三星誓言重返AI記憶體市場 推動新一代HBM晶片

彭博周三 (19 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 為回應股東對其在人工智慧 (AI) 領域表現不佳的批評，宣佈將強化其在高頻寬記憶體 (HBM) 晶片市場的地位。該公司計劃於今年第二季推出增強版的 12 層 HBM3E 晶片，並計劃於下半年生產先進的 HBM4 晶片。

三星記憶體業務負責人全永鉉 (Jun Young-hyun) 表示，三星在 HBM 市場未能搶先一步，導致在這一領域的表現落後於競爭對手 SK 海力士 (SK Hynix)。他強調，三星不會在下一代 HBM4 和定制晶片上重蹈覆轍，並將全力追趕上來。

HBM4 記憶體預計將整合進輝達 (NVDA-US) 即將推出的 Rubin GPU 架構中。SK 海力士也積極將自己定位為輝達的主要供應商，並提前向主要客戶發送了全球首批 12 層 HBM4 樣品。

三星為了追趕上來，已經決定重新設計 HBM3E 晶片，以獲得輝達的批准。輝達的批准一直處於進行中，三星努力追趕在這方面的領先者 SK 海力士，後者已成為輝達供應最先進 HBM 的主要合作夥伴。

在今年的美國消費電子展 (CES) 大會上，輝達執行長黃仁勳表示，三星必須對設計進行改進才能獲得批准，但他對三星的能力表示信心，認為三星能夠快速完成並且非常專注於這項工作。

全永鉉還預測，隨著 AI 和行動需求的強勁回升，記憶體市場將在未來幾季復甦，這將推動三星在下半年的營收成長。

由於高性能計算任務對記憶體的需求，HBM 已經成為記憶體製造商參與 AI 訓練和開發浪潮的重要途徑。與其他類型的記憶體不同，HBM 的生產難度較高，使其在市場中非常有利可圖，且對供需變化的抵抗力較強。

三星此舉顯示出其決心重新奪回在高頻寬記憶體市場的領先地位，並加強與 AI 晶片製造商的合作關係，以在快速成長的 AI 市場中占據一席之地。