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近期一則來自南韓的消息，引發全球半導體業界高度關注。南韓政府正式啟動「超級創新經濟計畫」，將投入 5,000 億韓元國家資金，專攻碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等次世代功率半導體技術；若加上民間配套資金，整體研發規模預估將膨脹至 7,500 億韓元。
在近日召開的緊急經濟指揮部會議上，南韓副總理兼企劃財政部長官具允哲拍板了此計畫細節，並直接將次世代功率半導體定位為「媲美記憶體晶片的核心戰略產業」，與小型模組化反應爐（SMR）、AI 感測器並列為未來三大成長引擎。
提到南韓半導體，外界第一印象幾乎都離不開記憶體。三星電子與 SK 海力士掌控全球七成以上 DRAM 市場，NAND 快閃記憶體領域同樣稱霸全球，AI 浪潮下的 HBM 更讓南韓半導體業大幅發展。
然而，榮景的另一面，是結構性的「偏科」：在邏輯晶片、類比晶片乃至功率半導體等非記憶體賽道，南韓的存在感遠不及歐美、日本與中國，這種過度依賴單一賽道的隱憂，在地緣政治與技術博弈日趨複雜的當下愈發凸顯。
南韓此次舉動，也讓外界好奇南韓為何在此時選擇加碼功率半導體，想知道這是臨時起意的跟風之舉，還是一場面向產業未來的戰略豪賭，以及南韓能否成功開闢出記憶體賽道之外的第二成長曲線。
對南韓而言，功率半導體是長期被忽視的薄弱環節。
數據顯示，全球功率半導體市場目前仍由歐洲、美國與日本企業主導。2024 年全球功率半導體市占率前十大企業中，英飛凌（Infineon）、恩智浦（NXP）、安森美（onsemi）、意法半導體（STMicroelectronics）、瑞薩電子（Renesas）等傳統大廠牢牢占據前列。
相較之下，南韓雖在記憶體領域具備世界頂級競爭力，但在 IGBT、MOSFET 等功率半導體領域卻長期缺乏主流業者，連南韓國家級智庫的報告也公開承認。
但這並不代表南韓全然沒有功率半導體相關的積累與布局。
事實上，南韓在化合物半導體領域的技術底子，可追溯至上世紀 90 年代。據報導，南韓早在 1992 年便已投入化合物半導體技術研發，但因長期預算不足，產業發展始終未達預期。
直到近年，隨著全球對 SiC、GaN 等第三代半導體材料的需求爆發式成長，南韓才真正開始發力。
2016 年，南韓針對矽基 GaN 與 SiC 元件啟動功率電子國家專項計畫，重點突破高純度 SiC 粉末、單晶生長、磊晶材料等上游關鍵環節；2021 年，南韓產業通商資源部發布先進功率半導體研發與產能提升計畫，明確將 SiC、GaN、氧化鎵列為三大核心材料方向，並提出支援 6 至 8 吋晶圓產線建設。
從早期的技術跟蹤到如今的舉國攻堅，南韓功率半導體已形成「龍頭企業帶領、中小企業補位、公共平台支撐」的產業格局，第三代寬能隙半導體更成為核心發展重點。
作為南韓半導體的兩大支柱，三星與 SK 集團不約而同將功率半導體視為第二成長曲線，但選擇了截然不同的切入方式。
三星電子採取的是「晶圓代工＋IDM 雙線並行」策略。在 SiC 領域，三星早在 2023 年便啟動相關布局，後因記憶體產業下行周期一度放緩，2026 年才正式全面重啟。
三星的路線清晰且積極：直接跳過 6 吋階段，瞄準 8 吋 SiC 產線建設，預計 2026 年第三季推出首款面向車用與工業應用的平面閘極 SiC MOSFET 樣品，2027 年建成試產線驗證製程，2028 年實現規模化量產。
為補足技術短板，三星還聘請擁有 25 年功率半導體經驗的安森美前高層洪錫俊主掌相關業務，同時在溝槽式 MOSFET、超級接面 SiC 等尖端技術上多線布局，累計申請多項核心專利。
在 GaN 賽道，三星則定位為晶圓代工服務商，其 8 吋矽基 GaN 產線已進入量產前準備階段，預計 2026 年第二季全面投產，涵蓋消費電子、資料中心與車用應用場景，企圖承接台積電退出 GaN 代工業務後留下的市場空缺。
相較之下，SK 集團則依託自身產業鏈基礎，走垂直整合路線。
旗下 SK Siltron 作為南韓基板龍頭，2019 年透過收購杜邦 SiC 事業部快速切入賽道，目前在美國與南韓均建有 6 吋 SiC 基板產線，遠期年產能規劃達 50 萬片，同時推進 8 吋基板技術研發。
代工端，SK Keyfoundry 擁有一座月產能約 10 萬片晶圓的工廠，主要從事類比混合訊號晶片代工業務，產品包括顯示驅動晶片（DDI）、微控制器（MCU）與 8 吋功率分離元件等，適合小批量、多樣化的產品生產。
2025 年 3 月，SK Keyfoundry 透過收購 SK Powertech 取得成熟 SiC 製程技術，已完成 1200V SiC MOSFET 研發，計畫 2026 年第一季實現量產，主攻汽車動力系統與工業電源市場；同步開發 650V GaN 製程，並與南韓本土汽車供應鏈合作驗證 800V 系統下的 DC-DC 轉換應用。
SK Powertech 前身為 Yes PowerTechnics，2022 年被 SK Inc. 納入旗下，核心優勢在於碳化矽功率半導體的設計與製造技術。
