記憶體
歐亞股
人工智慧（AI）熱潮持續推升記憶體需求，南韓記憶體大廠SK海力士(000660KS) 正評估在日本成立合資企業、興建記憶體晶片廠的可行性，作為擴充產能、滿足AI市場需求並控制生產成本的選項之一。根據《彭博》報導，SK集團董事長崔泰源（Chey Tae-won）日前在日本仙台出席韓日商會相關會議期間表示，公司正評估多個地點，作為共同營運工廠的可能選址。
美股雷達
人工智慧（AI）浪潮正重新改寫半導體產業的供需結構，過去高度仰賴景氣循環、價格波動劇烈的記憶體市場，如今因高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，以及大型雲端服務商提前鎖定產能，逐漸從傳統「商品型」半導體轉變為AI基礎建設的核心環節。Gartner 4月預估，全球記憶體營收將從2025年的2163億美元，大增至2026年的6333億美元，占整體1.32兆美元半導體市場約48%。
國際政經
2026年08月30日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI伺服器帶動記憶體需求與價格走高，南韓兩大記憶體廠三星電子Samsung Electronics(005930-KR)與SK海力士SK Hynix(000660-KR)獲利大幅提升，2026年上半年合計繳納企業所得稅11.2兆韓元，約81億美元，年增167%，創歷史同期第二高，僅次於2019年上半年的15.63兆韓元。
國際政經
2026年08月30日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 長鑫存儲CXMT正式宣布LPDDR6記憶體量產，率先搭載於小米即將於9月上市的「小米18 Fold」摺疊機（處理器為自研3奈米Xring O3）。LPDDR6峰值速率達12800Mbps、最大容量16GB，距CXMT上一代LPDDR5量產不到12個月，被視為大幅縮小與SK海力士、三星的技術差距。
美股雷達
人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，除了帶動輝達(NVDA-US) 等AI晶片需求，也讓記憶體市場迎來罕見的供需緊張。美銀全球研究（BofA Global Research）最新報告指出，在輝達釋出2027年營收成長約70%的展望之際，記憶體產業的成長幅度甚至可能更高，若價格漲勢延續，全球DRAM銷售額增幅有機會超過80%。
美股雷達
日本NAND快閃記憶體大廠鎧俠（Kioxia）與SanDisk (SNDKV-US) 近期公布截至2033會計年度的5兆日元擴產計畫，瑞銀（UBS）認為，這項計畫真正值得關注的並非擴產規模，而是鎧俠展現出「有能力擴產、但不急著立即執行」的策略，可能成為未來與超大規模雲端業者洽談NAND長期供貨合約（LTA）的重要籌碼。
美股雷達
中國記憶體產業雖然尚未全面追上全球領先廠商的最先進技術，但在龐大內需、政策與資本投入，以及供應鏈國產化推動下，已逐步形成具規模的DRAM與NAND產能。摩根士丹利指出，中國儲存廠商的崛起不能單純視為「技術追趕」或「低價替代」，真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球記憶體市場的供給結構。
A股
中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 週五（28日）晚間公布上市後首份財報，顯著轉虧為盈。此外，長鑫也正式宣布，其自主研發的新一代低功耗記憶體LPDDR6實現量產。長鑫科技2026年上半年營運表現大幅成長，營收達1503.1億人民幣，年增873.64%；淨利潤則達776.05億人民幣，相較去年同期淨虧損23.32億人民幣。
A股
中國最大DRAM記憶體晶片製造商長鑫科技(688825-CN) 正式對美國國防部提起訴訟，挑戰美方將其列入「1260H清單」的合法性，使長鑫科技成為繼小米(01810-HK) 、中微公司(688012-CN) 、禾賽(02525-HK) 、藥明康德(02359-HK) 、阿里巴巴(09988-HK) 及長江存儲後，第7家透過司法途徑反擊美國「中國涉軍企業」名單的中國企業。
美股雷達
美國銀行全球研究最新報告指出，全球儲存晶片現貨市場的供需失衡持續惡化，在AI基礎設施需求強勁、主要晶片廠優先供應大型客戶，以及傳統消費電子旺季到來等多重因素推動下，預計9月DRAM與NAND現貨價格仍有10%至20%的上漲空間。美銀全球研究8月27日發布的報告顯示，根據通路調查，9月現貨市場的供給滿足率 (sufficiency ratio) 已降至不足50%。
