長江存儲
中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。在中美對立的大背景下，長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策，迅速提昇技術實力，NAND 銷售份額首次超過全球 10%。
A股
《彭博》周三 (22 日) 引述知情人數報導稱，長江存儲科技考慮在中國 IPO，估值可能超過 400 億美元，有望成為近年來當地最大規模上市案之一。另一家記憶體廠商長鑫存儲也規劃上市，兩家公司目標估值均為 2000 億至 3000 億人民幣。
大陸政經
記憶體晶片漲價潮蔓延到中國，一家中國存儲模組廠商負責人周一（17 日）表示，包括長江存儲在內，今年所有記憶體晶片原廠的價格都在漲。據《科創板日報》報導，一家中國存儲模組廠商負責人說，幾家記憶體晶片原廠的報價，在同一時期內都會比較接近，差異不會很大，其中「小容量 NAND 是這一輪漲價裡最先有反應的品類，也是最早反彈的品種。
A股
中國記憶體巨頭長江存儲控訴美光科技 (MU-US) 侵權 3D NAND 一案取得重大進展。美國法院 26 日駁回了美光稱為「高度機密原始碼的 73 頁資料」證據無法向原告公開的訴求，這意味著美光需向長江儲存提供原始碼材料。此前，長江儲存在美國主動起訴美光的 3D NAND 產品侵犯其專利，美光反訴長江儲存專利侵權。
科技
據大陸科技媒體《芯通社》報導，半導體巨頭三星電子近日宣布，已與中國儲存晶片製造商長江儲存 (YMTC) 簽署一項關鍵專利授權協議，涉及下一代 3D NAND 快閃記憶體的核心封裝技術－混合鍵結 (Hybrid Bonding)。報導稱，此舉標誌著三星在突破 400 層 NAND 技術瓶頸的關鍵節點上，選擇了與中國本土企業深度合作，而非傳統的技術對抗路徑。
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TechInsights 分析顯示，長江存儲已開始出貨其第五代 3D NAND 儲存 晶片，該晶片共有 294 層，有 232 個有效層。新晶片的位元密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²)，與 SK Hynix 目前的產品相當，接近 Kioxia / 西部數據的最新產品。