蘋果採用中國記憶體要成真?長鑫科技發表聲明釋訊號
鉅亨網編譯莊閔棻
蘋果(AAPL-US) 與中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 的合作談判近期再度釋出正面訊號,長鑫科技最新表態願與全球頂級客戶探索合作機會,使外界因此認為,雙方合作案可能逐步走向明朗。不過,若蘋果與中國記憶體業者建立合作關係,也可能使其在美國面臨更大的政治敏感度。

根據《Wccftech》報導,蘋果近期正尋求增加記憶體供應端的議價空間,除了美光科技(MU-US) 、三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 及鎧俠(Kioxia)等主要記憶體供應商外,長鑫科技也成為潛在合作對象。
另一方面,美國政府據報也可能將蘋果與長鑫科技的潛在合作,視為與中國進行談判時可運用的籌碼。美國總統川普與中國國家主席習近平預計於本月底訪美期間接觸,在此背景下,相關合作案也受到關注。
長鑫科技近期針對與蘋果的談判釋出最新訊號,表示:「我們對於與全球頂尖客戶探索合作機會持開放態度。目前,我們的產品在效能、品質及供應可靠度方面,已具備與全球領先供應商競爭的能力。」
長鑫科技目前正積極擴充產能,預計今年底前透過3座300mm晶圓廠,將月產能提升至約30萬片,平均每座晶圓廠月產能約10萬片。
此外,公司也正擴充以高頻寬記憶體(HBM)為重點的產能,預計到2026年底達到每月約5萬片。
長鑫科技同時在上海及合肥興建兩座新晶圓廠,完成後將進一步推升整體月產能至60萬片。按照目前擴產進度,長鑫科技預計最快在2030年超越美光的量產規模。
除了擴大產能,長鑫科技的記憶體技術也持續提升。目前公司已進入LPDDR5X量產階段,並開始生產LPDDR6,另外也計畫在今年稍晚啟動HBM3量產。
在製程微縮面臨限制的情況下,長鑫科技據報也開始採用高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate,HKMG)技術,以氧化鉿(HfO₂)等材料取代傳統矽基絕緣層。這項技術可降低漏電流及相關熱能損耗,同時提升能源使用效率,並為更高運算速度提供條件。
儘管長鑫科技持續擴大產能並提升技術能力,但蘋果若最終與其合作,預計也不會完全依賴長鑫科技供應中國市場所需的記憶體。
目前估計,蘋果與中國市場相關的記憶體需求約達6億GB,計算基礎為每年約5000萬支裝置、平均每支使用12GB記憶體。
考慮到長鑫科技目前產能已排滿至2027年,且產能利用率約達95%,蘋果可能僅會透過長鑫科技滿足部分中國市場的記憶體需求。
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