HBM
摩根士丹利 (MS-US)5 月 26 日報告指出，中國在高頻寬記憶體 (HBM) 技術上正快速追趕全球領先者，目前僅落後 3-4 年。美國出口禁令促使中國技術自主化加速，結合 Hybrid Bonding 封裝技術優勢及本土 AI 需求激增，中國有望重塑全球記憶體市場格局。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (22) 日指出，HBM 技術發展受 AI 伺服器需求帶動，三大原廠積極推進 HBM4 產品進度，由於 HBM4 的 IO 數增加，複雜的晶片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能，皆推升成本，有鑑於 HBM3e 甫推出時的溢價比例約為 20%，預料製造難度更高的 HBM4 溢價幅度將突破 30%。
科技
南韓半導體業內高層人士今 (19) 日透露，SK 海力士跟韓美半導體 (Hanmi Semiconductor) 緊張關係在上周五 (16 日) 簽署設備訂單公佈後似乎出現緩和跡象。此前，SK 海力士推進 TCB 設備供應商多元化計畫，韓美半導體強烈反對並撤回派駐 SK 海力士 HBM 產線的維修工程師，引發雙方摩擦。
國際政經
據《法新社》報導，美國華盛頓上個月宣布對半導體技術進口進行國家安全調查後，已經將整個產業置於川普「貿易火箭筒」的瞄準範圍內，未來可能徵收「具毀滅性的關稅」，並對南韓和台灣兩大晶片製造王國帶來重大傷害。南韓擁有三星電子和 SK 海力士，台灣則有全球最大晶圓代工廠台積電。
台股新聞
2025 年記憶體市場供需結構持續改善，三大原廠啟動減產策略，搭配 AI 應用帶動高階記憶體需求，整體價格有望落底反彈，NAND Flash 方面，2025 年供給預估年增僅 13%，遠低於 2021 年之 55%，減產效益擴大。DRAM 則在 AI 伺服器、行動裝置升級與品牌提前備貨下，報價逐步止跌回穩，記憶體產業將迎來新一波回補週期。
歐亞股
南韓三星電子今 (30) 日公佈今年首季財報成績單，營業獲利與營收雙雙優於預期，淨利更年增至少兩成，主要受惠於旗艦產品 Galaxy S25 智慧手機和記憶體晶片銷量上漲，但未發布本季財測數字，稱「近期全球貿易緊張局勢和全球經濟增長放緩導致宏觀經濟不確定性增加」。
專家觀點
【台股本周行情】本週台股走勢峰迴路轉，從前兩天下跌六百點，到最終週線收漲 477 點 (本週週報會在細談)，主要原因就在於美國對中國的關稅態度軟化，加上昨 FED 官員釋出考慮 6 月起開始降息的訊號，激勵美股大幅反彈所致，而今天一度挑戰兩萬點卻無法站穩，量能不足月均量要挑戰下彎的月線本來就不容易一口氣站上，而後續若無法補量上攻，月均線要到 5/7 之後才會逐步走平，時間段也剛好是半導體關稅公告前後，此將成為台股能否進一步反彈並挑戰季線的關鍵，而其中台積電(2330-TW) 將成為這一波是否反攻的重要角色。
科技
受惠於市場對 AI 晶片旺盛需求，以及客戶在美國加稅前的囤貨行動，輝達高頻寬記憶體 (HBM) 關鍵供應商 SK 海力士今年首季業績強於預期，營業獲利成長 158% 至 7.441 兆韓元，超過同業競爭對手三星首季財測數字 6.6 兆韓元，首季營收亦年增 42% 至 17.639 兆韓元，淨利從一年前的 1.92 兆韓元年增逾三倍至 8.108 兆韓元，並超過去年末季創歷史紀錄的 8.006 兆韓元。
美股雷達
在美國持續加大管制 AI 晶片出口的背景下，中國科技企業正加快國產替代步伐，華為近日發表新一代 AI 晶片「昇騰 920」，並計畫於下半年正式投產，且去年推出的「昇騰 910C」也將在下月開始大規模量產，專家最新指出，隨著美國政府近期叫停 H20 晶片對中出口，華為新一代 AI 晶片的推出可望在中國市場上實現對輝達 (NVDA-US) 的全面替代。
台股新聞
SEMI 國際半導體產業協會今 (16) 日公布 2024 年全球半導體製造設備銷售總額達 1,171 億美元，年增 10%，其中，中國穩居全球設備第一大市場，年增幅達 35%，冠居全球，台灣則維持第三名，年減 16%。SEMI 指出，2024 年全球半導體前段製程設備市場呈現顯著成長，其中，晶圓製程設備銷售額年增 9%，其他前段設備類別也有 5% 增幅，主要受惠先進製程及成熟製程邏輯晶片產能擴充、先進封裝以及高頻寬記憶體 (HBM) 產能投資的挹注，同時中國加碼投資也是一大驅動力。
科技
