製程
歐亞股
南韓三星電子周二(29日)釋出晶圓代工中長期擴客目標，代工事業部高層盧美貞表示，以2017年該業務首度獨立法人為基準，目前客戶數已增至約3倍，預計2029年進一步達到約4倍，由現有以行動裝置為主轉向AI與高效能運算(HPC)擴張。《韓聯社》報導，HPC相關佔三星電子營收比重2017年僅5%，如今升至28%，公司目標2029年衝到66%，屆時HPC客戶數佔整體客戶逾半，營收貢獻也將遠超一半。
美股雷達
英特爾 (INTC-US) 代工業務負責人Naga Chandrasekaran近日向投行KeyBanc透露，英特爾下一代14A製程技術的性能預計將在台積電 (2330-TW)(TSM-US) A14節點的「5%以內」。這項表述引發了業界對英特爾未來製程競爭力的廣泛討論，因為「5%以內」既可以理解為14A領先A14不超過5%，也可以理解為落後不超過5%，其具體含義尚不明確。
科技
根據野村周二(22日)召開的AI基礎設施服務商專家電話會議紀錄，1.6T光模組正踩下產業放量的煞車，而卡住它的不是產能意願，是3奈米製程。1.6T光模組數位訊號處理器(DSP)的結構性供應缺口至少將持續至2027年下半年，因先進製程產能不足與良率偏低，而非需求端的短暫波動。
台股新聞
聯發科(2454-TW)今(22)日推出全新Dimensity個人運算(Compute Experiences；CX)系列平台的首款旗艦SoC Dimensity CX C10 Max，其採用台積電(2330-TW)(TSM-US) 3奈米製程，為即將上市的高階、超便攜Googlebook提供卓越性能、先進功能，以及出色能效。
國際政經
國際商業戰略公司(IBS)最新預測，全球半導體市場規模將由2020年4467億美元，升至2026年約1.586兆美元、2030年2.585兆美元、2035年4.678兆美元。IBS指出，原估2030年才達1兆美元的目標被AI提前約四年實現。研調機構顧能(Gartner)亦給出相近總量，預估今年全球半導體收入1.6兆美元，較去年8090億美元增92%，其中記憶體收入約8370億美元、佔比升至54%，2027年記憶體有望破1兆美元。
美股雷達
儘管英特爾(INTC-US) 下一代14A製程目前尚未確定主要客戶，但根據Piper Sandler最新發布的投資報告，隨著業界積極尋找台積電(2330-TW) 以外的可行替代方案，科技業各大企業均已開始評估這項製程。根據《Wccftech》報導，Piper Sandler指出，在多項宏觀與微觀因素交互影響下，亞馬遜(AMZN-US) 、蘋果（Apple）、超微半導體(AMD-US) 、Google(GOOGL-US) 、特斯拉(TSLA-US) 、微軟(MSFT-US) 、輝達(NVDA-US) 及高通(QCOM-US) 都在評估這項下一代製程。
美股雷達
ASML Holding(ASML-US)正探索在2028年將極紫外(EUV)晶片光刻機產量提高至110台以上的可能性。摩根大通分析指出，儘管近期市場因人工智慧(AI)產業可能放緩的疑慮而出現拋售，但AI需求目前仍「非常非常強勁」，而先進晶片製造商對EUV設備的需求已提前延伸至2028年。
台股盤勢
行政院長卓榮泰今（10）日在行政院會聽取國家科學及技術委員會「晶片驅動-全台半導體核心設施建置及前瞻晶片設計軟體開發」報告後表示，政府規劃自2024年至2033年投入3000億元，推動「全台半導體核心設施建置」與「前瞻晶片設計軟體開發」，結合軟硬體升級。
美股雷達
英特爾晶圓代工部門最新宣布，採用高數值孔徑極紫外光刻(High-NA EUV)技術處理的晶圓累計量突破100萬片，涵蓋設備認證、測試研發及部分產品層量產，標誌著該技術正從實驗室驗證邁向實際產線。英特爾披露，處理總量已超過全球其他採用該技術的晶片製造商之和，鞏固了在新型光刻賽道的先發優勢。
歐亞股
