SK海力士
外媒最新報導指出,美光科技正打算在今年底前進行大規模設備投資,全力提升最新一代HBM4 12層產品的供應能力,此舉意在彌補與三星電子、SK海力士在HBM產能的差距,進而搶奪更多市佔率。南韓媒體《ETNews》報導,美光此次擴產力道空前,打算在今年底每月新增最多6萬片的HBM產能(以晶圓計)。
《巴隆週刊》報導,中國記憶體製造商正快速擴大市場版圖,南韓SK海力士可能成為市占率競爭下的主要承壓者。Counterpoint Research數據顯示,SK海力士第二季DRAM市占率由前一季的29%降至25%;同一期間,中國長鑫存儲 (CXMT) 市占率則由8%升至10%。
歐亞股
韓國國有電力企業韓國電力公社近日已向三星電子、SK海力士提出建議,希望這兩家公司合計預繳未來五年共25兆韓元(約184億美元)電費,所籌資金將用於建設半導體聚落配套電網。韓國電力公社(下稱韓電)已提議這兩家公司預付合計25兆韓元的電費,其中三星電子需預繳20兆韓元(約147億美元),SK海力士需預繳5兆韓元(約37億美元)。
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韓國電力公社(KEPCO)為填補電網擴建資金缺口,已向三星電子(005930KS) 與 SK海力士(000660KS) 提出方案,要求兩家公司預付未來5年、合計25兆韓元(約181億美元)的電費。若方案成行,將是韓國電力首度把既有預付電費機制,轉化為大規模電網建設的融資工具。
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南韓政府正把AI抬到國家戰略高度,7月宣佈到2029年建成8.4GW資料中心算力、投資9190億美元,2035年擴大至18.4GW,對此專家表示,數兆韓元籌碼的流向遠比「振興本土」複雜,三星與SK海力士未必完全受惠,輝達則是最大贏家。專家指出,南韓無先進AI加速器自主供應商,Rebellions、FuriosaAI在部署規模、軟體成熟度上仍難匹敵輝達。
歐亞股
SK集團董事長崔泰源周三(2日)接受媒體採訪時拋出重磅信號稱,SK海力士與日本鎧俠的聯合生產「是一種選擇」,該集團同時正評估在日本建設記憶體晶片工廠。崔泰源表示,鎧俠是「實力雄厚的企業」,合作可涵蓋聯合生產、研發與供應鏈共享。值得玩味的是,雙方既是NAND快閃記憶體對手,又是資本關聯方,因鎧俠最大股東在上月由東芝變為貝恩資本旗下SPC,而SK海力士持有該SPC可轉債,轉股後將取得近乎全部投票權,但受2018年協議約束,2028年前未經鎧俠同意其投票權不得逾15%。
美股雷達
美光(MU-US)蓬勃發展的記憶體晶片業務推動股價過去一年節節走高,但台灣美光工會因薪酬不透明等因素感到不滿,爭取獲得競爭對手SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)及三星電子相當的分紅方案,否則將發動罷工。巴隆周刊(Barron’s)報導,美光雖然是美國企業,但很大一部分製造業務實際上都在台灣進行,若爆發罷工,可能對美光營運造成顯著影響。
歐亞股
AI算力狂潮正將記憶體巨頭的軍備競賽從晶片產能燒向上游矽晶圓,南韓SK 海力士今年第二季矽晶圓採購金額季增104%,採購力度大幅超越三星電子,直指晶圓漲價預期與備料壓力。SK 海力士此舉本質是提前鎖定原料、平抑未來漲價波動。與三星同期保守策略形成策略分歧,SK 海力士以激進備料確保HBM及先進DRAM產能釋放不受原料掣肘,鞏固AI供應鏈交付確定性。
歐亞股
據南韓經濟日報(SEDaily)周一(8/31)報導,隨著AI基礎建設對高頻寬記憶體(HBM)需求持續飆升,三星電子已將高達70%的記憶體產能透過長期供應協議(LTA)鎖定,合約期限延伸至2031年。這項策略正在深刻改變傳統記憶體市場的週期性特徵,同時也導致現貨市場價格與長期合約價格之間出現高達4至5倍的巨大價差。
美股雷達
美國記憶體大廠美光(MU-US)在台工會周二(9/1)表示,除非公司改革獎金制度,並將更多獲利分享給員工,否則將朝發動罷工的方向推進。工會內部調查顯示,逾八成參與會員支持罷工,若最終付諸行動,恐衝擊美光營運及台灣半導體供應鏈。代表美光桃園及台中員工的工會在書面回覆《路透》時表示,美光在兩地約有1.5萬名員工,其中近1萬人為工會會員。
台股新聞
