HBM4
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三星電子 (Samsung Electronics) 與超微 (AMD-US) 周三 (18 日) 宣布簽署合作備忘錄 (MoU)，將擴大在人工智慧(AI) 記憶體與運算技術上的合作，三星將成為超微下一代 AI 加速器 HBM4 記憶體的主要供應商，並探索未來在晶圓代工領域的合作可能。
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三星電子聯席執行長全永炫今 (18) 日在年度股東大會上表示，受 AI 浪潮推動，今年晶片需求將持續強勁，但記憶體價格上漲恐抑制電腦與行動裝置的出貨量。他還強調，AI 驅動的基礎設施投資正帶領產業進入「前所未有的超級週期」。全永炫透露，三星正與主要客戶洽談，將傳統的年度或季度供貨協議改為三至五年長約，以減緩週期性需求波動。
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美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在輝達 GTC 大會上宣佈，旗下多款記憶體產品已同步進入大規模量產階段，這些產品均圍繞輝達 Vera Rubin 平台設計。美光表示，HBM4 產線已在今年首季度開始量產並出貨，首批產品為 36GB 的 12 層堆疊版本，專為 Vera Rubin 平台打造。
加拿大《紀事日報》(The Chronicle-Journal) 報導，隨著生成式人工智慧快速擴張，記憶體市場正從過去典型的景氣循環模式，轉向長期結構性需求成長，產業有望進入持續數年的「記憶體超級周期」。加拿大皇家銀行資本市場 (RBC Capital Markets) 指出，此次上調評價的核心原因，在於 AI 基礎設施對高頻寬記憶體 (HBM) 與企業級儲存需求急速增加，使記憶體從過去被視為低毛利的標準化商品，轉變為 AI 硬體架構中最關鍵的資源之一。
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南韓記憶體大廠 SK 海力士周二 (17 日) 說，在美國當地時間周一 (16 日) 參加了由輝達在加州主辦的 GTC 大會，期間重點展示其在 AI 產業記憶體晶片領域的領先地位，該大會將持續四天。SK 海力士指出，將以「聚焦 AI 記憶體」為主題，此次展覽將展示 SK 海力士的主要產品，例如第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 如何應用於輝達的 AI 平台，另外也將展示其記憶體解決方案，這些方案「旨在最大限度地減少資料瓶頸，並最大限度地提高輝達 AI 平台上的 AI 訓練和推理效能」。
根據南韓《商業周刊》報導，三星正考慮在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的基底晶片中導入 2 奈米製程。根據報導，三星近期才剛完成業界首款商用 HBM4 的量產，同時也正著手對 HBM4E 的供電架構進行重新設計，以因應在相同封裝面積內，電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。
輝達執行長黃仁勳周一 (9 日) 向全球記憶體晶片廠商釋出強烈訊號，稱即便業界擴大產能，輝達也照單全收。他直言，晶片供給短缺對公司而言是「極好消息」，因資源受限反而促使客戶更傾向選擇性能最強的解決方案。黃仁勳在摩根士丹利科技大會上直接向 DRAM 廠喊話：「你們擴多少產能，我們就用多少。
韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。
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輝達 (NVDA-US)GTC 大會將於 3 月 16-19 日舉辦，作為全球 AI 算力領域的風向球，本次大會將揭曉 Rubin、Feynman 等新一代 GPU 核心參數，集中展示 CPO 交換機、電源架構、液冷散熱等算力基建環節的技術與商業化落地進展。
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韓國《朝鮮日報》引述消息人士報導，三星電子正針對其最新一代 HBM4 晶片的定價與客戶展開談判，預期將較上一代產品大幅調升約 30%，達到約 700 美元的水準，SK 海力士也將把 HBM4 價格設在此一價位。市場分析指出，此舉不僅反映了高階晶片市場供應持續短缺的現狀，更象徵三星在 AI 記憶體領域強勢的「定價話語權」。
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輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳近期展開一系列罕見的戰略行動，不僅在公開場合預告即將推出劃時代的產品，更私下展現其對合作夥伴工程團隊的高度重視。據《韓國經濟日報》報導，黃仁勳近日表示，輝達正準備在 2026 年 3 月 16 日於聖荷西舉行的 GTC 大會上，揭曉一款「將讓世界感到驚訝」的新型晶片。
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美光股價週四 (12 日) 續升向上，主因市場再度出現記憶體價格大幅上漲的最新訊號。聯想集團 (0992-HK) 表示，上季記憶體價格暴漲 40% 至 50%，本季合約價甚至可能翻倍，並預期全球供應吃緊，記憶體荒將延續全年，帶動投資人對記憶體產業景氣的樂觀情緒升溫。
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全球記憶體大廠三星今 (12) 日宣布，正式量產 HBM4 產品，並完成業界首次出貨，預期今年 HBM 業績將較 2025 年增長超過 3 倍，並積極擴大 HBM4 的產能，並預計於 2026 年下半年開始出貨 HBM4E 樣品，並將依客戶各別的規格需求，於 2027 年開始提供客戶客製化 HBM 樣品。
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三星電子週四 (12 日) 宣布，已開始向某不具名客戶正式商用出貨其最新一代 HBM4 記憶體晶片。此舉象徵三星在競爭白熱化的 AI 記憶體市場中，已取得關鍵的策略領先。目前市場對輝達繪圖晶片的需求呈現爆發式成長，而三星正傾力滿足這類頂尖 AI 加速器（用於模型訓練與運作）的硬體供給。
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美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
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隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
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《Marketwatch 報導，因市場擔憂競爭升溫，記憶體晶片大廠美光近期股價走弱，不過德銀 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 帶動的記憶體榮景將推升公司獲利能力，並將目標價上調至 500 美元，代表相較週二收盤價仍有約 33% 上行空間。
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《韓國時報》報導，SK 集團（SK Group）會長崔泰源近期於美國會晤輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳。雙方就高頻寬記憶體（HBM）供應體系及人工智慧業務範疇的全面合作，進行了深入探討。據悉，此次會面於本月初在加州一家炸雞店舉行。業界分析指出，雙方磋商重點聚焦於下一代高頻寬記憶體「HBM4」的供應計畫。
外電援引消息人士周一 (9 日) 報導指出，南韓 SK 集團會長崔泰源近日在美國加州一家炸雞店與輝達執行長黃仁勳舉行閉門會談，雙方重點圍繞 HBM4 供應及 AI 業務合作展開磋商。消息人士透露，雙方會面在本月初進行，核心議題包括 HBM4 在輝達新一代 AI 加速器 Vera Rubin 中的應用規劃。
根據產業研究機構 SemiAnalysis 最新報告，輝達 (NVDA-US) 下一代 AI 晶片平台 Vera Rubin 的 HBM4 記憶體供應格局將發生重大變化，美光科技 (MU-US) 因技術路線選擇失誤，預計將完全錯失首年量產訂單，競爭對手 SK 海力士與三星電子則將包攬全部市場份額，形成韓廠壟斷格局。