港股
中國記憶體晶片製造商長鑫存儲(CXMT)受惠人工智慧(AI)熱潮引發的全球記憶體缺貨，上半年營收暴增近10倍並轉虧為盈，雙雙超越公司預期。自7月在上海掛牌以來，長鑫存儲股價已漲逾5倍，市值更超越騰訊(00700-HK)，成為中國市值最高的上市公司。
歐亞股
南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布，將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時，SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告，目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。
國際政經
2026年08月28日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI裝置與高階行動終端持續推升記憶體規格，供給吃緊又讓價格走高，中國DRAM廠能否趁勢切入新世代產品成為市場焦點。長鑫科技CXMT(688825-CN)表示，已向主要客戶送交LPDDR6樣品進行驗證，並正推動量產，產品布局向新一代低功耗記憶體延伸。
台股新聞
萬億量能看似推升行情，但背後的資金結構已悄然轉向，熱門族群估值逼近飽和、市場廣度出現收斂，落後補漲的啟動正是主力高檔換手的關鍵訊號，看懂輪動節奏，才能在震盪前夕從容避險。〈兆元量能支撐行情，但高低基期輪動已經展開〉受到輝達與費城半導體指數走強、台積電ADR上漲激勵，今日台股延續強勢表現，盤中一度突破前波高點，上漲356點，成交值放大到約1.02兆元，櫃買成交金額也維持約2880億元，市場流動性依舊充沛，這對盤勢當然是正面的，但現在不能只看到量大、指數漲，就認為所有股票都還能一路往上追，盤面資金已經開始明顯進行高低基期切換，前一段漲幅相對大的光通訊族群進入整理，反而是先前相對沉寂的被動元件開始接棒，這就是典型的資金輪動。
國際政經
2026年08月28日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI資本支出持續擴張，全球記憶體供需仍偏緊。瑞銀證券表示，記憶體產業高景氣有望延續至2028年，其中DRAM供應緊張預計持續至2028年第2季，NAND則可能維持至2027年第4季，設備與記憶體也是目前較看好的中國半導體領域。
A股
中國DRAM大廠長鑫儲存（CXMT）在材料技術上取得新進展。長鑫已將過去主要由三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 與美光(MU-US) 等領先業者採用的高介電常數（High-k）材料，導入最新一代DRAM產品並進入量產，顯示其正快速縮小與產業龍頭的技術差距。
美股雷達
AI帶動高階記憶體需求持續升溫，SK海力士CEO郭魯正表示，目前全球記憶體晶片供應短缺的局面可能持續到2030年底，短期內看不到明顯的產業下行風險。SK海力士並於美國印第安納州西拉法葉舉行首座美國HBM生產基地動土儀式，宣布投資逾40億美元建設先進封裝與研發設施，預計2028年下半年啟用潔淨室，2029年下半年開始量產下一代HBM4E，進一步擴大美國AI記憶體供應鏈布局。
美股雷達
美光 (MU-US) 今年股價雖已大漲約 220%，並從 6 月歷史高點回落，但《Motley Fool》撰稿人暨投資人 John Bromels仍看好後市，預測美光可望在 2026 年底前突破自身紀錄，股價上看 1,300 美元，較目前水準仍有約 42%的上漲空間。
美股雷達
SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，正尋求深化與日本客戶及供應商在記憶體產業的合作，以共同開發NAND Flash市場。郭魯正周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)出席新廠動工儀式後受訪時說：「我們正非常審慎的評估如何與客戶及供應商共同開發NAND Flash市場。
國際政經
2026年08月28日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 中國半導體供應鏈2026年上半年財報繳出亮眼成績，其中佰維存儲(688525-CN)歸屬母公司淨利達71.66億元人民幣，年增3273.48%；拓荊科技(688072-CN)獲利年增1324.10%；中微半導體(688012-CN)淨利28.25億元人民幣，年增300.22%。