研調機構TrendForce今(1)日釋出最新記憶體產業研究,NAND Flash原廠為達成獲利最大化、優化產品組合,全面擴大供應高毛利的enterprise SSD產品。在出貨量、合約價格同步飆升的情況下,2026年第二季全球前五大enterprise SSD品牌合計營收已接近375.9億美元,季增幅度高達103.6%。
歐亞股
最新數據顯示,南韓以半導體為主力的出口熱潮延續至8月,且增長速度超出市場預期,顯示人工智慧(AI)帶動的晶片需求幾乎沒有降溫跡象。南韓產業通商資源部周二(1日)公布初步數據顯示,8月出口年增68.7%至982.6億美元,高於經濟學家預估的62%,7月經修正後為年增63.0%。
歐亞股
隨著人工智慧(AI)熱潮持續推升記憶體需求、控制生產成本,南韓記憶體大廠SK海力士(000660KS) 正在研究日本潛在設廠地點的可行性。根據《彭博》報導,SK集團董事長崔泰源(Chey Tae-won)日前在日本仙台出席韓日商會相關會議期間表示,公司正評估日本各地不同地點。
美股雷達
人工智慧(AI)浪潮正重新改寫半導體產業的供需結構,過去高度仰賴景氣循環、價格波動劇烈的記憶體市場,如今因高頻寬記憶體(HBM)需求爆發,以及大型雲端服務商提前鎖定產能,逐漸從傳統「商品型」半導體轉變為AI基礎建設的核心環節。Gartner 4月預估,全球記憶體營收將從2025年的2163億美元,大增至2026年的6333億美元,占整體1.32兆美元半導體市場約48%。
美股雷達
人工智慧(AI)基礎建設持續擴張,除了帶動輝達(NVDA-US) 等AI晶片需求,也讓記憶體市場迎來罕見的供需緊張。美銀全球研究(BofA Global Research)最新報告指出,在輝達釋出2027年營收成長約70%的展望之際,記憶體產業的成長幅度甚至可能更高,若價格漲勢延續,全球DRAM銷售額增幅有機會超過80%。
美股雷達
中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術,但在龐大內需、政策與資本投入,以及供應鏈國產化推動下,已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。摩根士丹利指出,中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」,真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。
歐亞股
南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布,將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時,SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告,目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。
美股雷達
SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,正尋求深化與日本客戶及供應商在記憶體產業的合作,以共同開發NAND Flash市場。郭魯正周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)出席新廠動工儀式後受訪時說:「我們正非常審慎的評估如何與客戶及供應商共同開發NAND Flash市場。
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《巴隆周刊》報導,中國 2023 年封殺美光科技 (MU-US),當時被視為對美光的沉重打擊,如今卻可能讓美光因禍得福。由於禁令迫使美光提早降低中國營收比重,面對中國記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 崛起,美光受到的衝擊反而可能小於三星電子與 SK 海力士。
歐亞股
中國記憶體業者長鑫科技(688825-CN) 在LPDDR6記憶體布局傳出重大進展。隨著小米(01810-HK) 自研晶片「玄戒O3」(Xring O3)成為首款支援LPDDR6 RAM的系統單晶片(SoC),長鑫科技據傳已從新一代記憶體研發驗證階段進一步邁向量產,並可能成為小米的重要供應商。