HBM
國際政經
2026年06月18日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 南韓記憶體大廠SK海力士SK Hynix(000660-KS)週四表示，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，進一步推進下一世代AI記憶體布局。公司指出，12層堆疊HBM4E最高傳輸速度可達每針腳16 gigabits per second，電源效率較前一代產品提升超過20%。
受惠於半導體景氣暢旺，三星電子與 SK 海力士員工近期陸續領取數億韓元績效獎金，資金迅速湧入在地房市與奢侈品消費市場。《中央日報》報導，南韓京畿道城南市盆唐區、華城東灘等「半導體帶」精華地段，部分主力公寓掛牌價較一個月前大漲近 2 億韓元 (約 460 萬台幣)，成交價亦明顯走揚，高檔進口車展示中心同樣湧入大批半導體從業人員詢問下單。
南韓三星電子近日在 2026 年 VLSI 超大規模積體電路研討會上宣布，全球首次實現閘極間距 42 奈米的 3D 堆疊電晶體 (3D Stacked FET) 技術。傳統邏輯晶片依賴縮小電晶體橫向間距提升整合度，但若尺寸持續壓縮，薄層絕緣層易產生漏電干擾，但 3D 堆疊 FET 將原本並排放置的 N 型和 P 型電晶體上下堆疊，理論上一倍面積可容納兩倍電晶體。
華爾街獨立研究機構 Aletheia Capital 發表一份被市場形容為「核彈級」的研報，大幅上調美光科技 (MU-US) 的目標價至 1,600 美元，並預言記憶體將取代運算單元，成為 AI 系統中最核心且價值最高的環節。目標價翻倍分析師 Warren Lau 在報告中，將美光目標價從原先的 650 美元大幅上調約 150% 至 1,600 美元。
美股雷達
過去數十年，記憶體價格遵循著每五年跌價 9 成的規律，但這項定律已被 AI 徹底改寫。摩根士丹利 (下稱大摩) 出具最新研報指出，過去一年記憶體價格飆漲逾六倍，且這並非傳統的週期性波動，而是一場深層的「結構性供應危機」。根據集邦科技 (TrendForce) 數據，全球記憶體市場規模預計將從 2025 年的 2200 億美元，暴增至 2026 年的 8900 億美元，6700 億美元的增幅甚至超過了智慧手機、個人電腦或伺服器單一市場的總規模。
AI 伺服器與自研 ASIC 晶片的爆發性需求，正將半導體封測產業從傳統的後段代工，推向高單價、高技術門檻的黃金成長期，隨著全球大型雲端服務供應商大舉擴張資本支出，前端算力競賽使得台積電先進封裝產能持續吃緊，不僅拉長了全球封測廠的接單能見度，更驅動封測產業在量、價與技術上全面升級，正式擺脫景氣循環股的標籤，成為 AI 基礎建設中掌握長線紅利的關鍵核心。
美股雷達
如今席捲全球的 AI 記憶體熱潮，意外讓市場想起十多年前《江南 Style》掀起的另一場股市狂熱。2013 年，憑藉一首《江南 Style》紅遍全球的南韓歌手「鳥叔」Psy，不僅讓自己躍升國際巨星，也意外帶旺父親朴元浩掌舵的半導體設備商 DI Corp (003160-KS)。
國際政經
2026年06月13日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 南韓封測業者Hana Micron(067310-KS)近期股價表現強勁，主因公司在全球半導體封裝技術領域取得新進展，加上市場看好三星Samsung Electronics(005930-KS)擴大越南半導體投資，將為其當地業務帶來成長機會。
歐亞股
日韓股市今 (12) 日集體開高，晶片相關類股領漲，日經 225 指數漲超 4%，日本東京電子上漲 11%，愛德萬測試上漲 8.2%，南韓股指 KOSPI 狂飆 8%，KOSPI 200 期貨飆漲 5% 觸發熔斷機制，三星電子漲超 11%，SK 海力士上漲 9%，韓美半導體上漲 4.8%，主要因為美國總統川普表示接近與伊朗達成和平協議。
全球 AI 算力龍頭輝達最新一代 Grace Blackwell 架構晶片正面臨罕見的供不應求態勢，美國知名券商 Wedbush 資深分析師 Matt Bryson 在最新研報中指出，即便 AI 加速晶片周期已步入後期，旗下 GB300 與 B300 產品的庫存仍極度緊張，實際市場需求遠超華爾街模型預期。
