良率
台股新聞
AI晶片效能持續提升，也同步拉高測試、量測與檢測的重要性。致茂(2360-TW)執行長兼總經理與SEMI檢測與計量委員會主席曾一士指出，AI產品整合多項技術，系統複雜度遠高於過去，只要其中任何一個零件發生問題，都可能影響整體效能與產品價值，因此AI產業對良率、可靠度與系統穩定性的要求，已經接近「零容忍」程度，也讓檢測與量測從過去的輔助工具，正式轉變為剛性需求。
韓媒上週日 (9 日) 披露，南韓三星電子 HBM4 量產良率已在本月初突破 80%「黃金良率」門檻，較原定的年底目標提前約四個月達成。今年 2 月，三星 HBM4 啟動量產時良率尚不足 60%，僅用半年拉升逾 20 個百分點，缺陷率可控、具備規模獲利基礎，標誌著三星在 HBM 賽道正式吹響翻身號角。
多家外媒報導，蘋果 (AAPL-US) 傳出已取消為 iPhone 問世 20 週年打造的「全玻璃 iPhone」。Jefferies 認為，這項計畫可能因量產良率不佳而喊停，不僅讓蘋果失去推出超高價 iPhone 的機會，也更難透過產品升級抵銷記憶體成本上漲。
外媒最新報導指出，距離 iPhone 18 系列發表倒數幾周，蘋果新機正面臨「成本暴衝＋DRAM 斷料」雙重夾擊，漲價幾成定局，首發缺貨亦難避免。美國科技媒體《9to5mac》引述供應鏈與機構測算指出，漲價底氣來自三項硬體成本。一是全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體持續緊缺、記憶體現貨價格暴漲；二是全新可變光圈主鏡頭成本較上一代增加 50%；三是首發台積電 2 奈米 A20 Pro 晶片搭配 WMCM 封裝，先進製程費用大幅墊高。
歐亞股
綜合外媒周二 (28 日) 報導，中國傳出已開始量產自主研發的浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備，並計劃今年交付中芯國際 (00981-HK)、華虹半導體(01347-HK) 及長鑫存儲 (688825-CN) 等中國大型晶片製造商，象徵北京推動半導體設備國產化取得重要進展。
歐亞股
作為第六代高頻寬記憶體，HBM4 將應用於輝達今年下半年推出的 Vera Rubin 等 AI 加速晶片，成為今年下半年企業業績關鍵支撐。目前，三星電子、SK 海力士與美光科技全球三大記憶體晶片廠已全面展開 HBM4 良率競爭。三星率先實現 HBM4 規模化量產，業界估其良率接近 70%，得益於年初良率穩定超 80% 的 1C 製程 DRAM 持續帶動，良率管控能力顯著提升。
美股雷達
半導體先進製程競爭白熱化之際，英特爾 (INTC-US) 傳出關鍵性突破，其 18A 製程由上季度的 65% 大幅提升至 85%，進一步強化外界對其晶圓代工業務的信心，傳已奪得超微半導體 (AMD-US) 、輝達 (NVDA-US) 、邁威爾 (MRVL-US) 、微軟 (MSFT-US) 、美光 (MU-US) 和 OpenAI 等公司設計訂單。
美股雷達
外媒最新報導找出，英特爾打算 2026 年底發布 Nova Lake，屬於酷睿 Ultra 400 系列，採用基於 Tile 的設計，原先打算採用雙代工廠策略，大部分計算模組生產交給台積電負責，佔比約在 60% 至 70%，以 2 奈米製程製造，其餘則是自家代工廠，選擇英特爾 18A 製程，但最新供應鏈資訊顯示，英特爾將 Nova Lake 大部分計算模組轉為內部完成，大概 80% 至 90% 自家製造。
歐亞股
三星電子近期曝光的 Exynos 晶片路線圖顯示，這家南韓半導體巨頭正一改過去與台積電 (2330-TW) 搶先量產新製程的策略，轉為採取更為保守、穩健的節奏。根據流出的路線圖，三星首款 2 奈米晶片將是 Exynos 2600，其後的 Exynos 2700 與 2800 也將沿用 2 奈米製程，透過持續優化來提升效能與功耗表現，直到第四代的 Exynos 2900 才會首度導入 1.4 奈米製程。
美股雷達
