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中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術，但在龐大內需、政策與資本投入，以及供應鏈國產化推動下，已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。摩根士丹利指出，中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」，真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。
科技
三星電子(005930-KR)周四(27日)發表Galaxy S26 FE，鎖定希望以低於旗艦機種的價格，取得部分高階功能的消費者。不過，新機售價不僅調高，處理器、記憶體、相機及裝置端人工智慧(AI)功能也有所取捨，市場定位顯得略為尷尬。Galaxy S26 FE售價700美元，較前一代上漲50美元。
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三星電子(005930KS) 正加速布局AI晶片先進封裝，並揭露面板級封裝（PLP）、玻璃基板與混合鍵結等技術路線圖，計畫將已用於行動裝置的PLP技術延伸至AI伺服器市場，商用時程預估落在2028年前後；玻璃基板最快可能於2029年商用，但2030年前後被認為更為實際。
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《巴隆周刊》報導，中國 2023 年封殺美光科技 (MU-US)，當時被視為對美光的沉重打擊，如今卻可能讓美光因禍得福。由於禁令迫使美光提早降低中國營收比重，面對中國記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 崛起，美光受到的衝擊反而可能小於三星電子與 SK 海力士。
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中國記憶體業者長鑫科技(688825-CN) 在LPDDR6記憶體布局傳出重大進展。隨著小米(01810-HK) 自研晶片「玄戒O3」（Xring O3）成為首款支援LPDDR6 RAM的系統單晶片（SoC），長鑫科技據傳已從新一代記憶體研發驗證階段進一步邁向量產，並可能成為小米的重要供應商。
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研調機構 Counterpoint Research 最新研究指出，受零組件成本上升、低價智慧型手機供應減少及消費者購買力承壓影響，2026年全球智慧型手機出貨量預估年減14.3%。市場壓力預計延續至2027年，出貨量再下滑1.4%，並於2028年恢復成長。
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三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正同步加快在中國的NAND快閃記憶體布局，兩家南韓記憶體大廠計畫在明年前陸續完成新一輪設備投資，鎖定人工智慧（AI）伺服器帶動的高階儲存需求成長。根據《ZDnet》報導，三星電子已具體化西安廠第9代NAND轉換投資計畫，並確定追加設備投資方案，相關設備採購訂單預計在今年底前敲定，補充投資則規劃於明年下半年啟動。
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南韓兩大記憶體晶片廠三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 正加大中國 NAND 快閃記憶體產能投資。業界消息指出，兩家公司計畫明年積極推進中國 NAND 生產線設備投資，其中三星將擴充西安廠先進 V9 NAND 產能，SK 海力士則重啟大連二廠擴產，規劃新增每月約 3 萬片晶圓產能。
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3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
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隨著記憶體晶片成本飆升，輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知，稱搭載輝達人工智慧（AI）晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。根據《彭博》報導，知情人士透露，這波漲價預計適用於明年初出貨的系統，包括搭載輝達最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。
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Anthropic正從擴大外部採購轉向「自研＋多元採購」並行，延攬Google(GOOGL-US) 客製化晶片業務創辦人Amir Salek組建自研團隊，同時與多家業者合作，提前鎖定2027年約3.5GW的TPU容量，藉此降低對輝達(NVDA-US) 的依賴並壓低推理成本。
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AI、高效能運算（HPC）持續推動先進封裝升級，玻璃基板產業也從過去強調材料性能，逐步進入更關鍵的工程驗證階段。近期產業鏈出現截然不同的進展，有業者推進合作與中試線，也有廠商因客戶可靠性測試出現瓶頸而調整量產時程，顯示玻璃基板真正的競爭焦點，已從「誰最早宣布」轉向「誰能穩定通過驗證並按時交付」。
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知情人士透露，三星電子準備21日（周五）公布一項新股東回報計畫，規模最高有望達到110兆韓元（790億美元）。據《彭博》報導，消息人士透露，三星電子董事會定21日韓國股市收盤後（當地時間下午4時左右）召開會議，並將在會後不久正式宣布股東回報計畫詳情。
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歐洲智慧手機市場持續萎縮，但蘋果 (AAPL-US) 逆勢擴大市占率，第二季已追平三星電子 (005930-KR)，兩家公司各自拿下 34% 市占，並列歐洲市場銷售冠軍。根據 Counterpoint Research 數據，2026 年第二季歐洲智慧手機出貨量年減 10%至 3,500 萬支，寫下三年來最疲弱的第二季表現。
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AI 晶片需求持續升溫，帶動先進製程產能吃緊。據外媒引述知情人士報導，三星電子今年 7 月調高 4 奈米、5 奈米及 8 奈米製程的新訂單價格，部分中國與美國客戶漲幅最高達 15%。其中，三星 4 奈米 SF4 製程對中國及美國客戶的報價較 6 月上漲 10% 至 15%，台灣客戶漲幅相對較小，約為 5% 至 10%。
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三星電子因人工智慧(AI)晶片需求激增、先進製程產能吃緊，已針對部分新接晶圓代工訂單調漲價格，漲幅最高達15%。隨著台積電(TSMC)(2330-TW)(TSM-US)先進製程產能接近滿載，客戶轉向三星與英特爾(Intel)(INTC-US)，三星晶圓代工業務議價能力隨之提升，長年虧損的部門最快可能在明年轉虧為盈。
台股新聞
據悉，台積電(2330-TW) 已在埃米級半導體製程領域搶得先機。為解決傳統晶片正面供電與訊號線路爭奪有限布線空間所造成的瓶頸，該公司已經在A16這項2奈米以下的先進製程背面供電技術方面取得優勢。根據《ETNews》報導，業界消息人士18日透露，台積電已成功開發並驗證A16，成為業界首個導入「超級供電軌」（Super Power Rail，SPR）背面供電架構的埃米級CMOS平台。
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AI需求持續推升記憶體投資熱潮，三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 今年上半年大舉擴充半導體產能，兩家公司設施投資合計達43.198兆韓元，較去年同期大增35.1%，產能利用率更雙雙達到100%。值得注意的是，兩大記憶體廠客戶結構也出現變化，輝達(NVDA-US) 在SK海力士營收占比明顯下滑，甚至未進入三星前五大客戶名單。
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研調機構Counterpoint Research指出，2026年上半年全球高階智慧型手機市場（批發平均售價600美元以上）銷量年增5%，占全球智慧型手機總銷量29%，創歷年上半年新高，高於2025年上半年的25%及2022年上半年的20%。
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南韓青瓦台週二(18日)以簡訊形式否認當地媒體關於「韓美正討論將半導體列為對美3500億美元投資承諾首個項目」的報導，並拒絕透露與華盛頓就該投資承諾磋商的細節。南韓《中央日報》稍早引述匿名執政黨官員報導指出，原定8月下旬公布的南韓對美首筆重大投資項目出現變數，因華府上周四(13日)在青瓦台閉門貿易會議上「意外要求韓方投資美國記憶體晶片工廠」，而首爾原先將能源列為對美首投優先領域。