長鑫
A股
半導體大廠長鑫科技 (688825-CN) 周一 (27 日) 於上海證交所科創板掛牌上市，此舉不僅改寫了中國資本市場的歷史，也讓早期投入的策略投資者獲取了豐厚回報。長鑫科技掛牌首日表現強勁，開盤價報 49.50 元人民幣，盤中漲幅一度劇烈波動，最終收在 49 元，漲幅達 465.82%。
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中國動態隨機存取記憶體 (DRAM) 大廠長鑫科技 (688825-CN) 周一 (27 日) 掛牌科創板，寫下資本市場新紀錄。上市首日收盤價為 49 元，較發行價大幅上漲 465.82%，公司市值突破 3.2 兆元人民幣，超越工商銀行成為 A 股市值最高的企業。
A股
很多人聊起中國晶片產業，第一時間想到的往往是光刻機、華為海思或國產 CPU。但實際上，在現代數位與人工智慧架構中，還有一個更基礎、更具戰略意義的底層領域——儲存晶片。無論是日常使用的智慧型手機、個人電腦，還是龐大的伺服器與人工智慧資料中心，都離不開儲存晶片的高效運作。
A股
隨著中國記憶體大廠長鑫科技 (688825-CN) 正式登陸資本市場，高盛罕見在 IPO 前夕緊急召開中國記憶體專家會議。除了看好中國 DRAM 產能未來數年將大幅擴張，也認為中國設備國產化已成最具確定性的投資主軸；儘管 HBM 技術仍落後國際大廠，但 AI 需求持續強勁，預料將支撐記憶體價格與中國半導體供應鏈長期成長。
美股雷達
在日前登場的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技術與電路研討會上，來自南韓與日本的研究團隊不約而同發表了兩套全新的高頻寬記憶體（HBM）架構構想，雖出自不同單位、命名各異，核心思路卻高度雷同，將原本平躺堆疊的 DRAM 晶片改為「直立擺放」，藉此換取更充裕的散熱空間，同時緩解 AI 晶片日益吃緊的記憶體頻寬瓶頸。
A股
中國 DRAM 記憶體龍頭長鑫科技正式敲定科創板首次公開發行 (IPO) 申購時程，將於 7 月 16 日開放申購。由於此次擬募資 295 億元人民幣，發行規模約 66.88 億股，躋身科創板史上最大 IPO 之一，加上市場預估網路中籤率可望達一般科創板新股約 10 倍，消息激勵 A 股半導體族群全面走強，記憶體、矽晶圓及半導體設備股同步大漲。
美股雷達
近期全球記憶體板塊出現劇烈波動，特別是在 7 月 2 日，AI 與半導體類股遭遇集中拋售，引發市場對於「記憶體漲價周期是否見頂」的強烈質疑。市場聚焦出現的三大事件，將其解讀為轉折信號，包括：Meta 計畫出租 AI 算力、中國長鑫儲存 (CXMT) 傳進入蘋果供應鏈，以及南韓政府高達 800 兆韓元的半導體投資計畫。
美股雷達
美國銀行近日發布最新記憶體產業週報，時間點恰逢記憶體相關個股出現大幅回檔。報告針對市場三大疑慮逐一釐清，核心結論明確：當前流傳的利空消息，絕大多數並不成立。綜合來看，美銀認為此波記憶體股的回調，更多是市場情緒反應過度所致，產業基本面的上行趨勢目前並未出現根本性的轉變。
美股雷達
為緩解全球記憶體短缺對產品成本造成的衝擊，彭博周三 (1 日) 引述知情人士說法報導，蘋果公司 (AAPL-US) 正與兩家都被美國國防部列為協助中國軍方黑名單的中國半導體業者洽談採購記憶體晶片，分別是長鑫存儲與長江存儲，而這些元件將僅用於在中國市場銷售的裝置。
A股
投資人與分析師表示，在即將登場的重量級 IPO 與技術突破的推動下，中國半導體類股的這波漲勢，可望持續擴大。這樣的樂觀氛圍，與美國、南韓及台灣市場近來愈來愈多關於估值過熱與資金過度集中的疑慮形成鮮明對比。隨著 AI 熱潮進入第四年，中國也持續加快發展自主科技，力圖縮小與全球競爭對手的差距。
A股港股
上海證券交易所公告顯示，科創板上市委員會定於 2026 年 5 月 27 日審議長鑫科技集團股份有限公司 (長鑫存儲) 的 IPO 申請。做為中國唯一實現 DRAM 大規模量產的企業，長鑫存儲此次預計募資 295 億元人民幣，規模僅次於中芯國際，位居科創板史第二。
歐亞股
在全球半導體地緣競爭升溫之際，韓國記憶體雙雄 三星電子 與 SK 海力士 做出關鍵戰略選擇：即使美國對中限制持續升級，兩家公司仍計畫於 2025 至 2026 年合計向中國市場投入兆元韓元資金。此舉不僅是為了守住多年建立的龐大產能與客戶基礎，更反映兩大韓廠在美中科技對抗下，試圖於供應鏈、技術與市場之間尋求生存空間。