HBM3E
台股新聞
美光 (MU-US) 今 (17) 日宣布，HBM3E 12 層堆疊 36GB 記憶體導入超微 (AMD-US) 最新推出 MI350 系列中，也是繼打入輝達 (NVDA-US) 後，再添一名大客戶。美光強調，此次合作突顯能源效率和效能在訓練大型 AI 模型、提供高傳輸量推論，以及處理複雜的高效能運算工作負載，如資料處理和運算建模方面的關鍵作用，也是美光在 HBM 產業領導地位的另一重大里程碑，展現美光穩健的執行力和強大的客戶關係。
歐亞股
SK 海力士執行長郭魯正最新示警，全球貿易緊張局勢加劇恐讓下半年市場更加波動，即使該半導體巨頭仍維持與其內部預測一致的穩健表現。郭魯正周二 (10 日) 在公司員工大會上發表談話時表示，未來存在不確定性，並提到美國等國擴大關稅政策對半導體產業的潛在影響。
台股新聞
ASIC 廠創意 (3443-TW) 今 (2) 日宣布成功完成 HBM4 控制器與 PHY IP 的投片，該晶片採用台積電 (2330-TW)(TSM-US) 最先進的 N3P 製程技術，並結合 CoWoS-R 先進封裝技術實現。創意 HBM4 IP 支援高達 12Gbps 的數據傳輸速率，透過創新的中介層 (interposer) 佈局設計，優化信號完整性 (SI) 與電源完整性 (PI)，確保 HBM4 在各類 CoWoS 技術下皆能穩定運行於高速模式。
歐亞股
南韓記憶體大廠 SK 海力士周四 (20 日) 宣佈已向客戶提供 12 層 HBM4 樣品，預計今年下半年完成量產準備，這標誌著 HBM4 技術的競賽正式進入新階段，三星與美光也纷纷展示自己的 HBM 發展規則，包括 HBM4、HBM4e。SK 海力士說，HBM4 是全球首發用於 AI 計算的記憶體，每秒能處理 2TB 數據，容量為 36GB，採用該公司最先進 MR-MUF 技術製造。
歐亞股
彭博周三 (19 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 為回應股東對其在人工智慧 (AI) 領域表現不佳的批評，宣佈將強化其在高頻寬記憶體 (HBM) 晶片市場的地位。該公司計劃於今年第二季推出增強版的 12 層 HBM3E 晶片，並計劃於下半年生產先進的 HBM4 晶片。
科技
南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (19) 日宣布，將在輝達主辦的 AI 盛會 GTC 2025 上首次展示自家打算今年下半量產的第六代高頻寬儲存(HBM4)，以及下一代 AI 伺服器記憶體標準 SOCAMM。SK 海力士總裁郭魯正、AI 基礎設施負責人金周善及全球銷售與行銷副總裁李相樂（音譯）等高層將出席輝達 GTC 大會。
台股新聞
HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈，公司將率先量產 12 層 HBM3E，容量達 36GB，比上一代高出 50%，為現有 HBM 產品中容量最大的產品，且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%，並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊，12 層厚度與 8 層相同。
歐亞股
SK 海力士周四 (26 日) 股價盤中飆漲 8.4%，該公司表示已開始量產最新一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的 12 層版本，以滿足當前人工智慧需求。SK 海力士今年的股價已大漲逾 25%。SK 海力士聲明中表示，全球首款最新一代 HBM 產品名為 HBM3E，共有 12 層，是迄現有 HBM 最大容量為 36GB，比當前賣給輝達輝達 (NVDA-US) 的版本更先進。