HBM3E
台股新聞
SK海力士宣布量產12層HBM3E 年底前提供給客戶
HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈，公司將率先量產 12 層 HBM3E，容量達 36GB，比上一代高出 50%，為現有 HBM 產品中容量最大的產品，且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%，並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊，12 層厚度與 8 層相同。
歐亞股
SK海力士開始量產HBM3E 股價飆漲8.4%
SK 海力士周四 (26 日) 股價盤中飆漲 8.4%，該公司表示已開始量產最新一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的 12 層版本，以滿足當前人工智慧需求。SK 海力士今年的股價已大漲逾 25%。SK 海力士聲明中表示，全球首款最新一代 HBM 產品名為 HBM3E，共有 12 層，是迄現有 HBM 最大容量為 36GB，比當前賣給輝達輝達 (NVDA-US) 的版本更先進。
美股雷達
三星8層HBM3E晶片傳通過輝達測試 Q4開始供貨
《路透社》週三引述消息人士報導，三星電子第五代 HBM3E 記憶體晶片的 8 層版本已經通過輝達 (NVDA-US) 的測試。三星電子一直致力於追趕南韓競爭對手 SK 海力士，希望提供能夠處理生成式人工智慧 (AI) 工作的先進記憶體晶片。消息人士稱，三星電子和輝達尚未就 8 層 HBM3E 記憶體晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，預計第四季開始供應。
歐亞股
三星：計畫今年第三季量產8層HBM3E
南韓三星電子在公布 2024 年第二季財報的電話會議上表示，「第五代 8 層 HBM3E 產品正如常接受客戶評估，公司計畫於今年第三季實現量產。」三星表示，公司已經完成了半導體產業首次開發的 12 層 HBM3E 晶片的量產準備，未來將根據多個客戶的需求時間表，在今年下半年擴大供應。
美股雷達
AI相關晶片投資增加 美光上調今年資本支出預測
美國記憶體晶片大廠美光周二 (21 日) 小幅上調 2024 年的資本支出預測，原因是為滿足人工智慧 (AI) 產業激增的需求，加大投資製造高頻寬記憶體 (HBM) 的力道。該公司財務長 Matt Murphy 周二在摩根大通技術、媒體和通訊會議 (JPMorgan Technology, Media and Communications Conference) 上表示，將 2024 年的資本支出預測從先前的 75 億美元上調至約 80 億美元。
歐亞股
SK海力士、美光領先記憶體晶片市場 三星仍不可小覷
《華爾街日報》(WSJ) 周一 (4/1) 報導，雖然南韓科技巨擘三星電子在人工智慧 (AI) 競賽落後美光 (MU-US) 和 SK 海力士，但有跡象表明三星可能正在縮小差距，即便迎頭趕上後面兩者的時間可能比預期長，但 AI 熱潮帶來的整體記憶體晶片吃緊，將成為其重要推動力。
歐亞股
韓媒：最快自9月起 三星將獨家向輝達供應12層HBM3E
據韓媒 alphabiz 消息，輝達 (NVDA-US) 最快將自 9 月開始大量採購 12 層 HBM3E 記憶體，這些記憶體將由三星獨家供貨。目前，SK 海力士供應了輝達 AI 半導體中使用的大部分 HBM 產品，報導稱，SK 海力士計畫自本月末開始，大量生產 8 層 HBM3E 產品，但因部分工程問題，未能推出 12 層 HBM3E 產品。
歐亞股
三星有望成輝達HBM供應商 股價勁揚逾5%
在報導傳出輝達 (NVDA-US) 正在測試三星 (005930-KR) 的高頻寬記憶體 (HBM)，為未來採用做準備後，三星周三 (20 日) 早盤勁揚逾 5%，股價登上逾兩個月高點。根據日經 (Nikkei) 報導，輝達共同創辦人黃仁勳表示，正在對三星的 HBM 晶片進行品質認證，以供未來使用。