HBM4
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三星電子(005930KS) 正加速擴大高頻寬記憶體（HBM）布局，預計明年包括第六代 HBM4 與第七代 HBM4E 在內的 HBM4 系列產量，將較今年至少翻倍。相關跡象顯示，三星計畫把 HBM 製程使用的玻璃載體清洗量提高至今年的 2.5 倍，為後續擴產提前準備。
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外媒最新報導指出，受全球AI算力驅動、HBM需求持續遠超供給影響，三星電子已將旗下4奈米製程超過50%產能分配給HBM相關記憶體晶片的核心基礎裸片生產，這部分產能目前已處於滿載運轉狀態，全力支撐HBM4產品的產能爬坡。《Wccftech》與《ZDNet Korea》援引三星電子內外部消息人士報導，不同於採用客製化記憶體工藝製造的HBM DRAM堆疊模組，HBM底部的基礎裸片採用的是邏輯晶片製造工藝，承擔與上層DRAM堆疊互聯、集成記憶體控制器與物理層介面的核心功能，直接決定HBM整體資料傳輸效率與系統集成度。
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記憶體短缺惡化 韓兩大廠庫存不到10天南韓券商KB Securities周一(7日)出具最新研究報告警告，記憶體半導體短缺狀況似乎還在惡化：三星電子與SK海力士的記憶體庫存已降至不足10天的供應量，明年可用供給將明顯不足。報告指出，隨著AI基礎設施投資以空前速度擴張，記憶體晶片市場面臨嚴重供給短缺，而加劇短缺的關鍵因素，在於向下一代高頻寬記憶體HBM4過渡。
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AI加速器帶旺HBM，卻把全球DRAM市場推入「量跌價暴衝」的罕見格局，韓國國際貿易協會周一(8 月 31 日)公佈的數據顯示，該國AI晶片用DRAM出口量從5月約6.817億顆降至7月的5.9174億個，減少13.2%，同期出口額卻由114.3億美元跳增至135.5億美元，漲幅18.5%。
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全球高頻寬記憶體（HBM）龍頭之爭升溫。SK 海力士 (000660KS) 正因獎金與薪酬方案陷入勞資僵局，HBM4 擴產恐面臨變數；三星電子 (005930KS) 則加速追趕，HBM4 良率已突破 80%「黃金良率」。瑞銀預估，三星 2027 年 HBM 位元出貨市占率可望升至 41%，微幅超越 SK 海力士的 39%，全球 HBM 市場龍頭寶座可能易主。
韓媒上週日 (9 日) 披露，南韓三星電子 HBM4 量產良率已在本月初突破 80%「黃金良率」門檻，較原定的年底目標提前約四個月達成。今年 2 月，三星 HBM4 啟動量產時良率尚不足 60%，僅用半年拉升逾 20 個百分點，缺陷率可控、具備規模獲利基礎，標誌著三星在 HBM 賽道正式吹響翻身號角。
里昂證券 (CLSA) 出具最新報告指出，SK 海力士上週五 (7 日) 盤後宣布積極檢討強化股東價值措施，並將於第三季內公布細節，此舉直接回應市場對其今年次季財報會議「缺乏明確資本配置指引」的不滿，而這正是近期股價偏弱的主因之一。里昂認為，受惠 AI 伺服器帶動 HBM 出貨，到 2028 年，SK 海力士獲利能力與自由現金流將維持極強勁狀態，今年股東回報規模有望突破 100 兆韓元 (含分紅與回購)，規模較往年大幅躍升，不僅實質增厚股東價值，更可能成為股價重估的催化劑。
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隨著半導體市場需求結構轉變，三星電子 (005930KS) 晶圓代工業務正加速調整產能布局。業界消息指出，因 4 奈米製程產能接近滿載，三星積極推廣成熟且具成本優勢的 5 奈米製程，吸引國內外無晶圓廠（Fabless）客戶採用，開拓新一波代工商機。
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在人工智慧（AI）與高頻寬記憶體（HBM）需求的強勁驅動下，三星電子 (005930KS) 晶圓代工下半年的產能利用率有望衝刺 100%，意味著困擾公司逾一年的慢性虧損結構，即將迎來歷史性的轉捩點。根據韓媒《朝鮮日報》報導，三星晶圓代工目前的產能利用率已處於 70% 至 80% 的區間，結合現有的訂單積壓與各項合約推進進度，年內實現滿產幾乎已成定局。
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隨著 AI 基礎設施投資持續放大 HBM、伺服器 DRAM 與企業級 NAND 快閃記憶體需求，全球記憶體產業正站在一輪由 AI 驅動的「超級週期」高峰入口，而本週登場的日韓三大記憶體製造商財報被市場視為檢驗這輪行情成色的關鍵試金石。明起一連三天，SK 海力士 (7 月 29 日)、三星電子(7 月 30 日)、日本鎧俠(7 月 31 日) 將分別公布最新季度成績單，料將繳近乎誇張的數字。
