ASML
美股雷達
荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 在人工智慧 (AI) 晶片需求推動下，既有極紫外光 (EUV) 微影設備產能已接近售罄至2027年，台積電、三星及SK海力士也陸續確定採用新一代High NA EUV設備，進一步鞏固ASML延續至2030年代的市場主導地位。
台股新聞
比利時微電子研究中心(imec)宣布攜手ASML及材料供應商，在High-NA EUV微影技術再取得進展。將產業沿用多年的化學放大阻劑(CAR)，完成22奈米間距導線的單次圖形化，並驗證多種接近實際晶片設計的複雜結構，顯示成熟CAR光阻技術有望延伸至A14、A10等埃米世代，應用於部分關鍵金屬層與通孔層。
歐亞股
面對人工智慧（AI）熱潮帶來的強勁需求，荷蘭曝光機製造商ASML 8日（周二）宣布，將在荷蘭動工興建一座新的大型生產園區，以擴大產量。ASML表示，新設施BIC North位於埃因霍溫機場附近，佔地35公頃，距離阿斯麥費爾德霍芬總部和主要生產基地約7公里。
台股新聞
2026年09月09日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 半導體載具廠家登(3680-TWO)今（9）日跳空攻上573元漲停，主要催化劑來自台積電與ASML宣布合作推動12吋High-NA EUV光罩，市場看好家登憑藉既有認證及光罩載具技術，提前卡位下一世代商機。
歐亞股
荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)宣布，計畫與英特爾(INTC-US)、台積電(2330-TW)(TSM-US)、三星電子及輝達(NVDA-US)等大客戶合作，共同研發尺寸更大的新一代光罩技術。此項合作旨在推進下一代高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備，以利製造用於AI資料中心的超大型處理器。
歐亞股
三星電子周二(8日)宣布，已加入由荷蘭半導體設備商艾司摩爾(ASML)牽頭的聯盟，共同開發下一代半導體製造技術，重點推動12吋光罩技術，取代沿用數十年的6吋格式。三星表示，雙方將基於多年合作基礎攜手推進先進技術研發，滿足先進製程對性能與效率的要求。
台股新聞
繼台積電(2330-TW)(TSM-US)之後，全球半導體大廠英特爾(INTC-US)、三星也相繼表態投入下一代12吋光罩技術，並進一步擴大與ASML在高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)領域合作。英特爾持續推進High NA EUV量產準備，三星更規劃2028年前後導入未來DRAM量產，並雙雙宣布參與12吋光罩技術。
台股新聞
艾司摩爾(ASML-US)台積電(2330-TW)(TSM-US)今(8)日共同宣布，台積電將自2030年起在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA EUV技術，並進一步擴大微影光罩尺寸，從現有的6吋光罩擴大至12吋光罩，尺寸放大一倍，進一步提升設備生產力。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)極紫外光(EUV)微影機光學元件獨家供應商、德國蔡司集團(Zeiss Group)表示，中國在開發最先進晶片製造設備方面，大約落後15年。蔡司集團半導體事業負責人Frank Rohmund接受彭博電視訪問時表示，北京要開發出EUV微影機，大約還需要15年，這是「合理的推測」，不過他也坦言，中國在這方面的實際進展難以量化。
美股雷達
多家外媒報導，瑞銀最新研究指出，中國微影製程技術仍明顯落後艾司摩爾 (ASML)，未來10年內不太可能推出足以取代極紫外光 (EUV) 微影設備的產品。不過，中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備上的進展較快，最快2至5年便可能具備大規模生產能力。
大陸政經
荷蘭媒體NL Times 與 NU.nl 報導稱，美國政府擬施壓荷蘭，禁止ASML向中國銷售幾乎所有晶片製造設備，包括深紫外光（DUV）微影機。與此同時，中國加速推進微影設備國產化，上海宇量盛科技已於今年7月限量生產浸潤式DUV微影機。美方此舉主要目的在阻礙中國人工智慧（AI）、超級電腦及軍事科技發展。
