SK海力士
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南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布，將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時，SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告，目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。
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SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，正尋求深化與日本客戶及供應商在記憶體產業的合作，以共同開發NAND Flash市場。郭魯正周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)出席新廠動工儀式後受訪時說：「我們正非常審慎的評估如何與客戶及供應商共同開發NAND Flash市場。
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《巴隆周刊》報導，中國 2023 年封殺美光科技 (MU-US)，當時被視為對美光的沉重打擊，如今卻可能讓美光因禍得福。由於禁令迫使美光提早降低中國營收比重，面對中國記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 崛起，美光受到的衝擊反而可能小於三星電子與 SK 海力士。
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中國記憶體業者長鑫科技(688825-CN) 在LPDDR6記憶體布局傳出重大進展。隨著小米(01810-HK) 自研晶片「玄戒O3」（Xring O3）成為首款支援LPDDR6 RAM的系統單晶片（SoC），長鑫科技據傳已從新一代記憶體研發驗證階段進一步邁向量產，並可能成為小米的重要供應商。
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在人工智慧(AI)熱潮推動下，南韓股市過去一年大部分時間都是全球最火熱的股市之一，然而這波行情後來瓦解，短短六周崩跌四成，為重押AI產業的投資人敲響警鐘。。華爾街日報(WSJ)報導，在這波瘋狂走勢中，30歲英語教師尹在怡(Yoon Jae-Yi，音譯)損失了1.9萬美元。
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南韓與晶片股掛鉤的槓桿ETF本月迄今資金已流出近10億美元，顯示隨著投資人對人工智慧(AI)交易的熱情降溫，加上監管機構加強措施抑制需求，市場資金開始撤離。根據彭博彙整的數據，與三星電子掛鉤的槓桿產品8月至今資金流出3.81億美元，而追蹤SK海力士(SK Hynix)的產品則流出6.01億美元。
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AI 浪潮正深度重塑全球新興市場的投資格局。根據晨星(Morningstar)最新研究報告，半導體三巨頭——台積電(2330-TW)(TSM-US)、三星電子與 SK 海力士(SKHY-US)，目前已占晨星新興市場目標市場曝險指數權重達 26.7%。
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三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正同步加快在中國的NAND快閃記憶體布局，兩家南韓記憶體大廠計畫在明年前陸續完成新一輪設備投資，鎖定人工智慧（AI）伺服器帶動的高階儲存需求成長。根據《ZDnet》報導，三星電子已具體化西安廠第9代NAND轉換投資計畫，並確定追加設備投資方案，相關設備採購訂單預計在今年底前敲定，補充投資則規劃於明年下半年啟動。
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南韓兩大記憶體晶片廠三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 正加大中國 NAND 快閃記憶體產能投資。業界消息指出，兩家公司計畫明年積極推進中國 NAND 生產線設備投資，其中三星將擴充西安廠先進 V9 NAND 產能，SK 海力士則重啟大連二廠擴產，規劃新增每月約 3 萬片晶圓產能。
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三星電子股價周一(24日)重挫逾 8%，主因是公司最新公布的歷史級股東回饋計畫缺乏未來股票買回的具體細節，未能滿足市場預期。投資人失望性賣壓，也拖累整體半導體族群。三星股價全天下挫，收盤大跌8.7%，也導致原本開盤微幅上漲的SK 海力士股價受波及，由漲轉跌，收盤挫3.4%。
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3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
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隨著記憶體晶片成本飆升，輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知，稱搭載輝達人工智慧（AI）晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。根據《彭博》報導，知情人士透露，這波漲價預計適用於明年初出貨的系統，包括搭載輝達最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。
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綜合外媒周五(21日)報導，三星電子宣布史上最大規模股東回饋計畫，預計2026年向投資人返還90兆至110兆韓元(約651億至795億美元)，透過現金股利、股票回購及註銷等方式，分享人工智慧(AI)熱潮帶來的獲利成果。繼SK海力士(SKHY-US)日前宣布40兆韓元股票回購計畫後，南韓兩大記憶體晶片巨頭接連大手筆回饋股東。
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南韓企劃財政部週五(21日)宣布，將設立「未來基金」，把本輪AI帶動半導體超級週期所湧現的增量稅收導入長期戰略投資，而非拿去發消費券或單純補洞還債。官方將此稅收定名為「意外超額財政收入」(windfall revenue)，指的是因產業超級週期等結構性變化、稅收衝破長期趨勢線的增量。
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SK海力士正在推進一項方案，計劃斥資數十兆韓元在日本東北部宮城縣興建記憶體晶片廠，韓國半導體企業在日本大規模投資設立本地生產基地，尚屬首例。據《Investing.com》周四（20日）引述《韓民族日報》報導，一位商界知情人士透露：「SK集團會長崔泰源近期已親自視察該地區。
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三星電子與SK海力士下一年度獲利預期在本月中迎來數月來首次下修，為火熱半年的記憶體超級週期敘事澆了一盆冷水。根據金融資訊機構FnGuide統計逾三家券商預測，截至周二(18日)，三星電子2027年營業利潤預期為544.67兆韓元，較上月底的549.913兆韓元回落約5.2兆，SK海力士2027年預期同步從402兆降至399兆韓元。
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南韓SK海力士聯合維吉尼亞大學等機構周四(20日)在頂尖期刊《自然‧電子學》發表題為《高效能運算與人工智慧的共封裝光學元件(CPO)」的論文，提出「以光為中心」架構，即透過光子中介層直接連接記憶體與處理器。SK海力士表示，CPO是系統級HBM創新規模化的關鍵，隨著AI系統規模持續擴大，光互連的重要性將與日俱增，未來將擴大與客戶及生態夥伴的開放合作，加速AI基礎設施創新。
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AI算力高速擴張，但限制大型AI系統效能的瓶頸，正從晶片算力轉向「資料搬不動」。HBM大幅提升GPU周邊記憶體頻寬後，加速器、板卡與機架之間的資料傳輸成為下一道「頻寬牆」。SK海力士(000660KS) (SKHY-US) 士因此將技術布局從HBM延伸至共同封裝光學（CPO），試圖把光搬進封裝，突破AI系統互連瓶頸。
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AI驅動的HBM超級週期，正把南韓半導體雙雄的現金創造力推向前所未有的高度，股東回報也進入上兆韓元級的軍備競賽。《MoneyToday》報導，三星電子計畫8月底前召開董事會，敲定一項總額超100兆韓元(約717億美元)的股東回報計畫，擬將50%自由現金流回饋股東，形式以特別現金分紅為主，公佈後還將視現金流狀況追加。
台股新聞
SK海力士(SKHY-US)昨日宣布砸40兆韓元買回自家股票，並提高股東回饋計畫，此舉激勵SK海力士ADR上漲表態，韓國上市現股也飆漲近15%，帶動台灣記憶體族群同步走強，指標股南亞科(2408-TW)大漲7%，重返500元大關，華邦電(2344-TW)等業者也都有4%以上的漲幅，表現相對突出。