南韓記憶體巨頭 SK 海力士周四股價上演「V 型」反轉，早盤受中東局勢及利率上升疑慮拖累一度重挫 3.5%，隨後在「十年擴產計畫」激勵下快速拉升翻紅，成功收復失地，並帶動南韓綜合股指 (KOSPI) 跌幅縮小至 1.5%。SK 集團會長崔泰源最新透露，為滿足 AI 浪潮對高階記憶體的龐大需求，SK 海力士打算在 2034 年前將晶圓產能擴大兩倍，且未來五年內就將實現翻倍。
國際政經
2026年06月10日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 南韓記憶體大廠SK海力士SK Hynix(000660-KS)傳出最快將於8月赴美上市。知情人士透露，公司正推動美國存託憑證（ADR）掛牌計畫，希望藉此擴大投資人基礎，並掌握全球市場對AI概念股的高度關注。
南韓《每日經濟新聞》今 (10) 日引述政界與業界人士消息報導指出，三星電子與 SK 海力士正對全國各地區投資計畫進行最終審查，最快本月內公布細節，二者打算在西南部與中部擴大設施投資，項目涵蓋封裝產線，亦不排除新建半導體晶圓廠的可能性。另據《韓國經濟日報》(KED) 報導，南韓總統李在明預計 6 月 29 日與各大財閥負責人會面，討論區域投資佈局，相關計畫將在會議上正式對外公布。
美股雷達
全球高頻寬記憶體（HBM）大廠美光科技 (MU-US) 近期股價從歷史高點重挫逾 20%，儘管其人工智慧（AI）相關業務仍持續高速成長，市場對 AI 硬體需求能否延續的疑慮，已讓投資人信心動搖，分析則認為，投資人不應急著在財報前入場「抄底」。
隨著人工智慧 (AI) 帶動高頻寬記憶體 (HBM) 需求持續升溫，南韓科技巨擘三星電子 (Samsung Electronics)(005930-KR) 傳出正考慮在南韓西南部光州市興建先進半導體封裝工廠，進一步強化其 AI 晶片供應鏈布局。
外媒報導，AI 算力競賽持續升溫，但建置成本也正以驚人速度攀升，而伯恩斯坦 (Bernstein) 最新報告指出，輝達 (NVDA-US) 下一代 Vera Rubin NVL72 機櫃成本高達 910 萬美元，遠高於市場普遍預估的 800 萬美元，而一座 1GW 級 AI 資料中心的總投資額更逼近 473 億美元。
外媒最新報導指出，全球記憶體晶片巨頭 SK 海力士正籌劃一場史上規模最大的 DRAM 產能擴張，力圖在 AI 驅動的半導體新週期中搶佔先機。根據《The Elec》等韓媒披露，SK 海力士已向核心供應商通報中長期規劃，擬在 2030 至 2031 年之間，將 DRAM 晶圓月投片產能從目前約 55 萬片提升至約 100 萬片，幾乎翻倍。
美股雷達
瑞穗（Mizuho）最新調研指出，Google TPU 出貨量將迎來爆發式成長，預估 2028 年單年出貨量將突破 3,500 萬顆，遠高於 2025 年的 240 萬顆與 2026 年的 430 萬顆。若依預測推算，2026 至 2028 年累計出貨量將接近 5,000 萬顆，凸顯 AI 推理時代帶動自研晶片需求急速擴張。
隨著全球人工智慧（AI）算力需求迎來爆發式增長，SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 三大記憶體巨頭的技術博弈，已悄然轉移至「散熱戰場」。隨著輝達 (NVDA-US) 證實三家晶片製造商均已通過認證並投產，可為最新 AI 平台「Vera Rubin」供應最先進的高頻寬記憶體（HBM），意味著 HBM4 的大規模量產已箭在弦上。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 股價週五（5 日）大跌逾 13%，創 2025 年 4 月以來最大單日跌幅，導火線為半導體研究機構 SemiAnalysis 發布報告，稱輝達 (NVDA-US) 削減下一代伺服器記憶體配置。然而同日，輝達執行長黃仁勳公開宣布美光已通過 HBM4 認證，但利多消息終究難以抵擋拋售潮。