氮化鎵

10-21台股新聞

〈焦點股〉碳化矽第三代半導體再掀熱潮 嘉晶漲停帶動漢磊大漲

隨著 AI 算力需求不斷攀升，輝達 (NVDA-TW) 啟動「電力大革命」，將 AI 伺服器晶片輸出電壓規格從 54V 大幅拉升至 800V，未來即將導入碳化矽 (SiC) 元件，升級電力系統，激勵今 (12) 日第三代半導體概念股，SiC(碳化矽) 類股向前衝，包括嘉晶 (3016-TW) 早盤迅速亮燈攻漲停，同集團的漢磊 (3016-TW) 則是盤中爆量一度逼近漲停。

09-09台股新聞

〈SEMICON〉鴻海舉辦2025 NExT Forum 秀第四代半導體研發成果

鴻海 (2317-TW) 旗下鴻海研究院與 SEMICON Taiwan 再度合作，今 (9) 日舉辦「功率暨光電半導體論壇 / NExT Forum 2025」。鴻海研究院也分享了最新在碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 與氧化鎵 (Ga₂O₃) 等化合物半導體的研發成果。

05-22美股雷達

納微盤後瘋漲逾180% 與輝達開發新一代800V電力架構

半導體大廠納微半導體 (Navitas) 週三 (21 日) 盤後股價飆漲逾 180%，因納微半導體宣布與 AI 巨頭輝達展開合作，共同開發新一代 800V 高壓直流(HVDC) 電力架構。納微 (NVTS-US) 週三盤後宣布，該架構將支援為輝達 GPU 供電的系統，旨在為下一代人工智慧工作負載建立高效且可擴展的電源。

12-27台股新聞

群電強攻微型高效NB電源 大瓦特數產品導入GaN比率達3成

電源廠群電 (6412-TW) 宣布攜手德州儀器 (TI)，結合雙方微型高效電源技術，推出全新一代的超小尺寸 65W PD3.2 筆電電源供應器，挑戰全世界最小體積。群電表示，目前公司大瓦特數筆電電源供應器採用 GaN 的比率已達 30% 以上，且比例正迅速提升中。