長鑫存儲積極尋找記憶體國產替代方案！HBM3E良率僅20%至30%仍拚量產、落後SK海力士一個世代

中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 計畫在未來兩個月內啟動高頻寬記憶體（HBM）HBM3E有限量產，即使目前產品良率僅約20%至30%，遠低於南韓競爭對手SK海力士(000660KS) 的約70%，仍決定推進生產，凸顯中國在美國出口管制下，急於突破AI記憶體供應瓶頸的壓力。

根據《路透》報導，知情人士透露，長鑫存儲已向多家中國本土AI晶片設計商送交HBM3E樣品，並計畫在未來兩個月內開始有限量產。

長鑫存儲是中國最大的動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商，HBM則是將多層記憶體晶片垂直堆疊，以加快與AI處理器之間的資料傳輸速度，是訓練及執行大型語言模型所需的關鍵零組件。

中國AI晶片業者正積極尋找國產替代方案，以降低對輝達(NVDA-US) AI處理器的依賴。分析指出，長鑫存儲即使面臨低良率，仍決定推進HBM3E生產，原因正是中國AI晶片廠難以取得足夠的先進記憶體。

良率是指生產過程中符合規格的晶片占比。長鑫存儲目前HBM3E良率僅約20%至30%。相較之下，全球HBM市場領導者SK海力士的良率約為70%。

知情人士表示，長鑫存儲預期其HBM3E產品價格將高於海外競爭對手的同類產品。該公司最早於2024年便開始自主研發相關技術。

《The Information》率先報導長鑫存儲的HBM3E計畫，《路透》則首次披露相關產品良率及預計交付時程。

美國政府於2024年12月收緊部分先進HBM產品輸往中國的出口管制。知情人士表示，中國晶片製造商愈來愈常透過非正式管道尋求取得這類記憶體，而這些管道的價格可能是正常價格的數倍。

《路透》上月報導，隨著記憶體成本增加，使業者擴大產能的工作更加複雜，華為、寒武紀(688256-CN) 、壁仞科技(06082-HK) 及天數智芯(09903-HK) 已將現有及下一代AI晶片的價格調漲20%至50%。

除了良率與成本問題，長鑫存儲的HBM技術水準也仍落後國際領導廠商。知情人士透露，測試結果顯示，長鑫存儲HBM3E的效能更接近SK海力士前一代HBM3，而非SK海力士的HBM3E。

另一名知情人士表示，長鑫存儲已向客戶送交兩種HBM3E版本，分別為標準設計，以及經過更新、加入旨在提高良率之調整的版本。

目前全球HBM市場主要由SK海力士、三星電子(005930KS) 及美光科技(MU-US) 主導。

根據Counterpoint Research，SK海力士第二季占全球HBM營收的50%，其次為三星的33%及美光的18%。該研究機構指出，當季HBM營收大多來自HBM3E產品。

Counterpoint表示，長鑫存儲第二季占全球DRAM營收的10%，是全球第四大傳統記憶體晶片供應商。然而，美國出口管制限制該公司取得部分最先進的晶片製造設備，使其更難縮小與全球競爭對手之間的差距。

三星今年7月表示，已擴大HBM4銷售，並向主要客戶送交HBM4E樣品。這使長鑫存儲在HBM商業化生產方面，至少落後一個世代。