追求利潤最大化！韓媒：三星、SK海力士今年將繼續減產NANDD快閃記憶體

儘管 AI 正以前所未有的速度推高記憶體需求，南韓兩大記憶體晶片巨頭三星和 SK 海力士卻決定今年繼續削減 NAND 快閃記憶體產量，這項「逆勢減產」策略料將推動 NAND 價格在伺服器、PC 和行動裝置等領域全面上行，並有望使其帶來與 DRAM 相當的利潤率提升。

《朝鮮日報》周二 (20 日) 引述 Omdia 數據報導指出，三星今年 NAND 晶圓投片量料將從去年約 490 萬片下調至 468 萬片，甚至低於 2024 年因虧損而減產時的水平。SK 海力士也打算將產量從約 190 萬片壓縮至 170 萬片。兩家公司合計佔據全球 NAND 市場超過 60% 市佔率，同步減產將對全球供應格局產生顯著影響。

三星與 SK 海力士最新減產決策的背景，是 AI 推理競賽的急遽升溫。根據花旗數據，輝達打算在今年下半年量產的下一代 AI 加速器 Vera Rubin，其單台系統搭載的固態硬碟容量高達 1152TB，是現有 Blackwell 平台的十倍以上。該產品在 2026 年和 2027 年料將分別創造約 3460 萬 TB 和 1.152 億 TB 的新增儲存需求，為 NAND 記憶體市場帶來巨大增量。

然而，面對 AI 帶來的機遇，三星和 SK 海力士的資本支出正明顯地向獲利能力更強的 DRAM 及高頻寬記憶體 (HBM) 傾斜。業內普遍認為，NAND 業務已退居其次。此外，向更適合 AI 資料中心的四層單元 (QLC) 技術轉換，其固有的設備安裝、良率爬坡等過程也會帶來「自然減產」效應。

韓廠高層認為，目前沒有迫切理由大幅增產 NAND，減產帶來的利潤紅利今年將達到高峰。

市場機構普遍預測 NAND 價格將進入新一輪上行通道。根據 TrendForce 預估，今年第一季 NAND 快閃記憶體合約價將季增 33% 至 38%。IDC 則預測今年全球 NAND 供應成長率約 17%，低於近年水準。在 AI 伺服器、PC 和行動終端需求共振的背景下，主要供應商的供應控制可能加劇市場短缺，為三星和 SK 海力士改善獲利提供良機。

AI 驅動的超級週期已為三星與 SK 海力士帶來豐厚回報，並直接體現在員工薪酬上。三星半導體部門已確認，本月將向符合資格的員工發放相當於基本年薪 47% 的績效獎金，接近公司內部 50% 的上限，而 2023 年該部門因市場低迷一度停發獎金。

SK 海力士則更為激進，取消了「獎金不超過 10 個月基本工資」的上限，擬將 2025 年營業利潤的 10% 用於利潤分享。基於約 45 兆韓元的全年營業利潤和 3.3 萬名員工，人均獎金料將超過 1.4 億韓元，創下歷史新高。

值得注意的是，這些創紀錄的獎金發放，正值兩家公司大規模將產能轉向 HBM 生產。由於 HBM 消耗的晶圓產能約為標準 DRAM 的三倍，這項轉型也導致 DDR5 等通用記憶體供應趨緊，進一步推高整體記憶體晶片價格，為晶片製造商帶來了「DRAM+NAND」的雙重利潤成長動力。