元件端，SK 控股的 Yes Power Technix 是南韓本土 SiC 元件先行者，擁有浦項與釜山兩大生產基地，SiC 年產能達 2.9 萬片，產品涵蓋二極體、MOSFET 與功率模組，已打入工業與車用供應鏈。
分析指出，從這可以看出，從基板、代工到元件，SK 集團已搭建起相對完整的 SiC 產業鏈，也是南韓政府「超級創新計畫」的核心牽頭企業。
除兩大龍頭，南韓還湧現出一批深耕功率半導體的中小企業，構成產業生態的中堅力量。
Power Master Semiconductor（PMS）是南韓本土少數的功率 IDM 廠商，核心團隊出身仙童半導體（Fairchild Semiconductor），擁有南韓唯一的 8 吋矽基＋6 吋 SiC 晶圓廠。
2022 年，PMS 推出南韓首款 1200V SiC MOSFET，開關損耗與品質因數可對標國際一線大廠，產品主打工業電源、太陽能逆變器與車用充電器場景，同時深耕中國市場，與多家陸企達成供貨合作。
東部高科（DB HiTek）則是南韓功率半導體領域的代表性企業之一。作為領先的 8 吋純晶圓代工廠，DB HiTek 於 2025 年 12 月正式啟動 SiC 與 GaN 製程的多項目晶圓試產，為十餘種客戶產品生產樣品，並計畫於 2027 年啟動全面規模化量產。
該公司還在南韓忠清北道上隅園區擴建無塵室，新設施建成後月產能將增加 3.5 萬片 8 吋晶圓，總產能將由目前的 15.4 萬片提升至 19 萬片，增幅達 23%，清楚勾勒出 DB HiTek 意圖在全球功率半導體代工市場中占有一席之地的野心。
值得關注的還有成立於 2018 年的功率半導體設計公司 EYEQ Lab。2025 年 9 月，EYEQ Lab 在釜山舉行總部及 8 吋 SiC 生產設施落成儀式，標誌南韓首座能實現 8 吋 SiC 功率半導體全流程本土化生產的工廠正式竣工。
該工廠總投資 1,000 億韓元，將從設計公司轉型為集設計、製造於一體的 IDM 企業，也是南韓首個所有環節皆在本土完成的 8 吋 SiC 生產基地。新工廠預計 2026 年正式投產，初期目標年產 3 萬片 8 吋晶圓，同時對外接受代工訂單。
EYEQ Lab 並於 2025 年初宣布與南韓科學技術院（KAIST）等頂尖學府建立研發合作，共同開發次世代 SiC 半導體材料。
分析指出，EYEQ Lab 的崛起，填補了南韓本土 SiC 從設計到全流程製造的空白，折射出南韓功率半導體產業逐漸從追趕走向自建的內在邏輯。
Power Cube Semi 則以製程差異化見長，其開發的 SiC 蕭特基二極體可透過一次離子注入完成製造，減少工序、顯著提升成本競爭力，目前 6 吋 1200V SiC 二極體已實現量產。
該公司同時承接南韓國家級項目開發溝槽式 1700V SiC MOSFET，並與現代汽車合作研發氧化鎵功率元件，提前布局下一代材料技術。
此外，長期深耕功率半導體領域的 KEC Corporation，於 2025 年 11 月入選面向電動車與可再生能源的次世代功率半導體核心元件開發國家項目；ChipScale 成功量產 650V 氮化鎵功率半導體，成為南韓首家實現此技術的公司；TRinno Technology 則在 SiC JBS 與 MOSFET 領域擁有自主製程，積極推動南韓本土技術自主化。
南韓產業生態中，目前還活躍著約 20 多家功率半導體 IC 設計企業，構成一股不容忽視的創新力量。
為補齊中小企業在研發與產能上的短板，南韓政府打造了完善的公共支撐體系。釜山功率半導體商用化中心（PSCC）是其中核心載體，該中心建立了南韓國內首座可共享的 6 吋碳化矽功率半導體原型製造廠，配備 23 套 SiC 前段製程設備、5 套後段設備與 22 套可靠性認證設備，能為無晶圓廠（Fabless）企業提供原型開發、試產測試與可靠性驗證服務，可將研發生產成本降低 50% 至 60%。
同時，釜山、浦項等地的專業產業園區持續升級，重點承接 8 吋化合物半導體產線落地，帶動上下游企業聚集發展。
釜山市政府另計畫在園區增建 8 吋化合物功率半導體生產設施，該項目已於 2024 年取得國家及市級基金挹注。此外，PSCC 旗下約 20 家相關子公司計畫投資 1.1 兆韓元（約合台幣 240 億元），用以打造次世代功率半導體生態系統。
政策層面，南韓已完成從資金補貼到立法保障的全面升級。2026 年 1 月，南韓國會審議通過《半導體產業競爭力強化及扶持特別法》，設立直屬的半導體產業競爭力強化特別委員會，每五年制定產業發展基本計畫，為功率半導體等戰略賽道提供制度保障。
2026 年 3 月，南韓產業通商資源部（MOTIE）成立「次世代功率半導體推進小組」，由光雲大學具相謨教授領銜，明確訂出「2030 年將技術自主率從目前的 10% 提升至 20%」的目標。
分析指出，從一連串布局可以看出，南韓這次對功率半導體的加碼，並非一時跟風，而是建立在十多年技術積累、大廠策略轉向與政策制度化基礎上的長期布局。
至於能否真正擺脫「只靠記憶體吃飯」的產業結構、走出屬於自己的第二成長曲線，仍有待後續產能落地與技術自主化進度的檢驗。
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