最新數據顯示，全球半導體產業在去年迎來爆發性成長，總收入年增 21% 至 6559 億美元，輝達 (NVDA-US) 以 11.7% 市佔率首次問鼎全球半導體廠商榜首，終結三星與英特爾 (INTC-US) 長達數十年冠軍爭奪戰，這場產業洗牌不僅折射技術迭代的速度，更揭露 AI 正重塑全球科技業格局，但市場表現卻呈兩樣情。
調研機構 Counterpoint Research 發布第一季記憶體追蹤報告，SK 海力士全球市佔率達 36%，首度超越三星電子，躍居全球第一。報告指出，今年第一季度在全球 DRAM 市場的占有率達 36%，略高於三星電子與美光的 34% 和 25%。
歐亞股
南韓企業追蹤機構 CEO Score 今 (26) 日公佈報告指出，2024 年南韓 500 強企業總營業利潤年增 66% 至 183.7 兆韓元(約 4.53 兆台幣)，遠高於 2023 年的 110.6 兆韓元，主要受惠於全球半導體市場反彈的推動。
歐亞股
彭博周三 (19 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 為回應股東對其在人工智慧 (AI) 領域表現不佳的批評，宣佈將強化其在高頻寬記憶體 (HBM) 晶片市場的地位。該公司計劃於今年第二季推出增強版的 12 層 HBM3E 晶片，並計劃於下半年生產先進的 HBM4 晶片。
專家觀點
【連兩日反彈台股止穩?】在連三週的黑 K 之後，本週出現好的開始，連續兩天指數都上漲約 150 點，而雖然反彈過程中量能持續萎縮，但如果觀察櫃買指數卻可發現，今量能卻是較週一小增，這也代表市場資金開始往中小型股移動，這也有利市場信心的恢復，而本週四聯準會利率決策會議，維持利率不變八九不離十，關鍵還是在會後聯準會的聲明，但隨著 KD 指標低檔翻揚、若沒有太大意外下半週反彈行情可期，若能突破頸線 22458 點，指數將有往 22800~23000 點月季線反壓邁進。
台股新聞
一、產業結構競爭格局AI 應用的擴張正在重塑記憶體市場結構，高效能記憶體產品成為市場核心：-HBM、DDR5 需求增長：AI 運算對頻寬與速度要求極高，使 HBM 和 DDR5 成為主流技術，應用於 AI 晶片、伺服器與數據中心。-QLC NAND Flash 帶動企業級 SSD 成長：QLC 技術提升儲存密度，降低成本，使企業級 SSD 需求快速擴張，推動 NAND Flash 市場成長證券開戶只要 3 步驟►超快 GO二、HBMHBM 技術的演進讓 AI 運算效率大幅提升，高階 AI 晶片幾乎標配 HBM：-NVIDIA H100/H800、AMD MI300 等 AI 晶片均搭載 HBM3/3E，成為 AI 訓練與推論的標準。
專家觀點
【台股週線連三黑何時反彈?】本週台股持續在關稅人川普持續出招下，是連續三週下跌黑 K，這段時間也跌掉 1762 點，不過隨著利空已逐步反映，下週台股能否出現強彈，才是市場關注的焦點，而下週有一個重要大事就是輝達的 GTC 大會，這次 GTC 有兩個主軸，一為 AI 伺服器、一為機器人相關，而 AI 伺服器的指標廠鴻海 (2317-TW)，下午招開法說會，去年 EPS11.01 元、創 17 年以來新高，且公司對於今年展望，在首季雖然只有雲端網路會呈現季增，但四大產品線全年都會優於去年同期，換言之鴻海今年獲利還有機會創高，而本週若以相關個股來看，同時兼具有機器人 / AI 伺服器同集團的廣宇(2328-TW)，股價本週大漲創高，BBU 的順達(3211-TW) 也是過高後拉回，但若鴻海能夠重新引領 AI 股行情，反而右下角的 AI 股就有表態的機會。
台股新聞
NAND Flash 與 DRAM 市場供需正在改善，2025 年 NAND Flash 合約價預計將於第二季底回升，並持續至年底。主要原因來自於原廠減產與供應緊縮，自 2024 年第四季起，Samsung 及 Kioxia/WDC 已大幅下修投片，導致 2025 年 NAND 位元供給增幅僅 13%，而需求則成長 15%。
台股新聞
DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 積極布局邊緣 AI 裝置，專注客製化高頻寬記憶體 (HBM)，總經理李培瑛今 (26) 日表示，公司正與封測夥伴福懋科技 (8131-TW)、補丁科技與先進製程的晶圓代工廠合作，相關產品將會在 2026 年底前亮相，屆時期望完成客戶驗證。
歐亞股
根據韓國數據平台 KED Aicel 報道，SK 海力士 1 月多晶片封裝 (MCP) 出口額達 12.9 億美元，月減 19.3%。分析認為，高頻寬記憶體（HBM）高速成長後，對季節性需求變化將更敏感，第一季 HBM 出貨量可能較上季減少逾 1)%。