產能
A股
隨著中國記憶體大廠長鑫科技 (688825-CN) 正式登陸資本市場，高盛罕見在 IPO 前夕緊急召開中國記憶體專家會議。除了看好中國 DRAM 產能未來數年將大幅擴張，也認為中國設備國產化已成最具確定性的投資主軸；儘管 HBM 技術仍落後國際大廠，但 AI 需求持續強勁，預料將支撐記憶體價格與中國半導體供應鏈長期成長。
美股雷達
智慧手機處理器龍頭高通 (Qualcomm)(QCOM-US) 周五 (24 日) 通知客戶，9 月 1 日後出貨的產品，價格將有雙位數的漲幅。此消息預料將對整個科技產業帶來連鎖效應。根據彭博取得的文件，高通周五告知客戶漲價一事，並表示，已無法再自行吸收供應商成本上升的壓力，也曾嘗試向新的供應來源採購替代零組件，但效果有限。
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最新數據顯示，全球半導體擴產潮持續升溫，設備訂單暴漲正引發供應鏈瓶頸，應用材料、艾司摩爾、泛林、東京電子、科磊等五大設備供應商的主力機台交期已拉長至原來的 1.5 至 2 倍。韓媒最新報導指出，過去一般 6 個月交貨的設備，現在下單後必須等上約 1 年才能進廠，部分韓系本土設備廠交期也從 3 至 4 個月延至 6 至 8 個月，少數項目甚至突破 1 年。
美股雷達
在全球記憶體晶片供不應求、價格居高不下之際，特斯拉 (TSLA-US) 執行長馬斯克周三 (22 日) 在法說會上透露，美光 (MU-US) 近期以相當合理的條件，向特斯拉提供「相當大規模」的記憶體晶片配額，協助這家電動車大廠取得重要零組件。
科技
外媒報導指出，三星電子正將超過 60% 的 V-NAND(垂直堆疊 NAND) 產能供應給輝達，用於後者即將鋪量的 AI 伺服器上下文存儲平台 CMX(Context Memory Storage)。單套 CMX 搭載 576 塊 SSD、總容量達 9600TB，專門承接大模型推理時暴增的 KV 快取數據，緩解 GPU HBM 外溢瓶頸。
美股雷達
隨著人工智慧 (AI) 技術由訓練轉向大規模推論，AI 伺服器對 NAND 快閃記憶體的需求正進入爆發式增長階段。據首爾經濟日報報導，三星已向輝達 (NVDA-US) 供貨第十代 V-NAND，並將約 60% 產能用於第九代產品，以滿足新型設備 CMX(上下文記憶體儲存) 需求。
美股雷達
全球記憶體供應緊張態勢持續延燒，中國記憶體大廠長鑫存儲近期同時成為兩則重要供應鏈消息的焦點：一是蘋果 (AAPL-US) 被曝正評估、遊說鬆綁對其 DRAM 晶片的採購限制；二是包括戴爾科技 (DELL-US) 、惠普 (HPQ-US) 、聯想 (03396-HK) 在內的多家 PC 大廠，已開始提前鎖定長鑫儲存的 DRAM 供應，以確保未來兩年的產品生產計畫。
美股雷達
摩根士丹利 (大摩) 分析師 Joseph Moore 在最新的研究報告中，強力為晶片大廠博通 (AVGO-US) 辯護，重申其「增持」(Overweight) 評級及 502 美元的目標價。報告強調，博通是人工智慧 (AI) 浪潮中僅次於輝達 (NVDA-US) 的核心贏家，並預測其將長期壟斷 Google(GOOGL-US)TPU 約 80% 的市場份額。
國際政經
標普全球最新指出，美伊戰爭引發的全球能源市場劇烈擾動，正強力推動美國新建液化天然氣 (LNG) 出口基礎設施的投資熱潮。自美伊戰爭爆發以來，作為全球最大 LNG 出口國的美國已協助彌補部分中東供應損失，尤其是對歐洲與亞洲的輸出。標普全球副董事長 Daniel Yergin 說，荷姆茲海峽貨運受阻凸顯供應鏈地理多元化的重要性，美國 LNG 投資增強趨勢預計在未來 12 個月持續。
歐亞股
荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML)(ASML-US) 周三 (15 日) 上修全年財測，為今年來第二度調升，理由是顧客持續擴增人工智慧 (AI) 晶片產能。全年財測關鍵數字營收：430-450 億歐元，原估 360-400 億歐元毛利率：54-56%，原估 51-53%Q2 財報關鍵數字 vs 分析師預測銷售：93.3 億歐元 vs 88.5 億歐元毛利率：54%EPS：7.59 歐元ASML 上季就已調升過全年展望，以反映最高階極紫外光 (EUV) 設備的需求持續不墜。
歐亞股
美國銀行最新研究報告對南韓總統李在明力推的「2030 年記憶體產能翻倍」計畫潑下冷水，認為這項政策目標恐怕禁不起現實檢驗。李在明於六月底端出一項總規模達 800 兆韓元的巨型投資案，計畫在南韓西南沿海的光州與全羅地區打造全新的記憶體產業聚落，希望到 2030 年時，讓三星電子與 SK 海力士兩大廠的 DRAM 晶圓產能較現在翻一倍。
