HBM
美股雷達
隨著人工智慧（AI）應用快速普及，全球投資者的目光往往集中在計算晶片巨頭如輝達 (NVDA-US) 身上。然而，專家指出，真正的長期投資機會其實藏在 AI 記憶體硬碟和儲存系統市場，且其中有幾家公司值得關注。隨著 OpenAI 生態系統的擴張，海量數據的儲存需求正悄然改寫整個產業格局。
美股雷達
隨著 DRAM 超級週期正式來臨，多份產業報告指出記憶體與快閃記憶體的長期供應將持續緊張。自第二季度以來，DDR4 記憶體價格一路攀升，帶動 DDR5 也跟著回升，讓近期有裝機需求的消費者因此面臨更高成本壓力。今年 9 月，記憶體與快閃記憶體巨頭美光科技 (MU-US) 和 SanDisk (SNDK-US) 相繼發布漲價通知。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）浪潮席捲全球，半導體市場正迎來新一輪的「超級週期」。根市場研究公司 TrendForce 最新數據顯示，通用型 DRAM（動態隨機存取記憶體）現貨價格已創下年度新高，主流 DDR5 記憶體價格相較年初更上漲超過 4 成，逼近 2018 年半導體熱潮的高峰水準。
歐亞股
OpenAI 執行長奧特曼 (Sam Altman) 快閃南韓後宣布，已與三星、SK 海力士簽署合作意向書採購 DRAM 晶片，以滿足「星際之門」(Stargate)需求，代表南韓半導體雙雄正式加入受各方矚目的人工智慧 (AI) 基礎建設計畫，兩家公司周四 (2 日) 早盤股價雙雙飆漲。
歐亞股
最新數據顯示，記憶體晶片市場正迎來貨品交易與股市交易的雙重上行週期，中國記憶體指數截至周二 (9 月 30 日) 大漲 5.46%，多檔個股漲停，反映出產業回溫與漲價潮的強勁動能。《21 世紀經濟報道》報導，本輪行情本質是記憶體產業步入新一輪上行週期的體現。
科技
SK 海力士大舉引進極紫外光（EUV）曝光設備，計畫在 2027 年前再添購約 20 台，使現有規模擴大一倍，以強化次世代 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）的製造能力。綜合韓媒報導，SK 海力士目前已有 20 台 EUV 設備，包括用於研發的機台。
美股雷達
美光 (MU-US) 周三 (24 日) 收黑 2.8%，即使財報與財測雙雙優於市場預期，投資人仍不買單。MarketWatch 報導，分析師指出幾個可能癥結，包括未來需求減弱的可能性，以及股價在財報前的大漲讓投資人卻步。高檔壓力浮現美光股價在財報公布前一個月已經大漲 41%，代表市場寄予厚望。
台股新聞
TrendForce 最新調查，由於三大 DRAM 原廠優先將產能給高階伺服器 DRAM 和 HBM，排擠 PC、手機和消費型電子應用的產能，受各終端產品需求分化影響，第四季舊製程 DRAM 價格漲幅依舊可觀，新世代產品漲勢相對溫和，預估整體一般型 DRAM 價格將季增 8-13%，若加計 HBM，漲幅將擴大至 13-18%。
美股雷達
美國最大電腦晶片製造商美光 (Micron)(MU-US)，周二 (23 日) 盤後公布的上季 (會計年度第 4 季) 財報優於分析師所料，對本季 (第 1 季) 的財測也打敗市場預期，看好隨著人工智慧 (AI) 軍備競賽白熱化，對硬體設備的需求將刺激自家的先進記憶體晶片銷售。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 將於周二 (23 日) 美股盤後公布 2025 會計年度第四季 (截至 8/31) 財報，投資人高度關注其對高頻寬記憶體 (HBM) 與人工智慧 (AI) 相關需求的展望。在 9 月股價已飆漲近 40% 的背景下，市場押注美光財測若優於共識，將是支撐其股價續強的關鍵。
歐亞股
三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，上周傳出已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，激勵三星股價周一 (22 日) 早盤狂飆 5.3%，達到一年多以來新高。三星電子周一在韓國股市一度大漲 5.3%，達到 2024 年 8 月以來的最高水準。
