三星
三星電子周四(8日)公布第3季初步財報，再度刷新紀錄，營業利益達107.4兆韓元(約802億美元)，史上首度突破100兆韓元大關，顯示記憶體晶片價格飆升，加上人工智慧(AI)基礎建設持續獲得大筆投資，正推升其獲利。三星截至9月的第3季營業利益較去年同期躍增782%，但略低於分析師平均預估的108.7兆韓元。
美股雷達
SK海力士(000660-KR)(SKHY-US)美國存託憑證(ADR)周三(7日)迎來閉鎖期屆滿，公司、關係企業與管理階層的持股出售限制解除。在市場質疑記憶體熱潮能延續多久之際，潛在賣壓也讓ADR高額溢價面臨考驗。據《彭博》報導，目前沒有跡象顯示SK海力士計劃仿效近期部分亞洲AI企業增發股票，但其ADR周一已創三周來最大跌幅。
歐亞股
韓國會議員辦公室透露，追蹤南韓兩大半導體巨頭的槓桿型指數股票型商品，在短短幾個月內，估計讓散戶投資人損失達2.3兆韓元（約17億美元）。這是此類押注的風險規模首度曝光。南韓在野黨國民力量黨議員崔恩碩(音譯，Choi Eun-seok)辦公室表示，5月27日至8月14日期間，南韓10家券商的客戶因投資連結三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 的單一股票ETF及交易所交易票據（ETN），合計蒙受上述損失。
美股雷達
超微(AMD-US)執行長蘇姿丰(Lisa Su)計劃周三(7日)在南韓與三星電子半導體事業負責人會面，是這兩位人工智慧(AI)產業關鍵人物最近一次面對面交流。知情人士透露，這是蘇姿丰七個月內第二度造訪首爾，屆時將與負責關鍵晶片事業的三星電子副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)會面。
台股新聞
今年，韓國與台灣在全球 AI 投資熱潮中躍居領先地位。隨著股市投資人進入這個關鍵年度的最後階段，台股正成為更具吸引力的投資選擇。台灣加權指數(TWII) 上季表現領先南韓綜合指數(KOSPI) 約 23 個百分點，差距創本世紀以來最大。台股獲利預估上修幅度也自 2025 年 3 月以來，首度超越韓股。
美股雷達
市場普遍預判，三星、SK海力士、美光及長鑫存儲集體擴產將導致2027年記憶體過剩、價格崩盤，但美光最新第四財季業績的炸裂數據直接推翻這一慣性認知，本輪記憶體上行周期比想象中更猛、更持久，2027年大概率維持供不應求。美光在第四財季營收542億美元，季增31%，淨利潤高達384億美元，毛利率飆至87%，本財季指引營收615億美元，毛利率維持86%超高水平。
大陸政經
近年來，越南經濟快速發展，但基礎建設弱點日益凸顯。近期，一場前所未有的「用電荒」正席捲這個東南亞國家，全國用電量突破11億千瓦時，電網負載逼近極限。為因應危機，越南工貿部出台史上最嚴節電政令，導致富士康、三星、佳能等共計1.1萬家企業深陷限電困境，多地生產線被迫按下暫停鍵。
科技
南韓《每日經濟》周五(2日)報導，三星電子正與主要客戶就2027年HBM4記憶體供應合約進行價格談判，尋求將每1Gb單價定在4-5美元區間的中高位，也就是1Gb至少4.5 美元。報導指出，三星HBM3E記憶體目前單價在1.5 美元左右，明年的HBM4合約價格料將為這一金額的3 倍。
美股雷達
據韓國《每日經濟》週五 (2 日) 報導，三星向主要客戶提出的 2027 年 HBM4 供貨報價，落在每 Gb 4 美元的中高價位，超過目前 HBM3E 約 1.50 美元的 3 倍。三星電子 (005930-KR) 擬以新一代高頻寬記憶體 (HBM4) 的效能優勢拉高售價，挑戰 SK 海力士主導的市場格局。
歐亞股
南韓三星電子在記憶體晶片持續短缺下將Galaxy S26系列多數機型售價上調，將記憶體與NAND成本壓力轉嫁消費者，成為消費科技品牌漲價的最新案例。在本次漲價中，Galaxy S26、S26+和S26 Ultra各漲100美元，售價分別升至1000美元、1200美元和1400美元，Ultra的1TB頂級版漲200美元至2000美元。
歐亞股