人工智慧（AI）時代持續推升高頻寬記憶體（HBM）需求之際，英特爾 (INTC-US) 一項最新曝光的專利，揭示其正布局全新的 HBM 替代架構，希望突破現行 HBM 在封裝成本與擴充性上的限制。根據《Tom’s Hardware》報導，獨立科技分析師 Underfox 公開的資訊指出，英特爾於 2026 年 7 月 2 日公開的一份專利申請，描述了一種名為 Cross-Batch Memory（XBM）的新型超高頻寬記憶體架構。
美股雷達
美國應用材料公司週一 (15 日) 發佈兩款針對先進半導體製造的新系統，旨在解決高深寬比 3D 結構中精密加工的核心難題，進一步推動邏輯晶片與記憶體晶片的製程延伸。在 AI 算力需求持續擴張的背景下，全球半導體業加速向全環繞柵極 (GAA) 晶體管及高層數 3D NAND 等架構演進。
美股雷達
美國晶片大廠英特爾 (INTC-US) 正積極布局人工智慧 (AI) 晶片市場，計劃在今年底前推出新款 AI 晶片，並採用成本相對較低的記憶體與散熱方案，藉此與輝達 (NVDA-US) 及超微 (AMD-US) 展開競爭。然而，在產品正式問世前，市場對其關鍵製程技術的進展仍抱持審慎態度。
A股
華為 (Huawei) 近日高調提出「韜定律」(Tau Law)，宣稱可透過先進晶片堆疊技術，開創一條不同於摩爾定律 (Moore's Law) 的新發展路徑。然而，多位半導體分析人士認為，華為最新技術成果雖展現中國工程實力，卻也反映中國在美國出口管制下，短期內仍難突破極紫外光 (EUV) 微影設備限制，與全球領先晶片製造商之間的差距恐將持續存在。
美股雷達
韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。
台股新聞
多家媒體週五 (21 日) 報導，半導體供應鏈人士透露，三星電子會長李在鎔 (Lee Jae-yong) 已低調赴台，試圖從全球代工龍頭台積電手中爭取聯發科作為晶圓代工客戶。李在鎔於 5 月 21 日率領高階主管團隊低調訪台，其中一項重要行程，就是與聯發科執行長蔡力行會面，討論未來合作可能性。
美股雷達
英特爾 (INTC-US) 執行長陳立武 (Lip-Bu Tan) 上任後持續推動改革，並進一步對晶片開發流程祭出更嚴格標準。在其強調鐵腕紀律與執行文化下，英特爾晶圓代工業務的良率改善速度已超出市場預期，成為推動轉型進展的重要關鍵之一。陳立武出席摩根大通全球科技、媒體與通訊大會 (JP Morgan Global Technology, Media and Communications Conference) 時表示，公司已導入全新工程文化，要求晶片首次流片就接近成功的決心。
美股雷達
英特爾 (INTC-US) 執行長陳立武 (Lip-Bu Tan) 周一 (18 日) 表示，自家晶圓代工業務正在取得重大進展，目前晶圓代工良率提升且有外部客戶展露興趣，預料將在今年下半年爭取到多名客戶。陳立武周一接受 CNBC 訪問時說：「晶圓代工非常重要。
美股雷達
谷歌 (GOOGL-US) 擬於明年下半年推出下一代 TPU 晶片 (代號 Humufish)，其封裝技術路線與供應鏈佈局正面臨關鍵考驗。知名分析師郭明錤最新披露，英特爾 (INTC-US) 為此晶片提供的 EMIB-T 先進封裝技術，目前技術驗證良率已達 90%，雖屬正向里程碑，但相較於業界量產基準的 FCBGA(良率普遍高於 98%)，從 90% 跨越至 98% 難度極高，且 Humufish 部分規格尚未定案，近中期內量產良率能否達標仍充滿變數。
美股雷達
隨著台積電 (2330-TW) 先進封裝 CoWoS 產能持續吃緊，市場開始將目光轉向英特爾 (INTC-US) 的 EMIB 封裝技術。據悉，英特爾在關鍵 EMIB 製程上已達約 90% 的高良率，顯示該技術有望在新一代人工智慧（AI）資料中心晶片中扮演更重要角色。
歐亞股
外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。