美股雷達
特斯拉 (TSLA-US) 執行長馬斯克旗下傳出籌備中的晶圓廠計畫「TeraFab」，可能捨棄艾司摩爾 (ASML-US) 獨家壟斷的極紫外光（EUV）雷射誘發電漿（LPP）光源技術，改採自由電子雷射（FEL）路線產生曝光所需的短波長光源。若消息屬實，這將是半導體先進製程數十年來最核心的光源技術首度出現挑戰者，牽動的不只是艾司摩爾的市場地位，更可能改寫晶圓代工業長期倚賴單一供應商的產業結構。
歐亞股
德國蔡司集團(Zeiss)半導體製造技術事業部總裁Frank Rohmund近日表示，身為艾司摩爾EUV光學系統唯一供應商，蔡司具備充足且可彈性擴充的產能，足以消化雲端巨頭持續投入AI基建帶動的先進晶片需求，今年半導體事業料將顯著增長。蔡司上月底宣布，該公司在德國南部奧伯科亨(Oberkochen)總部新增約2.5萬平方公尺生產及配套空間，員工在8月遷入這個歷時四年完成的新空間，餘屋分階段交付。
歐亞股
綜合外媒周二 (28 日) 報導，中國傳出已開始量產自主研發的浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備，並計劃今年交付中芯國際 (00981-HK)、華虹半導體(01347-HK) 及長鑫存儲 (688825-CN) 等中國大型晶片製造商，象徵北京推動半導體設備國產化取得重要進展。
國際政經
據美國媒體《The Information》周一（27 日）報導，中國已開始生產自研浸潤式深紫外光曝光機（DUV），這種晶片製造關鍵設備長期由荷蘭供應商 ASML 主導。據《The Information》等外媒報導，一家位於上海、獲中國政府支持的企業，已開始生產自主研發的 DUV 曝光機，相關團隊納入宇量昇科技等新創公司人員。
美股雷達
美股週一 (27 日) 漲跌互見，美國與伊朗暫停相互攻擊，帶動國際油價大幅回落，舒緩市場對通膨與升息的擔憂，道瓊終場收漲逾 262 點。不過，中國半導體產業傳技術突破，晶片股全面承壓，拖累費半指數收黑 2.23%，那斯達克指數連續第 4 個交易日走低，標普 500 指數則在平盤附近震盪後小幅收高。
歐亞股
人工智慧 (AI) 浪潮持續席捲全球，也讓荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 成為歐洲股市最大贏家。受惠於 AI 晶片需求持續升溫，公司第二季財報再度優於市場預期，今年股價已累計飆漲約 60%，市值逼近 7,000 億美元。隨著多家華爾街機構上調目標價，市場開始討論一個過去看似遙不可及的問題：艾司摩爾是否有機會成為歐洲首家市值突破 1 兆美元的企業？不過，分析師也提醒，要跨越兆美元門檻，除了 AI 投資熱潮必須延續之外，還得克服供應鏈、地緣政治及客戶資本支出等多重挑戰。
美股雷達
近期市場一度擔憂，記憶體廠第三季財報恐因均價（ASP）漲幅無法達到共識而「不如預期」，不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果，打臉了這股悲觀情緒。報告指出，第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%，明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。
美股雷達
《TipRanks》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 近一個月下跌 18%，主要因投資人在今年股價大漲後獲利了結。中東緊張局勢再度升溫，也拖累 AI 及科技股表現。儘管近期回檔，華爾街分析師對美光後市仍維持樂觀看法，認為記憶體供給持續吃緊，以及價格上漲趨勢不變。
國際政經
人工智慧 (AI) 晶片熱潮持續推升全球半導體設備需求，也讓荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 業績水漲船高。該公司日前不僅公布優於市場預期的財報，還二度上調全年財測。不過，相較於亮眼的獲利表現，市場更關注的是艾司摩爾正站在美中 AI 競爭的最前線，一方面仰賴中國這個重要市場，另一方面又必須配合美國日益收緊的出口管制，在商業利益與地緣政治之間維持微妙平衡。