外媒最新報導指出，受全球AI算力驅動、HBM需求持續遠超供給影響，三星電子已將旗下4奈米製程超過50%產能分配給HBM相關記憶體晶片的核心基礎裸片生產，這部分產能目前已處於滿載運轉狀態，全力支撐HBM4產品的產能爬坡。《Wccftech》與《ZDNet Korea》援引三星電子內外部消息人士報導，不同於採用客製化記憶體工藝製造的HBM DRAM堆疊模組，HBM底部的基礎裸片採用的是邏輯晶片製造工藝，承擔與上層DRAM堆疊互聯、集成記憶體控制器與物理層介面的核心功能，直接決定HBM整體資料傳輸效率與系統集成度。
A股
中國半導體設備商北方華創(002371-CN) 近日公布最新研究成果，聲稱已開發出一種用於製造3D DRAM晶片的兩步驟蝕刻製程。若這項技術進一步應用於記憶體製造，可能有助中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 推進3D DRAM與垂直製造，破解極紫外（EUV）曝光機制裁限制。
歐亞股
三星電子在 SEMICON Taiwan 2026 期間公布新一代高頻寬記憶體（HBM）與下一世代儲存架構布局，從 HBM5、zHBM 到 zNAND-O，涵蓋高頻寬、高容量、低功耗與散熱等方向，顯示三星正加速布局AI基礎設施所需的下一代記憶體技術。
美股雷達
英特爾(INTC-US) 14A製程進展傳出正面訊號，財務長David Zinsner表示，14A缺陷密度的改善速度已達到公司自2012年22奈米製程推出以來最快水準，且首批14A產品已啟動設計，顯示製程成熟度與客戶興趣同步提升。英特爾預計14A於2027年進入風險試產、2028年量產，並持續開發採用正反面供電架構的第二代14A2製程。
歐亞股
AI算力狂潮正將記憶體巨頭的軍備競賽從晶片產能燒向上游矽晶圓，南韓SK 海力士今年第二季矽晶圓採購金額季增104%，採購力度大幅超越三星電子，直指晶圓漲價預期與備料壓力。SK 海力士此舉本質是提前鎖定原料、平抑未來漲價波動。與三星同期保守策略形成策略分歧，SK 海力士以激進備料確保HBM及先進DRAM產能釋放不受原料掣肘，鞏固AI供應鏈交付確定性。
台股新聞
人工智慧（AI）晶片需求持續強勁，正重新改變全球晶圓代工市場的定價格局。三星電子(005930KS) 率先調高部分先進與成熟製程報價後，市場預期台積電(2330-TW) 也將跟進，旗下各製程價格可能全面上調10%至15%。分析指出，在先進產能供不應求、AI需求強勁的背景下，晶圓代工龍頭的議價能力正進一步提升。
美股雷達
英特爾(INTC-US) 下一代14A（1.4奈米級）製程傳出正面進展，缺陷密度下降速度不僅優於公司原先設定的目標曲線，更創下22奈米製程以來的最佳表現。英特爾財務長David Zinsner在德意志銀行2026年科技大會上表示，14A目前的製程表現讓公司「自22奈米以來從未見過這樣的表現」。
美股雷達
蘋果(AAPL-US)周二(25日)發表新一代Mac mini與Mac Studio桌上型電腦，全面升級處理器、無線連線及人工智慧(AI)運算能力。其中，Mac mini首度搭載M6晶片，Mac Studio則可選配目前蘋果性能最強的M5 Ultra，鎖定AI開發者及需要在本機運行大型模型的專業使用者。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
美股雷達
三星電子因人工智慧(AI)晶片需求激增、先進製程產能吃緊，已針對部分新接晶圓代工訂單調漲價格，漲幅最高達15%。隨著台積電(TSMC)(2330-TW)(TSM-US)先進製程產能接近滿載，客戶轉向三星與英特爾(Intel)(INTC-US)，三星晶圓代工業務議價能力隨之提升，長年虧損的部門最快可能在明年轉虧為盈。
台股新聞
據悉，台積電(2330-TW) 已在埃米級半導體製程領域搶得先機。為解決傳統晶片正面供電與訊號線路爭奪有限布線空間所造成的瓶頸，該公司已經在A16這項2奈米以下的先進製程背面供電技術方面取得優勢。根據《ETNews》報導，業界消息人士18日透露，台積電已成功開發並驗證A16，成為業界首個導入「超級供電軌」（Super Power Rail，SPR）背面供電架構的埃米級CMOS平台。