ASML
美股雷達
本週國際大事包括美國9月消費者物價指數(CPI)，這是聯準會(Fed)10月底決策會議登場前最後一批重要經濟數據之一。大型銀行將為財報季揭開序幕，台積電和艾司摩爾的營運和財測，將是投資人觀察人工智慧(AI)投資是否繼續推升半導體設備和晶圓代工需求的指標。
國際政經
據韓媒《The Elec》 10日（周六）報導，全球最大半導體設備製造商 ASML決定將供應韓國市場的曝光機替換設備部件價格統一提高10%。此次漲價涉及極紫外曝光機和深紫外曝光機全部備件，從 2027 年 1 月供貨的產品開始執行新價格。業界人士稱，ASML 總部 9 月初就已通過韓國分公司向三星電子和 SK 海力士提出漲價方案，經過與兩家公司採購部門協商，最終敲定漲價事宜。
美股雷達
艾司摩爾(ASML)(ASML-US)與其光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師在一篇經過同行評審的論文中表示，ASML現有最先進晶片製造設備的後繼技術，可能在約10年內準備就緒。論文指出，這項名為「Hyper NA」的設備將能製作更微小的電路，同時重複利用兩家公司現有的大部分技術，但仍有一些挑戰需要克服。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)與光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師，在一篇同儕審查論文中指出，接替目前最先進曝光機的「Hyper NA」技術，可能約十年後準備就緒，可印製更微小的晶片電路，並沿用大量既有技術，但仍有挑戰待克服。據《路透》周四(8日)報導，艾司摩爾已開始研發Hyper NA，但尚未承諾投入生產，也未立即回應置評要求。
歐亞股
美銀(BAC-US)警告，艾司摩爾(ASML-US)有意切入混合鍵合市場，可能威脅荷蘭設備商貝思半導體(Besi，全名為BE Semiconductor Industries N.V.)(BESIY-US)的成長前景，相關風險尚未反映在股價中。
國際政經
外媒最新報導指出，中國大陸半導體製造企業在美國與荷蘭出口管制下，仍以個案審批、既有庫存與國產研發「兩條腿走路」推進光刻能力。綜合美國智庫報告、《南華早報》及《日經亞洲》相關報導，外界估算中國目前取得的浸沒式深紫外(DUV)光刻機合計約343台，其中約270台為艾司摩爾(ASML)Twinscan NXT:1980i，這批設備雖非極紫外(EUV)，但配合多重曝光已可支撐7奈米邏輯、先進記憶體與AI加速器量產，並為中國國產整機研發爭取緩衝期。
國際政經
2026灣區半導體產業生態博覽會(灣芯展WESEMiBAY)將於下周三(14日)在深圳舉行，美國、日本、荷蘭、德國、南韓與新加坡等20餘個國家和地區1000餘家半導體企業參展，同期舉辦灣區半導體大會與40餘場先進]論壇，預計吸引7萬名以上專業觀眾，聚焦「設計—製造—封裝—系統—應用」全鏈協同。
國際政經
荷蘭首相羅布·耶滕正在直接向美國總統川普交涉，希望阻止華盛頓進一步收緊對晶片設備造商ASML的出口限制。據《彭博》報導，耶滕24日（周四）表示，他已經多次與川普以及美國國會議員討論《硬體技術管制多邊協調法案》（MATCH），並強調保護半導體產業的重要性。
歐亞股
歐洲市值最高的公司在本土市場交出一張空白的成績單，艾司摩爾(ASML)負責全球公共事務的執行副總裁Frank Heemskerk周一(21日)晚間在阿姆斯特丹一場活動上直言：「我們在歐洲根本沒有銷售業務，這是因為歐洲缺乏投資，也沒有新的晶片工廠在建。
美股雷達
荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 在人工智慧 (AI) 晶片需求推動下，既有極紫外光 (EUV) 微影設備產能已接近售罄至2027年，台積電、三星及SK海力士也陸續確定採用新一代High NA EUV設備，進一步鞏固ASML延續至2030年代的市場主導地位。
