三星
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韓國電力公社（KEPCO）為填補電網擴建資金缺口，已向三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 提出方案，要求兩家公司預付未來5年、合計25兆韓元（約181億美元）的電費。若方案成行，將是韓國電力首度把既有預付電費機制，轉化為大規模電網建設的融資工具。
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南韓政府正把AI抬到國家戰略高度，7月宣佈到2029年建成8.4GW資料中心算力、投資9190億美元，2035年擴大至18.4GW，對此專家表示，數兆韓元籌碼的流向遠比「振興本土」複雜，三星與SK海力士未必完全受惠，輝達則是最大贏家。專家指出，南韓無先進AI加速器自主供應商，Rebellions、FuriosaAI在部署規模、軟體成熟度上仍難匹敵輝達。
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三星電子在 SEMICON Taiwan 2026 期間公布新一代高頻寬記憶體（HBM）與下一世代儲存架構布局，從 HBM5、zHBM 到 zNAND-O，涵蓋高頻寬、高容量、低功耗與散熱等方向，顯示三星正加速布局AI基礎設施所需的下一代記憶體技術。
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三星電子在SEMICON Taiwan 2026國際半導體展上披露新一代高頻寬記憶體（HBM）及下一代記憶體架構的詳細技術路線圖，涵蓋HBM5、zHBM及zNAND-O等多項先進技術，顯示這家南韓記憶體巨頭在AI基礎設施記憶體市場的長期布局。
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據南韓經濟日報（SEDaily）周一(8/31)報導，隨著AI基礎建設對高頻寬記憶體（HBM）需求持續飆升，三星電子已將高達70%的記憶體產能透過長期供應協議（LTA）鎖定，合約期限延伸至2031年。這項策略正在深刻改變傳統記憶體市場的週期性特徵，同時也導致現貨市場價格與長期合約價格之間出現高達4至5倍的巨大價差。
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人工智慧（AI）建設熱潮引爆高頻寬記憶體（HBM）需求，並排擠傳統DRAM供給、加劇記憶體缺貨。據《首爾經濟日報》31日（周一）報導，三星記憶體業務部門已將2031年前約70%產能分配給長約訂單（long-term agreements，簡稱LTAs），主要簽約客戶包括輝達(NVDA-US) 、微軟(MSFT-US) 、Google等大型科技公司。
台股新聞
研調機構TrendForce今(1)日釋出最新記憶體產業研究，NAND Flash原廠為達成獲利最大化、優化產品組合，全面擴大供應高毛利的enterprise SSD產品。在出貨量、合約價格同步飆升的情況下，2026年第二季全球前五大enterprise SSD品牌合計營收已接近375.9億美元，季增幅度高達103.6%。
台股新聞
人工智慧（AI）晶片需求持續強勁，正重新改變全球晶圓代工市場的定價格局。三星電子(005930KS) 率先調高部分先進與成熟製程報價後，市場預期台積電(2330-TW) 也將跟進，旗下各製程價格可能全面上調10%至15%。分析指出，在先進產能供不應求、AI需求強勁的背景下，晶圓代工龍頭的議價能力正進一步提升。
美股雷達
人工智慧（AI）浪潮正重新改寫半導體產業的供需結構，過去高度仰賴景氣循環、價格波動劇烈的記憶體市場，如今因高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，以及大型雲端服務商提前鎖定產能，逐漸從傳統「商品型」半導體轉變為AI基礎建設的核心環節。Gartner 4月預估，全球記憶體營收將從2025年的2163億美元，大增至2026年的6333億美元，占整體1.32兆美元半導體市場約48%。
美股雷達
人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，除了帶動輝達(NVDA-US) 等AI晶片需求，也讓記憶體市場迎來罕見的供需緊張。美銀全球研究（BofA Global Research）最新報告指出，在輝達釋出2027年營收成長約70%的展望之際，記憶體產業的成長幅度甚至可能更高，若價格漲勢延續，全球DRAM銷售額增幅有機會超過80%。
美股雷達
中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術，但在龐大內需、政策與資本投入，以及供應鏈國產化推動下，已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。摩根士丹利指出，中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」，真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。
科技
三星電子(005930-KR)周四(27日)發表Galaxy S26 FE，鎖定希望以低於旗艦機種的價格，取得部分高階功能的消費者。不過，新機售價不僅調高，處理器、記憶體、相機及裝置端人工智慧(AI)功能也有所取捨，市場定位顯得略為尷尬。Galaxy S26 FE售價700美元，較前一代上漲50美元。
歐亞股
三星電子(005930KS) 正加速布局AI晶片先進封裝，並揭露面板級封裝（PLP）、玻璃基板與混合鍵結等技術路線圖，計畫將已用於行動裝置的PLP技術延伸至AI伺服器市場，商用時程預估落在2028年前後；玻璃基板最快可能於2029年商用，但2030年前後被認為更為實際。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，中國 2023 年封殺美光科技 (MU-US)，當時被視為對美光的沉重打擊，如今卻可能讓美光因禍得福。由於禁令迫使美光提早降低中國營收比重，面對中國記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 崛起，美光受到的衝擊反而可能小於三星電子與 SK 海力士。
歐亞股
中國記憶體業者長鑫科技(688825-CN) 在LPDDR6記憶體布局傳出重大進展。隨著小米(01810-HK) 自研晶片「玄戒O3」（Xring O3）成為首款支援LPDDR6 RAM的系統單晶片（SoC），長鑫科技據傳已從新一代記憶體研發驗證階段進一步邁向量產，並可能成為小米的重要供應商。
科技
研調機構 Counterpoint Research 最新研究指出，受零組件成本上升、低價智慧型手機供應減少及消費者購買力承壓影響，2026年全球智慧型手機出貨量預估年減14.3%。市場壓力預計延續至2027年，出貨量再下滑1.4%，並於2028年恢復成長。
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三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正同步加快在中國的NAND快閃記憶體布局，兩家南韓記憶體大廠計畫在明年前陸續完成新一輪設備投資，鎖定人工智慧（AI）伺服器帶動的高階儲存需求成長。根據《ZDnet》報導，三星電子已具體化西安廠第9代NAND轉換投資計畫，並確定追加設備投資方案，相關設備採購訂單預計在今年底前敲定，補充投資則規劃於明年下半年啟動。
歐亞股
南韓兩大記憶體晶片廠三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 正加大中國 NAND 快閃記憶體產能投資。業界消息指出，兩家公司計畫明年積極推進中國 NAND 生產線設備投資，其中三星將擴充西安廠先進 V9 NAND 產能，SK 海力士則重啟大連二廠擴產，規劃新增每月約 3 萬片晶圓產能。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
美股雷達
隨著記憶體晶片成本飆升，輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知，稱搭載輝達人工智慧（AI）晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。根據《彭博》報導，知情人士透露，這波漲價預計適用於明年初出貨的系統，包括搭載輝達最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。