三星電子(005930-KR)調漲多數Galaxy S26系列手機售價，主要機型均增加100美元，最高容量版本則漲200美元。AI熱潮與資料中心建置持續排擠記憶體供應，消費電子品牌正將成本壓力轉嫁給消費者，手機漲價潮也從蘋果、Google延伸至三星。
台股新聞
台灣三星電子今(1)日舉辦旗艦平板Galaxy Tab S12系列台灣上市發表會，台灣三星電子行動通訊事業部總經理陳啓蒙指出，台灣整體智慧型手機市場呈現量縮價揚走勢，但平板市場因AI功能以及取代筆電需求，前8月整體市場銷售量與銷售額均繳出3%至5%的成長成績，並希望在新品帶動下，全年平板銷售額年增20%。
歐亞股
三星電子(005930KS) 晶圓代工事業虧損有望明顯收斂。市場原先認為，DRAM價格上漲與2奈米晶圓訂單增加，將有助三星改善晶圓代工業務表現，但最新分析指出，隨著高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，HBM已成為三星縮減年度虧損的重要支柱。《Wccftech》引述《Digital Daily》報導指出，Kiwoom Securities最新分析預估，三星非記憶體事業的年度營業虧損將從2025年的6.74兆韓元（約51億美元），降至2026年的3.92兆韓元（約29.5億美元），年減約41.8%。
歐亞股
今年第三季(9月30日止)，南韓股市遭遇劇烈反轉，綜合股指(Kospi)暴跌18.8%，成為同期全球表現最差的主要股市之一，這場拋售潮發生在AI交易突然逆轉之後，此前押注AI基礎設施需求的熱門標的三星電子和SK海力士等記憶體晶片股成重災區。儘管如此，Kospi今年來仍累計上漲60%，表現位居全球前列。
歐亞股
AI需求推動存儲廠商加碼HBM，傳統DRAM供應承壓。三星高層預計明年HBM將佔全球DRAM晶圓總產能近三成，市場研究機構同時上調2027年HBM價格預期。三星電子執行副總裁Kim Taewoo 29日（周二）表示，預計明年HBM將佔DRAM廠商晶圓總產能近30%，目前約20%。
美股雷達
人工智慧(AI)基礎建設投資火爆，三星電子和旗下公司周二(29日)宣布，將投資輝達(NVDA-US)和KKR合資的AI基建商Helix Digital Infrastructure，合計投入10億美元。三星電子將出資5億美元，其餘金額來自旗下五家公司，包括三星物產(Samsung C&T)、三星SDS、三星SDI、三星人壽(Samsung Life Insurance)和三星火災海上保險(Samsung Fire & Marine Insurance)。
國際政經
三星電子正加速興建平澤第五園區（P5）首條量產生產線（Ph1），正與核心設備廠商協商將該生產線設備安裝節點提前，從原定明年第三季提前至明年第二季。一期設備安裝預計明年5、6月啟動，二期NAND快閃記憶體投資方案也正在研討。市場解讀這是三星電子為應對AI領域高價值DRAM、NAND快閃記憶體需求激增、確保產能的舉措。
國際政經
「如果客戶開始要求簽訂10年的供應協議，你怎麼還能對記憶體晶片持悲觀態度？」韓國大信證券在最新報告中如此反問。隨著AI資料中心建置加速，記憶體晶片客戶正把採購規劃拉長至5年，甚至提出簽訂最長10年的供應協議，以確保未來取得足夠的高頻寬記憶體（HBM）與DRAM。
歐亞股
人工智慧（AI）需求強勁成長，加上新一代記憶體技術持續推進，南韓兩大晶片巨頭三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正處於全球半導體景氣循環核心。隨著兩家公司第3季財報公布在即，市場高度關注其獲利表現，藉此觀察當前AI投資熱潮能否持續轉化為半導體企業的實際獲利。
歐亞股
南韓股市今年上半年在散戶資金與人工智慧（AI）熱潮推動下強勢上漲，但近期散戶資金持續撤出，市場資金結構正逐步轉變。南韓新榮證券（Shinyoung Securities）研究中心負責人Kim Hak-kyun指出，散戶先前抵銷外資賣壓的局面正在改變，未來南韓綜合股價指數（KOSPI）能否反彈，外資動向將成為重要關鍵。