HBM
美股雷達
美光科技(MU-US) 正開發新一代垂直高頻寬記憶體（vHBM），計畫將DRAM直接堆疊在處理器上方，縮短記憶體與運算單元之間的資料傳輸距離，進一步提升頻寬，以滿足人工智慧（AI）推論工作負載對效能與容量日益增加的需求。不過，這項架構也帶來新的散熱難題，可能影響未來的導入規模。
美股雷達
隨著市場再度開始擔憂需求是否足以支撐人工智慧(AI)支出持續，美光(MU-US)股價周四(22日)隨晶片與AI股下挫，即使輝達(NVDA-US)執行長黃仁勳表示，記憶體需求不太可能降溫，也未能阻止股價下滑。美光股價周四終場下跌6.3%至每股856.49美元，回吐周三的2%漲幅。
國際政經
SK海力士(000660KS) (SKHY-US) 正與上游合作夥伴推進新一代 iHBM 技術研發及量產準備，透過在熱量集中區域嵌入熱控元件，可將 HBM 熱阻降低 30% 以上，並計畫導入 HBM5 等新一代產品。韓媒《ETNews》引述業界消息報導，SK 海力士近期已與國內外材料、零組件及設備供應商接洽，討論 iHBM 的實際產品應用與量產計畫。
科技
在人工智慧(AI)晶片與高頻寬記憶體(HBM)需求急速爆發之際，全球半導體產業正面臨一場由微影關鍵化學材料引發的隱形供應鏈危機。做為半導體光阻劑配方中最核心的微量元件——光致產酸劑(Photoacid Generator, PAG，或稱光酸產生劑)，近期因日本供應商集體調漲價格、出口審批拉長，以及美國環境保護局(EPA)面臨環保團體訴訟等衝擊，導致全球供應鏈緊張度急劇升高。
A股港股
中國半導體記憶體業者長鑫存儲(長鑫科技)宣布在 4F² DRAM 架構設計上取得技術進展，並規劃於 2026 年底前推出新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。此項技術進程反映出該公司在傳統二維平面架構漸趨物理極限之際，轉向三維架構領域發展的戰略轉折。
歐亞股
特斯拉執行長馬斯克上周四(15日)稱中國到2028年將生產海量記憶體晶片，引發半導體界對記憶體「超級周期」可能提前見頂的討論。市場關注長鑫存儲產能爬坡，會否在2028年與AI資本支出放緩疊加，反手壓垮DRAM價格。自10月11日起，馬斯克接連發文稱RAM短缺是AI瓶頸；12日指中國掌握技術後能大幅擴產；隔日又點名美光價格「合理」，但三星、SK海力士報價「高得離譜」。
科技
全球記憶體晶片類股10月持續劇烈修正。南韓SK海力士與三星電子股價大跌之餘，美光(MU-US)、鎧俠(Kioxia)等指標大廠同步走低，費城半導體指數與記憶體晶片指數均呈現顯著拉回。市場將焦點指向中國記憶體大廠長鑫存儲(CXMT)公布的新技術進展，以及長江存儲(YMTC)遞交IPO申請所帶來的潛在供給衝擊。
美股雷達
記憶體長約越簽越長 Alphabet一口氣談到2035年 戴爾、惠普也鎖到2031年AI資料中心記憶體供應持續吃緊，科技大廠正加快延長供應長約。據悉，惠普(HPQ-US) 、戴爾(DELL-US) 已將與美光(MU-US) 的合約延長至2031年，Google母公司Alphabet(GOOGL-US) 則正洽談延長至2035年。
美股雷達
儘管市場曾傳出輝達打算將下一代Rubin AI加速器的HBM配置從12層降至8層，但最新供應鏈消息顯示，Rubin系列產品預計仍將以12層HBM4方案為主。這一決策背後，是AI算力對顯示記憶體容量與帶寬的極致需求，並預示HBM市場恐面臨新一輪大幅漲價。
ETF
AI熱潮推升全球科技股連番走高，近期市場卻因利率、通蓬及評價疑慮出現震盪，亞洲科技股漲多後是否仍有進場空間？看好AI資本支出持續向亞洲供應鏈擴散，野村投信今(19)日宣布推出主動式ETF「主動野村亞洲科技ETF（00420A）」，布局台日韓等亞洲市場，以及被動式ETF「野村韓國科技30ETF（009833）」，將於11月3日至6日限時募集，透過跨市場主動選股與聚焦韓國科技的指數化策略，掌握亞洲科技成長契機。
歐亞股
