〈觀察〉先進製程進入埃米時代 各大廠搶EUV設備爭話語權

High-NA(高數值孔徑) EUV設備為延續摩爾定律的關鍵。(圖:AFP)
High-NA(高數值孔徑) EUV設備為延續摩爾定律的關鍵。(圖:AFP)

2 奈米成為半導體先進製程決戰點,台積電 (2330-TW)(TSM-US)、三星、英特爾 (INTC-US) 相繼喊出量產時程,也持續往再下世代的埃米 (angstorm) 時代佈局,High-NA(高數值孔徑) EUV 則為延續摩爾定律的關鍵,台積電除先前傳出取得 High-NA 研發型 EUV 曝光機外,也首度談及引進量產型機台時程,持續掌握埃米時代話語權。

目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光設備,生產晶片精度最多 2 奈米,一旦進入 2 奈米以下的埃米時代,就得以更高精準度曝光設備生產,透過最先進的 High-NA EUV 微影設備,才能推進半導體技術下個重大創新,成為先進製程決勝關鍵。

英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購買業界首台 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200,其為首款具備 High-NA 的 EUV 大量生產系統,每小時晶圓曝光產能超過 200 片,英特爾並宣布將於 2025 年開始以 High-NA EUV 進行生產。

由於英特爾為當時首家宣布取得 High-NA 量產型 EUV 設備的半導體廠,格外引發市場關注,甚至有研調機構分析師認為,若英特爾可搶先採用該設備,在摩爾定律競賽中,有機會超車台積電。

不過,台積電在日前的北美技術論壇上,首度談及引進相關設備時程,宣布將於 2024 年引入 EXE:5200,以滿足客戶需求並推動創新,但並未透露該設備大規模量產時間點,僅表示 2024 年還不準備用新的 High-NA EUV 設備生產,主要用於與合作夥伴的研究。

然而,在英特爾下訂業界首台 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200 前,業界就傳出台積電早已向 ASML 採購 High-NA 研發型 EUV 曝光機 EXE: 5000,除搶下大部分機台外,相關設備今年就能開始供貨,且每小時生產的晶圓片數為 182 片,與量產型機台差異不大。

也因此,業界認為,即便英特爾率先取得量產型機台 EXE:5200,但對產能幫助可能有限,要在埃米時代拿下市場霸主地位,恐怕還是充滿挑戰。


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