華為高喊韜定律卻藏不住現實！分析師：2031年恐仍落後台積電6至8年

華為 (Huawei) 近日高調提出「韜定律」(Tau Law)，宣稱可透過先進晶片堆疊技術，開創一條不同於摩爾定律 (Moore"s Law) 的新發展路徑。然而，多位半導體分析人士認為，華為最新技術成果雖展現中國工程實力，卻也反映中國在美國出口管制下，短期內仍難突破極紫外光 (EUV) 微影設備限制，與全球領先晶片製造商之間的差距恐將持續存在。

華為半導體業務負責人何庭波日前在上海一場晶片論壇上表示，摩爾定律已逐漸接近極限，韜定律將成為推動未來晶片效能提升的新方向。根據華為發布的技術論文，公司計劃透過多層電路垂直堆疊方式提升晶片密度，並期望在 2031 年前達到當前最先進晶片的運算能力。

堆疊技術取代微縮製程 華為提出韜定律

根據華為發布的技術論文，韜定律的核心概念並非進一步縮小電晶體尺寸，而是透過將多層電路垂直堆疊，縮短訊號傳輸距離，以提升晶片效能與密度。

華為表示，新技術可望讓下一代晶片密度較前代提高 55%，並在 2031 年前達到當前最先進晶片的運算水準。

獨立半導體分析師古德里奇 (Jimmy Goodrich) 指出，華為提出的工程方案確實令人印象深刻，但將其包裝成足以取代摩爾定律的重大突破，則未必符合產業現況。

他表示，晶片堆疊技術本身並非華為獨有，台積電 (TSM-US)(2330-TW)、英特爾(INTC-US)、超微(AMD-US) 與三星電子 (Samsung Electronics) 多年來皆已投入相關技術開發。真正的差異在於，這些國際大廠所使用的堆疊晶片，底層仍建立在極紫外光 (EUV) 微影技術所打造的先進製程之上。

然而，美國主導的出口管制已禁止荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML-US) 向中國出售 EUV 設備，中國至今仍未能建立成熟替代方案。

分析人士認為，華為之所以將堆疊技術視為先進製程的替代方案，而非輔助工具，正是因為中國無法取得 EUV 設備。

與全球領先業者差距仍大 2031 年恐落後 6 至 8 年

事實上，華為技術論文中也坦承，對於無法取得最先進微影設備的企業而言，相關限制正變得愈來愈嚴峻。論文並指出，單純等待下一代製程節點解決問題已不再可行。

古德里奇認為，這是華為迄今最明確的一次表態，顯示其已接受短期內難以突破 EUV 技術封鎖的現實。

他進一步指出，華為目標是在 2031 年前透過堆疊技術，讓較舊製程晶片達到目前最先進產品的效能水準；但依照台積電的發展進度，相關效能目標最快 2028 年便可實現，且屆時產業仍將持續推進下一世代技術。

換言之，即使華為成功達成規劃目標，到了 2031 年，與全球領先業者之間的實際差距仍可能維持在 6 至 8 年，而非外界原先認為的 3 年左右。

此外，良率問題也是一大挑戰。分析人士估計，華為目前部分晶片生產良率約僅 20%，代表每 5 片晶片中僅有 1 片符合規格。由於堆疊技術需要多顆晶片同步達到標準後再進行精密封裝，若基礎良率不足，整體生產難度將進一步提高。

儘管如此，華為的最新進展仍凸顯中國半導體產業正積極尋找繞過技術封鎖的方法。分析人士認為，美國出口管制確實限制了中國取得最先進晶片技術，但相關規範仍存在漏洞，中國企業也持續透過不同途徑尋求突破。

不過，從華為此次發表的技術內容來看，中國晶片產業雖展現不俗創新能力，但距離跨越 EUV 這道關鍵技術門檻，仍有相當長的路要走。