中國技術落後ASML 15年的時間 為何還能在製造領域突破封鎖？

儘管長期受到美國晶片出口限制，中國在自主晶片技術及人工智慧（AI）領域持續取得突破，部分大型科技項目甚至已追上美國技術進度，引發關注。

根據《時代》雜誌報導，這是因為中國善用現有硬體資源與電力優勢提升 AI 模型運行效率。不過，在高階曝光機受限下，其晶片仍被限制在 7nm 節點，顯示供應鏈與核心設備仍是中國追趕美國路上的關鍵挑戰。

過去，先進半導體產品多由美國及其盟國主導，尤其在高性能算力晶片領域，美國輝達 (NVDA-US) 與超微半導體 (AMD-US) 幾乎壟斷市場。

此外，台積電 (2330-TW) 、艾司摩爾 (ASML-US) 及應用材料 (AMAT-US) 等先進製造設備公司，也在美國壓力下被禁止向中國出口關鍵晶片和製造設備。

然而，2024 年 11 月，Google 前執行長施密特在哈佛政治研究所論壇指出，美國在開發更強大 AI 技術的競賽中，已明顯落後於中國。

此外，在美國川普與拜登政府對高性能晶片實施出口管制後，多個中國大型科技項目更是已追上美國技術進度。

針對中國技術的快速追趕，美國創新諮詢研究員古普塔接受《時代》雜誌採訪時就表示，中國善於利用現有硬體產品，透過技術調整提升運行效率，降低對美國技術依賴。

他指出，中國在電力資源供應方面具優勢，有利於 AI 模型訓練，而美國在此方面則顯得力不從心。

然而，美國技術安全中心領導海姆指出，儘管中國晶片技術追趕快速，美國的領先優勢逐步縮小，但曝光機封鎖仍使中國晶片被限制在 7nm 節點，顯示供應鏈差距依然存在。

曝光機成為中國晶片「卡脖子」核心

曝光機設備的先進程度直接影響晶片製程與性能，是半導體產業中最關鍵的環節。據統計，曝光機耗時占晶片製造約 50%，成本約占三分之一。

雖然中國曝光機產業起步較早，但與國際領先水準仍有差距。高階曝光機已能製造 3nm 晶片，而中國仍在 14nm 向 7nm 過渡階段，代差明顯。

艾司摩爾現任執行長富凱表示，中國企業在半導體領域取得進展，但與艾司摩爾的本土設備相比，仍落後 10 至 15 年。

此外，中國晶片製造技術也落後於台積電與三星。中國雖已購置可出口的艾司摩爾曝光機製造 7nm 晶片，但缺乏 EUV 曝光機，使晶片技術仍受限於 7nm 節點。

分析指出，半導體製造是一項長期且高度複雜的工程，先進曝光機作為核心生產設備，對晶片製程提升至關重要，其技術優勢難以被其他手段輕易取代。

自 2023 年第三季起，中國市場已連續多個季度成為艾司摩爾最大的單一市場，占其總營收超過 40%。

艾司摩爾首席財務長達森指出，交付給中國企業的曝光機均符合美國與荷蘭出口規範，最終採購地都是中國成熟晶圓廠。

中國國產曝光機與自主晶片崛起

目前，中國製成熟晶片在國際市場占據超過五分之一，不僅成為全球最大晶片製造國，也躍升為國際重要晶片供應來源。完整而強大的供應鏈，使中國成熟晶片逐步成為全球半導體產業的基石。

同時，中國本土企業也在曝光機技術方面持續累積經驗，積極研發先進前端曝光設備。

其中，上海微電子旗下芯上微裝公司今年首次亮相灣芯展，專注將自主研發的曝光機快速推向市場，目前已向相關企業交付約 500 台封裝用曝光機。

公司人員表示，芯上微裝將持續專注於高階國產曝光機的研發與量產，期望推動中國曝光機產業商業化，並帶動整個國產半導體供應鏈發展。