HBM3E

10-29美股雷達

不拚極限了？傳輝達下一代AI晶片頻寬悄悄砍13% 最高竟暴跌26%

AI晶片巨擘輝達正悄然對下一代AI加速器平台的記憶體架構「降維」，一方面將Rubin Ultra原定的12層HBM4E堆疊，轉向8層HBM4與HBM4E混配，另一方面悄悄下修Vera Rubin平台的HBM4頻寬指標，這不是單純技術讓步，而是用規格讓利換供應鏈解綁，在HBM產能持續緊繃之際，為成本、良率與合格供應商範圍同時鬆綁。

10-28A股

長鑫存儲積極尋找記憶體國產替代方案！HBM3E良率僅20%至30%仍拚量產、落後SK海力士一個世代

中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 計畫在未來兩個月內啟動高頻寬記憶體（HBM）HBM3E有限量產，即使目前產品良率僅約20%至30%，遠低於南韓競爭對手SK海力士(000660KS) 的約70%，仍決定推進生產，凸顯中國在美國出口管制下，急於突破AI記憶體供應瓶頸的壓力。

10-28歐亞股

連兩天漲到熔斷！受SK海力士財報「炸裂」、750億美元回饋股東計畫激勵　韓股早盤狂飆逾6%

AI交易強勢回歸，南韓綜合股指(KOSPI)今(28)日早盤飆漲逾6%，KOSPI 200期貨漲幅亦觸及門檻，韓國交易所啟動Sidecar機制，暫停程序化買盤五分鐘觸發，兩大權重個股SK海力士、三星早盤也雙雙大漲逾9%。引爆行情的催化劑，是SK海力士今日揭曉的今年第三季財報成績單，營收104.62兆韓元，首度破百兆大關，年增328%，營業利益83.33兆韓元，年增632%，遠超市場預期，營益率衝上80%。

10-20歐亞股

陸DRAM產能將激增31%！韓媒警告超級周期「只剩2至3年」 馬斯克把期限再往前推一年

特斯拉執行長馬斯克上周四(15日)稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片，引發半導體界對記憶體「超級周期」可能提前見頂的討論。市場關注長鑫存儲產能爬坡，會否在2028年與AI資本支出放緩疊加，反手壓垮DRAM價格。自10月11日起，馬斯克接連發文稱RAM短缺是AI瓶頸；12日指中國掌握技術後能大幅擴產；隔日又點名美光價格「合理」，但三星、SK海力士報價「高得離譜」。

10-03科技

一年一度HBM定價季登場！三星為2027年HBM4報價鎖4.5美元起　每Gb貴三倍

南韓《每日經濟》周五(2日)報導，三星電子正與主要客戶就2027年HBM4記憶體供應合約進行價格談判，尋求將每1Gb單價定在4-5美元區間的中高位，也就是1Gb至少4.5 美元。報導指出，三星HBM3E記憶體目前單價在1.5 美元左右，明年的HBM4合約價格料將為這一金額的3 倍。

09-01歐亞股

輝達搶貨、微軟谷歌搶單！HBM4良率持續承壓 現貨價格已高出長約價格4倍

AI加速器帶旺HBM，卻把全球DRAM市場推入「量跌價暴衝」的罕見格局，韓國國際貿易協會周一(8 月 31 日)公佈的數據顯示，該國AI晶片用DRAM出口量從5月約6.817億顆降至7月的5.9174億個，減少13.2%，同期出口額卻由114.3億美元跳增至135.5億美元，漲幅18.5%。

03-17美股雷達

美光科技：開始為輝達量產HBM4記憶體 銅鑼廠年底前啟動第2座晶圓廠

美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在輝達 GTC 大會上宣佈，旗下多款記憶體產品已同步進入大規模量產階段，這些產品均圍繞輝達 Vera Rubin 平台設計。美光表示，HBM4 產線已在今年首季度開始量產並出貨，首批產品為 36GB 的 12 層堆疊版本，專為 Vera Rubin 平台打造。

03-10美股雷達

有多少買多少！黃仁勳喊話DRAM廠儘管擴產 法人看好輝達擴大記憶體備貨有利鴻海等3台廠

輝達執行長黃仁勳周一 (9 日) 向全球記憶體晶片廠商釋出強烈訊號，稱即便業界擴大產能，輝達也照單全收。他直言，晶片供給短缺對公司而言是「極好消息」，因資源受限反而促使客戶更傾向選擇性能最強的解決方案。黃仁勳在摩根士丹利科技大會上直接向 DRAM 廠喊話：「你們擴多少產能，我們就用多少。