外媒最新報導指出，南韓三星電子將打破長達數年的「一站式全包」生產模式，採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代HBM製造基底裸片(base die)。韓媒《首爾經濟日報》今(18)日引述消息人士報導，輝達已向三星、SK海力士及美光三家供應商提出統一要求，基底裸片必須使用台積電3奈米工製成，核心裸片則統一採用第六代DRAM工藝(1c)，這一要求源於各供應商製造方案差異導致性能不穩，標準化可大幅減輕輝達的驗證工作量。
歐亞股
SK海力士周五(16日)表示，已在美國加州舉行的OCP全球峰會2026上展示新一代AI記憶體技術，目標是把AI基礎建設的擴展邊界從傳統HBM向外延伸。該峰會由開放運算計畫基金會主辦，聚集全球工程師與資料中心業者。SK海力士展區分為兩部分：前區「記憶體展區」陳列HBM等旗艦產品；後區「系統演示區」規模更大，聚焦下一代伺服器生態所需的記憶體方案。
美股雷達
特斯拉(TSLA-US) 執行長馬斯克週四（15日）在社群平台 X 發文指出，中國到2028年將能大規模生產隨機存取記憶體（RAM），引發市場對中國半導體產業加速追趕的關注。南韓金融專欄近期也示警，隨著中國新增產能陸續開出，南韓記憶體產業可能在2029年面臨供給過剩，若未能在未來2至3年培養新的成長動能，現有的產業優勢恐將逆轉。
美股雷達
SK海力士正處於全球記憶體晶片拋售潮風暴中心，近六日ADR股價跌逾15%，今(15)日早盤在南韓市場崩逾10%，美光、西部數據、希捷週三(14日)跌近2%。對此《CNBC》名嘴Jim Cramer指出，SK海力士與SMH半導體ETF成分股高度連動，美股晶片族群更跟海力士連動，非只跟輝達，其記憶體業務規模與價格指標意義，令SK海力士成為更廣泛半導體賣壓的領頭羊。
美股雷達
隨著全球記憶體市場供不應求，記憶體價格與供應商的定價策略成為市場關注焦點。SpaceX(SPCX-US) 執行長馬斯克週二（13日）公開肯定美光科技(MU-US) 的未來記憶體定價策略，認為相較於部分收費過高的供應商，美光採取較合理的定價方式，有助於維持長期客戶關係。
美股雷達
英特爾前執行長季辛格最新專訪再轟高頻寬記憶體(HBM)，直稱其「醜陋、太差勁」，雖是現階段最佳方案，卻有嚴重架構缺陷。他指出，HBM位元密度低，且受「海岸線頻寬」限制。透過超寬匯流排連接運算晶片，HBM3/3E為1024位、HBM4升至2048位，物理層佔用晶片邊緣大量矽面積，運算晶片通常僅兩邊放HBM、另兩邊給系統I/O，可堆疊數量受限。
國際政經
SK海力士(000660KS) 在高頻寬記憶體（HBM）之外再推新技術，於2026年OCP全球高峰會發表MARS記憶體加速架構與高頻寬快閃記憶體（HBF）。MARS在多輪AI推理測試中，首次回應速度較重新計算方案提升3至5倍；HBF則以約HBM一半的頻寬，提供約14倍容量，預計2028年初推出樣品。
美股雷達
AI晶片競爭正從「電晶體能做多小」，延伸至「不同晶片如何整合」。隨著先進製程微縮難度與成本攀升，將多塊晶片緊密連接的先進封裝技術，正成為提升效能的重要途徑，也讓台積電(2330-TW)(TSM-US)在AI供應鏈中的角色更加關鍵。據《華爾街日報》報導，過去晶片進步主要依賴電晶體設計與尺寸縮小，如今則愈來愈仰賴晶片的排列、連接及堆疊方式。
歐亞股
南韓半導體產業協會週二(13日)宣布，將於明(14)日起在江南COEX會展中心舉辦為期三天的2026年韓國半導體展覽會(SEDEX 2026)，包括三星電子和SK海力士在內300家公司將參展，共設立888個展位。三星將展示適用於雲端運算、邊緣運算和物理AI領域的下一代記憶體結構和產品，這些產品包括HBM、行動影像感測器、行動處理器、用於汽車的高可靠性半導體、半導體代工解決方案和3D記憶體結構。
歐亞股
馬斯克最新表示，一旦中國掌握一種產品的製造方法，擴大生產規模的能力往往超過世界其他地區的總和。在他看來，鋰電池和光伏已經證明這一點。讚揚中國製造的同時，馬斯克也沒忘了稱讚自家SpaceX。他把公司列為少見的例外，稱其送入軌道的總質量約為世界其他發射方總和的10倍。