歐亞股
據韓媒報導，三星電子正計畫在其位於京畿道龍仁市的器興工廠園區內，新建一座 DRAM 記憶體工廠。這塊土地原本規劃作為研發中心用地。對此業界解讀，此舉是為因應全球人工智慧（AI）基礎設施投資熱潮所帶動的記憶體需求急遽攀升。業內人士週三（15 日）透露，三星正推動在器興工廠內興建新的記憶體半導體工廠，預估月產能約 10 萬片晶圓，規模相當於鄰近華城廠區的一座廠房，投資金額預計上看數兆韓元。
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南韓記憶體大漲 SK 海力士風光赴美上市，其美國存託憑證 (ADR) 周五 (10 日) 在首日掛牌交易表現強勁，讓美光 (MU-US) 淪為配角。美光周五盤中一度短暫翻紅，但終場仍收黑，下跌 1.2% 至每股 979.30 美元。SK 海力士 ADR(SKHYV-US)噴漲，終場收在每股 168.49 美元，與每股 149 美元的首次公開發行 (IPO) 價格相比勁揚 13%。
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三星電子會長李在鎔本週現身美國愛達荷州「太陽谷峰會」，隨行陣容釋放強烈戰略訊號，不同於去年攜全球行銷高層出席，今年特意帶上去年底新任的晶圓代工事業部負責人 Han Jin-man。此次峰會提供三星在 HBM 供貨基礎上，進一步展開 AI 晶片客製化代工 (Custom Silicon Foundry) 談判契機。
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《彭博》評論認為，以電影《大賣空》原型人物聞名的著名投資人貝瑞（Michael Burry）對記憶體的看法，可能有道理。根據報導，貝瑞近日在其 Substack 平台發文，宣布放空美光科技 (MU-US) 股票，直言美光「是定義景氣循環最典型的案例」。
歐亞股
南韓半導體產業正迎來數十年來最宏偉藍圖，周一 (29 日) 宣布在西南部打造全新的記憶體晶片產業集群，加上三星披露的 2450 兆韓元 (約 1.8 兆美元) 長期投資計畫，一場面向 2030 年代乃至 2040 年代的產能大躍進已經啟動，但美銀與高盛出具最新研究報告指出，這場看似狂飆突進的擴張，實則是一場節奏極為冷靜的「長跑」，對全球記憶體市場的實質性供給衝擊，最快要等到 8 至 10 年後才會顯現。
歐亞股
南韓媒體報導指出，三星集團與 SK 集團將宣布未來十年內最高達 2000 兆韓元（約 1.3 兆美元）的龐大投資計畫，以配合南韓總統李在明的旗艦級產業戰略。根據《彭博》報導，兩大集團預計將於週一（29 日）在南韓總統府公開投資計畫，屆時雙方領導人將親自出席說明。
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全球 AI 基礎設施擴張引發的 DRAM 記憶體搶購潮，正將消費電子產業撕裂為「上游暴賺」與「下游窒息」的兩極世界。斯洛維尼亞硬體新創公司 Mono Technologies 創辦人之一 Tomaž Zaman 最新表示，該公司旗艦路由器開發套件所用的 8GB 美光 DRAM，採購成本已從研發初期的 35 美元飆漲至 300 美元，漲幅近八倍。
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韓媒報導，SK 海力士 (SK Hynix) 正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體 (HBM) 龍頭不但沒有全力衝刺下一代 HBM4 量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統 DRAM 市場，希望在嚴重供給短缺帶動 DRAM 利潤意外飆升之際，搶下更多營收。
美股雷達
受惠於記憶體供需極度失衡，美光 (MU-US) 近年毛利率大幅擴張，並得以在成本幾乎未增加的情況下持續調漲產品價格，不過在本周財報登場前夕，市場焦點已從當前的獲利能力轉向未來能否維持高獲利水準。Susquehanna 分析師 Mehdi Hosseini 表示，華爾街將關注美光在美東周三 (24 日) 盤後公布截至 5 月底的會計年度第 3 季財報時，毛利率能否維持在 80% 以上，但更重要的問題是：未來幾季甚至未來數年，營業利益率維持在 70-75% 區間？Hosseini 預估，美光的營益率到 2028 年底可能降至 60% 左右，但最終可持續的獲利能力與估值水準，仍取決於兩項關鍵變數。