輝達(NVDA-US)執行長黃仁勳在摩根士丹利科技大會上向全球記憶體產業釋出強烈訊號，直言DRAM廠商可放心擴產，「蓋多少產能，輝達就用多少」，顯示AI浪潮帶動的記憶體需求仍將持續爆發。在不少市場人士將記憶體、晶圓、先進封裝與電力等資源限制視為AI產業發展瓶頸之際，黃仁勳卻提出不同觀點。他表示，晶片供應緊張反而是「非常好的消息」，因為在資源有限的情況下，企業在採購AI基礎設施時會更加謹慎，往往直接選擇性能最強的解決方案。黃仁勳指出，在資金與規模優勢下，輝達能在整個供應鏈提前鎖定關鍵資源，從晶圓到記憶體再到封裝產能都能提前布局，因此更能在供應受限的環境中受益。他甚至向DRAM廠商喊話：「盡管去建記憶體廠，你們擴增多少產能，輝達就會用掉多少。」黃仁勳進一步提到，他「其實很喜歡限制」，因為當資料中心的土地、電力與空間都受到約束時，企業就必須選擇能提供最高運算效率的AI系統，而輝達目前是全球少數能替客戶從零打造整座「AI工廠」的公司，從硬體到軟體提供完整解決方案。目前輝達已提前鎖定大規模AI基礎設施所需的關鍵零組件，包括記憶體、晶圓與CoWoS先進封裝產能。即使DRAM價格上漲，公司也不打算縮減備貨規模，這也為三星電子、SK海力士與美光等記憶體廠商提供明確需求前景。隨著AI晶片持續升級，記憶體需求也大幅提升。輝達目前GB300AI晶片支援的高頻寬記憶體(HBM)容量已提升至288GB，高於上一代GB200的192GB。即將推出的下一代AI平台VeraRubin雖維持288GBHBM容量，但將從HBM3E升級至HBM4規格。HBM4採用16層堆疊設計，相較HBM3E的12層堆疊製程更加複雜，也意味著需要消耗更多記憶體產能。外傳韓國兩大記憶體廠三星電子與SK海力士已納入VeraRubin平台的HBM4供應鏈。由於HBM從晶圓製造到封裝完成的週期超過六個月，兩家公司最快可能在本月啟動量產。在供應結構方面，市場預估2026年SK海力士將取得輝達超過一半的HBM採購量(包含HBM3E與HBM4)，而三星則有望拿下VeraRubin平台專用HBM4的大部分訂單。產業預測顯示，SK海力士仍將以約50%的全球HBM位元產能占比維持龍頭地位，但較2025年的59%略有下降；三星則可望將全球市占從20%提升至28%，追趕態勢明顯。美國總統川普週一(9日)暗示美國與伊朗的戰爭可能很快結束後，美股黑翻紅，費城半導體指數大漲295.66點，或3.93%，收7,810.40點。輝達(NVDA-US)揚升2.72%至每股182.65美元。
