AI晶片與記憶體點火！富國銀行、花旗上修晶圓廠製造設備資本支出預測 點名4大受惠股

受惠於台積電、三星及 SK 海力士等晶圓巨頭大舉擴建 3 奈米、2 奈米以下先進製程產能，以及 CoWoS/3D 先進封裝與 DRAM/NAND 記憶體產能同步加速開出，富國銀行與花旗近日雙雙上修全球晶圓廠製造設備 (WFE) 支出預測，並給予半導體設備四大巨頭艾司摩爾、應材、Lam Research 與科磊 (KLA) 樂觀目標價。

市場目前解讀，AI 算力與記憶體「超級周期」已將半導體設備鏈從典型週期復甦交易，重新定價為「AI 資本支出超級周期交易」。

富國銀行分析師 Joe Quatrochi 的團隊指出，繼近期上修 2026 年 WFE 支出預期後，再將 2027 年預測從原估約 1800 億美元調升至約 1900 億美元，2028 年更從 1910 億美元大幅上調至 2160 億美元。

花旗則在樂觀情境下預估，WFE 規模將從 2026 年約 1450 億美元成長至 2027 年 2000 億美元、2028 年 2500 億美元，並同步調升應材目標價至 710 美元、Lam Research 至 450 美元、科磊至 290 美元。

Quatrochi 說：「我們預期半導體資本設備第二季財報將續強，並高於華爾街共識。應材仍為首選，但艾司摩爾年初至今落後同業漲幅，提供有趣的補漲契機，預期管理層將重申 EUV 需求能見度加速，2027 年 low-NA EUV 機台可支持至少 80 台出貨。」

艾司摩爾壟斷先進 EUV(極紫外光) 與 DUV 光刻機，是先進邏輯晶片、HBM 相關 DRAM 微縮與良率提升的瓶頸工具。

應材的產品幾乎涵蓋晶片製造的每道關鍵步驟—原子層沉積 (ALD)、化學氣相沉積 (CVD)、物理氣相沉積 (PVD)、化學機械研磨 (CMP)、離子注入及刻蝕，被視為晶圓廠「全科醫生」。

Lam Research 則主攻高深寬比 (HAR) 刻蝕與薄膜沉積，尤其擅長 3D NAND 多層堆疊製程。

科磊聚焦製程中光學檢測與良率監控，其寬頻電漿缺陷檢查系統為先進製程良率把關。

花旗特別指出，Anthropic 引領的 AI 代理 (AI Agent) 多步驟推理會劇增 KV Cache 與中間狀態存儲需求，當高成本 HBM 無法全數承接時，NAND、XL-Flash 及相關製程設備需求將被系統性墊高，進一步支撐應材、Lam Research 與科磊的成長邏輯。

分析師強調，台積電最新資本支出與產能擴張指引是直接利多。無論新建先進製程晶圓廠或 CoWoS 先進封裝產線，皆需大量 EUV 光刻機、薄膜沉積、刻蝕與量測設備，正是四大設備廠核心產品。

目前，AI GPU/ASIC 與 HBM 供需缺口本質上指向「先進晶圓產能＋先進封裝＋存儲產能」三重缺口，進而放大對光刻吞吐能力與刻蝕 / 沉積 / 量測控制設備的需求強度。

艾司摩爾執行長 Christophe Fouquet 近期受訪時預言，受 AI、太空衛星與具身機器人驅動，全球半導體市場規模有望在 2030 年達 1.5 兆美元 (去年約 8000 億美元)，「AI 需求來得太猛，市場將長期處於供給受限狀態」。這意味產業核心矛盾正從過往「需求週期波動」轉向「AI 基礎建設擴張速度快過設備、晶圓廠與先進封測產能增速」。

華爾街普遍認為，半導體設備族群強勁牛市行情尚未結束，但後續將進入「高波動、訂單驅動、業績兌現型上漲」階段。

隨著各國 AI 資料中心軍備競賽升溫，設備鏈訂單能見度已延伸至 2027-2028 年，為繼晶圓代工與 AI 晶片後，資本市場下一個不容忽視的受惠重心。