HBM4
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全球高頻寬記憶體（HBM）大廠美光科技 (MU-US) 近期股價從歷史高點重挫逾 20%，儘管其人工智慧（AI）相關業務仍持續高速成長，市場對 AI 硬體需求能否延續的疑慮，已讓投資人信心動搖，分析則認為，投資人不應急著在財報前入場「抄底」。
隨著全球人工智慧（AI）算力需求迎來爆發式增長，SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 三大記憶體巨頭的技術博弈，已悄然轉移至「散熱戰場」。隨著輝達 (NVDA-US) 證實三家晶片製造商均已通過認證並投產，可為最新 AI 平台「Vera Rubin」供應最先進的高頻寬記憶體（HBM），意味著 HBM4 的大規模量產已箭在弦上。
美光科技 (MU-US) 股價週五（5 日）大跌逾 13%，創 2025 年 4 月以來最大單日跌幅，導火線為半導體研究機構 SemiAnalysis 發布報告，稱輝達 (NVDA-US) 削減下一代伺服器記憶體配置。然而同日，輝達執行長黃仁勳公開宣布美光已通過 HBM4 認證，但利多消息終究難以抵擋拋售潮。
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輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳表示，該公司已完成對全球三大記憶體晶片製造商的認證，允許其為輝達 AI 加速器供應最先進的高頻寬記憶體（HBM）產品。此一決定代表 SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 已正式獲得綠燈放行，將啟動最新一代 HBM4 晶片的量產與供應，以導入輝達的 AI 加速器。
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南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
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韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。
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美光科技 (MU-US) 執行長 Sanjay Mehrotra 近日接受《CNBC》專訪時表示，受人工智慧（AI）需求持續攀升推動，全球記憶體晶片供給短缺的情況才正要開始，短期內恐難緩解。同時，美光也已簽署首個五年期策略客戶。根據《Wccftech》報導，Mehrotra 指出，AI 技術仍處於發展初期，隨著 AI 推理算力規模不斷擴張，對運算 tokens 的需求將持續成長，帶動業界對更大容量、更高效能記憶體產品的迫切需要。
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AI 產業對記憶體需求正以超越產業供給能力的速度膨脹，美光科技 (MU-US) 執行長 Sanjay Mehrotra 近日也表示，該產業仍處於「早期階段」，更稱「記憶體已成為客戶的戰略資產」Mehrotr 向《CNBC》表示，隨著推理規模擴大，Token 需求持續攀升，而 Token 生成速度依賴更快、更大容量的記憶體。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。
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韓媒最新報導指出，三星電子第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 良率仍低於 60%，該公司打算在今年下半年將 HBM4 DRAM 良率提升至接近完美的水準，以加快對包括輝達在內的主要 AI 客戶的回應速度。《ChosunBiz》報導，三星正全力衝刺 HBM4 良率，該公司 1c DRAM 良率近期已攀升至具意義的水準，已突破 80% 的「成熟良率」門檻，但業界普遍認為，這尚難以視為已達到 HBM4 的量產良率水準。
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在人工智慧 (AI) 需求持續升溫帶動下，記憶體大廠美光 (MU-US) 股價今年以來已上漲約 47%，過去 12 個月更大幅飆升逾 5 倍。儘管漲勢驚人，KeyBanc 仍看好其後市表現，認為隨著即將公布的財報帶來催化，股價仍具進一步上行空間。
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全球記憶體市場正陷入一場結構性短缺的困局。儘管三星電子等行業巨頭近期斥巨資開啟擴產模式，但消費電子產品所使用的記憶體晶片價格依然堅挺，背後產能錯配邏輯值得深究。綜合《韓國經濟日報》、《Ked Global》等韓媒報導，三星正積極採購半導體曝光設備，以在先進製程與記憶體市場中重奪競爭優勢。
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文．洪寶山Feynman 將是輝達首款採用 3D 堆疊技術的 GPU，這意味著運算單元與記憶體或運算單元之間將進行垂直堆疊，大幅提升數據傳輸效率並縮小晶片體積，這就解釋了近期愛普 * 股價上漲的原因了。DLSS 5 問世 圖形學從計算渲染跨入生成渲染DLSS 5 的問世被黃仁勳稱為圖形學的 GPT 時刻，不僅是一次技術升級，更象徵著電腦圖形學從計算渲染正式跨入生成渲染的全新時代。
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韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局，在 HBM4 今年正式進入量產的同時，已將目光投向更遠一代產品，打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2 奈米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶體市場的強勢擴張意圖，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。
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三星電子 (Samsung Electronics) 與超微 (AMD-US) 周三 (18 日) 宣布簽署合作備忘錄 (MoU)，將擴大在人工智慧(AI) 記憶體與運算技術上的合作，三星將成為超微下一代 AI 加速器 HBM4 記憶體的主要供應商，並探索未來在晶圓代工領域的合作可能。
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三星電子聯席執行長全永炫今 (18) 日在年度股東大會上表示，受 AI 浪潮推動，今年晶片需求將持續強勁，但記憶體價格上漲恐抑制電腦與行動裝置的出貨量。他還強調，AI 驅動的基礎設施投資正帶領產業進入「前所未有的超級週期」。全永炫透露，三星正與主要客戶洽談，將傳統的年度或季度供貨協議改為三至五年長約，以減緩週期性需求波動。
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美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在輝達 GTC 大會上宣佈，旗下多款記憶體產品已同步進入大規模量產階段，這些產品均圍繞輝達 Vera Rubin 平台設計。美光表示，HBM4 產線已在今年首季度開始量產並出貨，首批產品為 36GB 的 12 層堆疊版本，專為 Vera Rubin 平台打造。
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加拿大《紀事日報》(The Chronicle-Journal) 報導，隨著生成式人工智慧快速擴張，記憶體市場正從過去典型的景氣循環模式，轉向長期結構性需求成長，產業有望進入持續數年的「記憶體超級周期」。加拿大皇家銀行資本市場 (RBC Capital Markets) 指出，此次上調評價的核心原因，在於 AI 基礎設施對高頻寬記憶體 (HBM) 與企業級儲存需求急速增加，使記憶體從過去被視為低毛利的標準化商品，轉變為 AI 硬體架構中最關鍵的資源之一。
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南韓記憶體大廠 SK 海力士周二 (17 日) 說，在美國當地時間周一 (16 日) 參加了由輝達在加州主辦的 GTC 大會，期間重點展示其在 AI 產業記憶體晶片領域的領先地位，該大會將持續四天。SK 海力士指出，將以「聚焦 AI 記憶體」為主題，此次展覽將展示 SK 海力士的主要產品，例如第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 如何應用於輝達的 AI 平台，另外也將展示其記憶體解決方案，這些方案「旨在最大限度地減少資料瓶頸，並最大限度地提高輝達 AI 平台上的 AI 訓練和推理效能」。
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根據南韓《商業周刊》報導，三星正考慮在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的基底晶片中導入 2 奈米製程。根據報導，三星近期才剛完成業界首款商用 HBM4 的量產，同時也正著手對 HBM4E 的供電架構進行重新設計，以因應在相同封裝面積內，電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。