歐亞股
南韓 SK 海力士今 (11) 日宣布，已正式向客戶供應全球率先實現量產的行動端 NAND 快閃記憶體解決方案產品 ZUFS 4.1。該產品已搭載於全球手機製造商的最新智慧手機，再次凸顯 SK 海力士在全球市場的技術優勢，能為智慧手機提供更強大的端側 AI 功能支持，為用戶帶來全新體驗。
科技
華爾街投資機構花旗集團 (C-US)周二 (9 日) 出具研究報告指出，受 AI 領域對儲存需求激增驅動，2026 年全球關鍵科技商品 DRAM 與 NAND 快閃記憶體恐面臨供不應求局面。花旗分析師指出，隨著 AI 應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸，一般伺服器記憶體、行動端 DRAM 及高頻寬 / 高密度 NAND 快閃記憶體 (如企業級 QLC 固態硬碟) 需求將大幅成長，DRAM 供需比料將下滑至 - 1.8%，NAND 快閃記憶體供需比更低至 - 4%，整體記憶體市場供需關係趨緊並推升。
美股雷達
近期韓國半導體巨頭三星與美國科技大廠輝達 (NVDA-US) 在高頻寬記憶體（HBM）領域的合作傳聞再度升溫。有報導稱，三星已正式開始向輝達供應 12-Hi HBM3E 記憶體堆疊，使三星在高階 HBM 記憶體市場上取得重要突破。根據科技外媒報導，過去一年，三星在 HBM 技術的發展歷程多次調整。
美國記憶體晶片大廠美光科技 (MU-US)周一 (11 日) 在中國啟動裁員，主要涉及國內嵌入式團隊研發、測試以及 FAE/AE 等支持部門，上海、深圳等多地員工受影響，目前裁員規模尚未確定。針對中國區業務人員調整，美光今 (12) 日回應稱鑒於移動 NAND 產品在市場持續疲軟的財務表現，以及相較於其他 NAND 機會增長放緩，將在全球停止未來移動 NAND 產品的開發，包括終止 UFS5 的開發。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 周一 (11 日) 美股盤前宣布上修 2025 會計年度第四季 (截至 8 月 28 日止) 財測，主因人工智慧 (AI) 基礎設施需求強勁，帶動其高頻寬記憶體 (HBM) 與動態隨機存取記憶體 (DRAM) 產品價格改善。
根據《路透》周一 (11 日) 報導，南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 預測，專為人工智慧 (AI) 設計的高頻寬記憶體 (HBM) 市場，至 2030 年將以每年約 30% 的速度成長，儘管近期業界對價格壓力有所擔憂，公司對長期前景仍保持樂觀。
台股新聞
南亞科 (2408-TW) 與鈺創 (5351-TW) 今 (7) 日共同宣布，將合資成立 AI 記憶體設計服務公司，南亞科與鈺創將分別以 80、20 股權比例原則，合資成立公司，其資本額為新台幣 5 億元，公司總部將設立於新竹市。 雙方指出，合資公司主要為因應新興 AI 邊緣運算市場快速發展，將結合雙方資源與專業技術，運用南亞科的先進製程與產能，提供高附加價值、高效能、低功耗的客製化超高頻寬記憶體解決方案，以拓展 AI 邊緣運算的多元應用商機。
台股新聞
SK 海力士 (KR-000660) 今 (24) 日公佈第二季財報，第二季營收 22.232 兆韓元，營業利益為 9.2129 兆韓元，淨利 6.9962 兆韓元，營益率 41%，淨利率 31%；受惠高頻寬記憶體 (HBM) 出貨暢旺，SK 海力士第二季營收、營業利益雙雙超越去年第四季水準，創下歷史新高。
歐亞股
南韓主要電子企業將於明 (24) 日起陸續公佈今年第二季財報，其中最受市場關注的是 SK 海力士的營業利潤能否首次突破 9 兆韓元，創下歷史新高。此外，面對近期關於高頻寬記憶體 (HBM) 市場的悲觀預期，SK 海力士在公佈財報時會如何回應也備受矚目。