 AI 資料中心完整解決方案的一部分。
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全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
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一篇南韓媒體的產業報導，在全球市場掀起連鎖效應，讓市場對高頻寬記憶體（HBM）供應前景的隱憂浮上檯面，成為引爆記憶體股大幅回檔的導火線。韓媒於週二（23 日）報導指出，SK 海力士正放緩第六代高頻寬記憶體（HBM4）的量產擴張步調，並將資源重新挪移至一般型 DRAM 市場。
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如今席捲全球的 AI 記憶體熱潮，意外讓市場想起十多年前《江南 Style》掀起的另一場股市狂熱。2013 年，憑藉一首《江南 Style》紅遍全球的南韓歌手「鳥叔」Psy，不僅讓自己躍升國際巨星，也意外帶旺父親朴元浩掌舵的半導體設備商 DI Corp (003160-KS)。
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全球高頻寬記憶體（HBM）大廠美光科技 (MU-US) 近期股價從歷史高點重挫逾 20%，儘管其人工智慧（AI）相關業務仍持續高速成長，市場對 AI 硬體需求能否延續的疑慮，已讓投資人信心動搖，分析則認為，投資人不應急著在財報前入場「抄底」。
隨著全球人工智慧（AI）算力需求迎來爆發式增長，SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 三大記憶體巨頭的技術博弈，已悄然轉移至「散熱戰場」。隨著輝達 (NVDA-US) 證實三家晶片製造商均已通過認證並投產，可為最新 AI 平台「Vera Rubin」供應最先進的高頻寬記憶體（HBM），意味著 HBM4 的大規模量產已箭在弦上。
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美光科技 (MU-US) 股價週五（5 日）大跌逾 13%，創 2025 年 4 月以來最大單日跌幅，導火線為半導體研究機構 SemiAnalysis 發布報告，稱輝達 (NVDA-US) 削減下一代伺服器記憶體配置。然而同日，輝達執行長黃仁勳公開宣布美光已通過 HBM4 認證，但利多消息終究難以抵擋拋售潮。
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輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳表示，該公司已完成對全球三大記憶體晶片製造商的認證，允許其為輝達 AI 加速器供應最先進的高頻寬記憶體（HBM）產品。此一決定代表 SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 已正式獲得綠燈放行，將啟動最新一代 HBM4 晶片的量產與供應，以導入輝達的 AI 加速器。
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南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
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韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。
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美光科技 (MU-US) 執行長 Sanjay Mehrotra 近日接受《CNBC》專訪時表示，受人工智慧（AI）需求持續攀升推動，全球記憶體晶片供給短缺的情況才正要開始，短期內恐難緩解。同時，美光也已簽署首個五年期策略客戶。根據《Wccftech》報導，Mehrotra 指出，AI 技術仍處於發展初期，隨著 AI 推理算力規模不斷擴張，對運算 tokens 的需求將持續成長，帶動業界對更大容量、更高效能記憶體產品的迫切需要。
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AI 產業對記憶體需求正以超越產業供給能力的速度膨脹，美光科技 (MU-US) 執行長 Sanjay Mehrotra 近日也表示，該產業仍處於「早期階段」，更稱「記憶體已成為客戶的戰略資產」Mehrotr 向《CNBC》表示，隨著推理規模擴大，Token 需求持續攀升，而 Token 生成速度依賴更快、更大容量的記憶體。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。
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韓媒最新報導指出，三星電子第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 良率仍低於 60%，該公司打算在今年下半年將 HBM4 DRAM 良率提升至接近完美的水準，以加快對包括輝達在內的主要 AI 客戶的回應速度。《ChosunBiz》報導，三星正全力衝刺 HBM4 良率，該公司 1c DRAM 良率近期已攀升至具意義的水準，已突破 80% 的「成熟良率」門檻，但業界普遍認為，這尚難以視為已達到 HBM4 的量產良率水準。
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在人工智慧 (AI) 需求持續升溫帶動下，記憶體大廠美光 (MU-US) 股價今年以來已上漲約 47%，過去 12 個月更大幅飆升逾 5 倍。儘管漲勢驚人，KeyBanc 仍看好其後市表現，認為隨著即將公布的財報帶來催化，股價仍具進一步上行空間。
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全球記憶體市場正陷入一場結構性短缺的困局。儘管三星電子等行業巨頭近期斥巨資開啟擴產模式，但消費電子產品所使用的記憶體晶片價格依然堅挺，背後產能錯配邏輯值得深究。綜合《韓國經濟日報》、《Ked Global》等韓媒報導，三星正積極採購半導體曝光設備，以在先進製程與記憶體市場中重奪競爭優勢。