加速建設平澤廠！三星豪賭HBM4市場 「膽小鬼遊戲」再度上演？

南韓三星電子正加速建設位於平澤的第五家工廠，施工準備工作已啟動，工人們忙著搬運鋼結構並接受安全培訓，該工廠最快 10 月全面開工。此前，由於半導體業績不佳、記憶體訂單不足，三星電子調整設備投資時機，放慢了建設步伐，原本去年啟動的建設計畫推遲至今。

三星電子平澤工廠佔地 289 萬平方公尺，是全球最大半導體生產基地，共有六處廠房。自 2017 年第一家工廠投入運營以來，第四家工廠的部分廠房現已投入運營，而去年隨第五工廠一起延期的第四工廠剩餘生產線也正在準備復工，預計下個月開始垂直鋼結構安裝。

三星電子平澤廠將配備一條 10 奈米第六代 (1c)DRAM 生產線，擬 1c 製程批量生產用於第六代產品 HBM4 的 DRAM。近期，三星已通過 HBM4 的內部量產審批，並準備進行樣品生產，以便與客戶進行供貨談判。

三星電子正積極推動高頻寬記憶體 (HBM) 市場的重大轉型，在董事長李在鎔的支持下，副董事長全永鉉為投入全部精力，希望重奪記憶體霸主地位。

業內人士上周三 (3 日) 透露，三星電子正在量產其第六代 HBM(HBM4)樣品，產量約為 1 萬片晶圓，但良率尚未達到高水平。

三星電子的 HBM4 核心晶片採用 10 奈米級第六代 (1c)DRAM，而 SK 海力士和美光與其第五代 HBM(HBM3E) 一樣，採用 10 奈米級第五代 (1b)DRAM，第六代 DRAM 尚未完全成熟，三星電子與競爭對手相比處於劣勢，但三星電子利用卓越的極紫外線(EUV) 製程和壓倒性的產能，搶先採用下一代 DRAM，即便初始產量低，也要生產 HBM4 樣品，以彌補成熟度不足。

三星電子打算盡可能取得高品質 HBM4 晶片，以便與競爭對手同步進入輝達的供應鏈。SK 海力士 3 月向輝達交付了 HBM4 樣品，美光則於 6 月交付，三星電子預計將於 7 月左右出貨，若能瞄準今年第一季，預計將取得幾乎相同的開局。

在定價方面，三星電子也做出激進決策。由於 HBM4 生產需外包基礎晶片、減少淨晶片數量以及增加輸入 / 輸出端子，生產成本顯著增加，業內人士估計 12 層 HBM4 的價格將比 12 層 HBM3E 高出 6 到 7 成。

SK 海力士希望能有至少 30-40% 的單價溢價，但輝達希望更低價格，三星則考慮低於 20% 的溢價，幾乎不留利潤空間。

三星電子會長李在鎔此前赴美出差期間會見輝達執行長黃仁勳，積極展現對 HBM 合作的決心，外界目前關注有雄厚財力和產能優勢的三星電子是否會重演記憶體市場的「膽小鬼遊戲」。