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外媒最新報導指出，LPDDR5X 供應緊繃、報價持續衝高，連手握長約的輝達也撐不住。中國《快科技》報導指出，輝達下一代 Vera Rubin NVL72 機架級 AI 系統將大幅削減 CPU 側系統記憶體：SOCAMM 模組由 192GB 腰斬至 96GB，Vera CPU 配套總量從 54—55TB 砍至 28TB，CPU 機架統一改配 96GB SOCAMM；GPU 側 HBM4 顯示記憶體每櫃仍維持 20.7TB 不動。
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過去兩年被視為高頻寬記憶體（HBM）封裝技術重大躍進的混合鍵合（Hybrid Bonding），如今發展步調出現變化。隨著 JEDEC 近期放寬 HBM4 設計規範，原本被認為勢在必行的新技術不再迫切，兩家南韓記憶體大廠三星和 SK 海力士 (SKHY-US) 也相繼決定，HBM4 產品將持續沿用既有封裝架構，而非提前導入混合鍵合。
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作為第六代高頻寬記憶體，HBM4 將應用於輝達今年下半年推出的 Vera Rubin 等 AI 加速晶片，成為今年下半年企業業績關鍵支撐。目前，三星電子、SK 海力士與美光科技全球三大記憶體晶片廠已全面展開 HBM4 良率競爭。三星率先實現 HBM4 規模化量產，業界估其良率接近 70%，得益於年初良率穩定超 80% 的 1C 製程 DRAM 持續帶動，良率管控能力顯著提升。
美股雷達
近期市場一度擔憂，記憶體廠第三季財報恐因均價（ASP）漲幅無法達到共識而「不如預期」，不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果，打臉了這股悲觀情緒。報告指出，第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%，明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。
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根據韓媒《The Bell》最新報導，SK 海力士已正式啟動針對輝達下一代 AI 平台「Vera Rubin」供應的 12 層堆疊 HBM4 量產出貨，目前產品進入產能提升階段，預計自今年 9 月起大規模量產。報導指出，此次從投入晶圓到最終出貨僅耗時兩個多月，遠低於業界常規的四個月周期，主要歸功於雙方緊密配合，SK 海力士開啟緊急生產模式賦予最高工序優先級，輝達則簡化品質驗證流程，以確保供貨急迫性。
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三星電子已開始量產旗下最先進的資料中心儲存裝置，將應用於輝達 (NVDA-US) 即將推出的 Vera Rubin AI 平台。這款產品為企業級固態硬碟（Enterprise SSD）PM1763，三星於今年稍早在輝達 GTC 大會首度亮相，並與新一代高頻寬記憶體（HBM4）及低功耗 SOCAMM2 模組共同展示，作為其 AI 資料中心完整解決方案的一部分。
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全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
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一篇南韓媒體的產業報導，在全球市場掀起連鎖效應，讓市場對高頻寬記憶體（HBM）供應前景的隱憂浮上檯面，成為引爆記憶體股大幅回檔的導火線。韓媒於週二（23 日）報導指出，SK 海力士正放緩第六代高頻寬記憶體（HBM4）的量產擴張步調，並將資源重新挪移至一般型 DRAM 市場。
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如今席捲全球的 AI 記憶體熱潮，意外讓市場想起十多年前《江南 Style》掀起的另一場股市狂熱。2013 年，憑藉一首《江南 Style》紅遍全球的南韓歌手「鳥叔」Psy，不僅讓自己躍升國際巨星，也意外帶旺父親朴元浩掌舵的半導體設備商 DI Corp (003160-KS)。
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全球高頻寬記憶體（HBM）大廠美光科技 (MU-US) 近期股價從歷史高點重挫逾 20%，儘管其人工智慧（AI）相關業務仍持續高速成長，市場對 AI 硬體需求能否延續的疑慮，已讓投資人信心動搖，分析則認為，投資人不應急著在財報前入場「抄底」。