最新市場數據顯示，今年2月記憶體現貨價格整體上揚，其中NAND快閃記憶體晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續擴大，現貨價格快速攀升，採購資金壓力同步增加，若趨勢不變，業界恐面臨周期性崩潰風險。具體來看，DDR516G(2Gx8)晶片均價升至39美元，月增7.4%，1TbTLC快閃晶圓漲25%至25美元，成為月度漲幅冠軍。雖然春節假期使2月中的交易降溫，但假期後市場迅速回溫，價格持續向上。DDR4表現則較分化，16Gb(2Gx8)幾乎持平，僅微漲0.26%至78.1美元，8Gb(1Gx8)上漲6.8%至33美元。相較今年1月普遍20至30%漲幅，DDR4明顯放緩，DDR34Gb(512Mx8)則上漲7.5%至5.70美元，專家認為此現象多屬季節性因素，非市場壓力緩解。與此同時，合約價格預期也大幅上調。TrendForce上月初將2026年第一季傳統DRAM合約價漲幅由55%至60%上修至90%至95%，PCDRAM更預估季增翻倍，創新紀錄，NAND合約價則由33%至38%上調至55%至60%。推升價格的主因是AI基礎建設帶動伺服器DRAM與HBM需求，持續吸納產能，使傳統DRAM與消費級NAND供應吃緊。在NAND市場，2月現貨漲價僅是長期趨勢一環，自去年10月以來，1TbQLC/TLC晶圓價格已飆漲約三倍，512GbTLC更猛漲近五倍，主因是廠商將更多產能轉向高利潤企業級SSD，壓縮模組廠的晶圓供應，持續推高市場價格。