台股新聞
比利時微電子研究中心(imec)宣布攜手ASML及材料供應商，在High-NA EUV微影技術再取得進展。將產業沿用多年的化學放大阻劑(CAR)，完成22奈米間距導線的單次圖形化，並驗證多種接近實際晶片設計的複雜結構，顯示成熟CAR光阻技術有望延伸至A14、A10等埃米世代，應用於部分關鍵金屬層與通孔層。
歐亞股
面對人工智慧（AI）熱潮帶來的強勁需求，荷蘭曝光機製造商ASML 8日（周二）宣布，將在荷蘭動工興建一座新的大型生產園區，以擴大產量。ASML表示，新設施BIC North位於埃因霍溫機場附近，佔地35公頃，距離阿斯麥費爾德霍芬總部和主要生產基地約7公里。
台股新聞
2026年09月09日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 半導體載具廠家登(3680-TWO)今（9）日跳空攻上573元漲停，主要催化劑來自台積電與ASML宣布合作推動12吋High-NA EUV光罩，市場看好家登憑藉既有認證及光罩載具技術，提前卡位下一世代商機。
歐亞股
荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)宣布，計畫與英特爾(INTC-US)、台積電(2330-TW)(TSM-US)、三星電子及輝達(NVDA-US)等大客戶合作，共同研發尺寸更大的新一代光罩技術。此項合作旨在推進下一代高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備，以利製造用於AI資料中心的超大型處理器。
歐亞股
三星電子周二(8日)宣布，已加入由荷蘭半導體設備商艾司摩爾(ASML)牽頭的聯盟，共同開發下一代半導體製造技術，重點推動12吋光罩技術，取代沿用數十年的6吋格式。三星表示，雙方將基於多年合作基礎攜手推進先進技術研發，滿足先進製程對性能與效率的要求。
台股新聞
繼台積電(2330-TW)(TSM-US)之後，全球半導體大廠英特爾(INTC-US)、三星也相繼表態投入下一代12吋光罩技術，並進一步擴大與ASML在高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)領域合作。英特爾持續推進High NA EUV量產準備，三星更規劃2028年前後導入未來DRAM量產，並雙雙宣布參與12吋光罩技術。
台股新聞
艾司摩爾(ASML-US)台積電(2330-TW)(TSM-US)今(8)日共同宣布，台積電將自2030年起在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA EUV技術，並進一步擴大微影光罩尺寸，從現有的6吋光罩擴大至12吋光罩，尺寸放大一倍，進一步提升設備生產力。
美股雷達
艾司摩爾(ASML-US)極紫外光(EUV)微影機光學元件獨家供應商、德國蔡司集團(Zeiss Group)表示，中國在開發最先進晶片製造設備方面，大約落後15年。蔡司集團半導體事業負責人Frank Rohmund接受彭博電視訪問時表示，北京要開發出EUV微影機，大約還需要15年，這是「合理的推測」，不過他也坦言，中國在這方面的實際進展難以量化。
美股雷達
多家外媒報導，瑞銀最新研究指出，中國微影製程技術仍明顯落後艾司摩爾 (ASML)，未來10年內不太可能推出足以取代極紫外光 (EUV) 微影設備的產品。不過，中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備上的進展較快，最快2至5年便可能具備大規模生產能力。
大陸政經
荷蘭媒體NL Times 與 NU.nl 報導稱，美國政府擬施壓荷蘭，禁止ASML向中國銷售幾乎所有晶片製造設備，包括深紫外光（DUV）微影機。與此同時，中國加速推進微影設備國產化，上海宇量盛科技已於今年7月限量生產浸潤式DUV微影機。美方此舉主要目的在阻礙中國人工智慧（AI）、超級電腦及軍事科技發展。