三星電子
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三星電子周四 (28 日) 公布財報,第 4 季獲利成長超過兩倍,創下歷史新高且打敗分析師預期,顯示記憶體晶片短缺和人工智慧 (AI) 的強勁需求,正帶來利多,三星股價周四盤初一度上漲 2.58%,一度轉跌,截稿前又翻紅小漲。Q4 財報關鍵數字 vs 分析師預期營收:93.8 兆韓元 (655.8 億美元) vs 93.318 兆韓元營業利益:20.1 兆韓元 vs 20.018 兆韓元三星上季營收年增 24%,創歷史新高,營業利益年增超過兩倍。
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南韓記憶體雙雄三星電子 (Samsung Electronics) 與 SK 海力士 (SK Hynix) 罕見都選在本周四 (29 日) 這一天公布財報,象徵兩家公司在人工智慧 (AI) 記憶體晶片領域的高風險競賽,正進入關鍵時刻。SK 海力士將於周四上午 9 點在首爾舉行財報說明會,三星則在上午 10 點接棒。
科技
《韓聯社》周三引述消息人士報導,SK 海力士已獲得美國科技巨頭輝達超過三分之二的高頻寬記憶體 (HBM) 供應訂單,這些訂單將用於今年生產的 Vera Rubin 平台。消息人士透露,輝達已將用於 Vera Rubin 的 HBM4 需求的約 70% 訂單分配給 SK 海力士,高於市場此前預估的約 50%。
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據南韓《朝鮮日報》周三 (14 日) 報導,市場調查機構 Omdia 最新公佈調查數據顯示,今年三大 DRAM 原廠的晶圓總產出將達 1,800 萬片,同比增長約 5%,但仍難以滿足市場的需求。其中,三星電子 (Samsung) 計畫在 2026 年將 DRAM 的晶圓產量提升至 793 萬片,較 2025 年的 759 萬片成長約 5%。
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根據《路透》周三 (14 四) 報導,在人工智慧 (AI) 基礎建設需求持續升溫、記憶體供給日益吃緊之下,美國散戶投資人近期大舉加碼記憶體與資料儲存晶片類股,帶動相關個股今年以來持續吸引資金流入。市場預期,AI 伺服器與消費性電子產品對高效能記憶體的需求,將在未來數年推升價格並支撐產業景氣。
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南韓 SK 海力士正積極押注記憶體晶片熱潮,計劃在本國投資 130 億美元新設一座處理器封測廠,競爭對手美光 (MU-US) 周二 (13 日) 股價應聲下挫逾 2%。SK 海力士周二宣布,將在首爾南方的清州建造一座先進的人工智慧 (AI) 晶片封裝與測試工廠。
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根據外媒周三 (7 日) 報導,輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳本周在消費性電子展 (CES) 發表主題演講時指出,記憶體將成為人工智慧 (AI) 時代的重要價值來源,相關說法引發市場對記憶體與儲存產業前景的高度關注,並帶動相關個股走強。
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綜合外媒周三 (7 日) 報導,美國晶片設計大廠高通 (QCOM-US) 正與三星電子洽談採用最新 2 奈米製程進行晶片代工的可能性,顯示三星在先進製程領域的競爭力正逐步回升。高通執行長艾蒙 (Cristiano Amon) 近日在南韓媒體訪問中證實,已率先與三星電子展開相關討論,並表示晶片設計工作已完成,目標在不久後實現商業化。
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《CNBC》周二 (6 日) 報導,全球半導體類股在新年開局表現強勁,其中以記憶體晶片大廠領漲最為明顯。隨著人工智慧 (AI) 相關需求持續推升,加上供應偏緊,市場對記憶體價格上漲的預期升溫,帶動投資人信心回溫。南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 與三星電子 (Samsung Electronics) 今年以來股價分別上漲約 11.5% 與 15.9%,美國記憶體大廠美光 (MU-US) 同期漲幅也約 9%。
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全球記憶體晶片供應持續吃緊,在人工智慧 (AI) 基礎建設需求帶動下,投資人押注價格續漲,相關類股周一 (5 日) 全面走揚。市場預期,供給緊俏態勢短期內難以緩解,推升記憶體族群投資吸引力。三星電子共同執行長盧泰文 (TM Roh) 日前接受《路透》專訪時形容,此次記憶體短缺「前所未見」,並呼應同業看法指出,供給受限的情況可能持續數月,甚至延伸至數年。
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三星電子在高頻寬記憶體市場傳出關鍵突破,市場對其下一代 HBM4 產品的競爭力與市占前景重新評價。三星電子共同執行長暨晶片事業負責人全永鉉在新年致辭中表示,客戶對 HBM4 展現出的差異化競爭力給予高度肯定,並以「三星回來了」形容市場回饋。相關表態提振投資信心,帶動三星電子股價強勢走高。
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印度政府周五(2 日)宣布,已批准總價值 4,186.3 億盧比(約 46.4 億美元)的電子元件製造投資案,盼打造本地供應鏈,減少對中國依賴,包含三星電子、塔塔電子及鴻海等大廠都在名單內。印度資訊科技部表示,這次所批准的 22 個投資案,都將納入電子元件製造補貼計劃,該計劃總預算 2,291.9 億盧比。
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《路透》報導,美國記憶體晶片大廠美光 (Micron Technology) 公布最新財測,釋出遠優於市場預期的獲利展望,受惠高頻寬記憶體 (HBM) 價格飆升與人工智慧 (AI) 資料中心需求強勁,美光股價周四 (18 日) 盤前一度大漲逾 10%,再度點燃市場對 AI 記憶體供不應求的想像空間。
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全球記憶體晶片巨頭美光科技 (MU-US)上周三 (3 日) 突然宣布一項令業界震驚的策略調整,徹底退出消費記憶體業務。根據官方聲明,旗下知名記憶體及固態硬碟品牌 Crucial(英睿達)產品線將於明年 2 月前全面撤出市場通路。這一決定離消費級儲存產品價格全線暴漲的周期僅數月之隔,且未預留充足清庫時間,被業內視為「緊急避險式撤退」。
中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭,引發全球矚目,長江存儲科技作為業內新興力量,取得了令人矚目的成就,其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層,接近三星電子水準,這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。在中美對立的大背景下,長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策,迅速提昇技術實力,NAND 銷售份額首次超過全球 10%。
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南韓媒體《Sedaily》周一 (1 日) 援引消息人士報導,隨著 DRAM 價格飆升,三星半導體拒絕與 Galaxy 手機部門簽訂長期合約。三星電子半導體 (DS) 部門拒絕行動體驗 (MX) 事業部的記憶體半導體長期供應請求,正調整生產線,重點生產 AI 加速器使用的高頻寬記憶體 (HBM) 和行動用低功耗 DRAM(LPDDR)等高利潤產品來將收益最大化。
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根據市場追蹤機構 Omdia 周五 (28 日) 公布數據,SK 海力士在 2025 年第三季的全球動態隨機存取記憶體 (DRAM) 市場中位居銷售額榜首,這已是這家公司連續第三季保持市場第一王座。數據顯示,SK 海力士在第三季的全球 DRAM 市場銷售額中,市占為 34.1%。
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南韓政府周四 (27 日) 正式成立一個聯合工作小組,成員涵蓋了三星電子、現代汽車集團等多家領先企業,旨在推進全國性的 AI 基礎設施建設計畫。此項計畫的核心是利用美國晶片巨頭輝達 (NVDA-US) 將供應的 26 萬塊圖形處理單元 (GPU)。
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南韓晶片製造商三星電子和 SK 海力士的股價周一 (17 日) 大幅上漲,此前當地媒體報導指出,兩家公司的晶片庫存大幅下降,顯示市場需求強勁,價格可能上漲。截至收盤,三星電子股價上漲 3.5%,至 100600 韓元,SK 海力士股價上漲 8.2%,達 606000 韓元。
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受全球人工智慧 (AI) 資料中心建設熱潮的強勁需求影響,目前部分用於伺服器的記憶體晶片供應嚴重短缺。根據《路透》引述兩位了解漲價情況的消息人士透露,全球最大的記憶體晶片製造商三星電子已於本月,將這類晶片的價格較 9 月上調了高達 60%。據報導,這類價格飆升的記憶體晶片主要用於伺服器。