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隨著美國加速推動半導體製造回流本土，英特爾 (INTC-US)、台積電 (2330-TW) (TSM-US) 與三星持續擴大在美投資，其中以英特爾在亞利桑那州的布局規模最為龐大。
根據《Tom’s Hardware》引述《CNBC》報導，位於亞利桑那州 Chandler 的英特爾 Fab 52 被定位為面向未來的頂級先進製程晶圓廠，核心任務是量產 Intel 18A 及更先進節點，其技術複雜度、製程先進性與規劃產能，均顯著超越台積電目前在亞利桑那州的布局。
Intel 18A 導入兩項關鍵創新技術，分別為 RibbonFET 全環繞閘極（GAA）電晶體架構，以及 PowerVia 背面供電網路。前者可提升效能並降低功耗，後者則透過將供電線路移至晶圓背面，改善傳統正面供電所面臨的佈線壅塞與電壓降問題。整體而言，Intel 18A 在技術精細度與製程門檻上，已高於台積電亞利桑那州 Fab 21 第一期量產的 N4 與 N5 節點，即便與 N4P 或第二期規劃的 N3 製程相比，仍具一定領先性。
在設備配置方面，英特爾 Fab 52 已安裝 4 台 ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑（NA）EUV 光刻系統，其中至少包含 1 台目前最先進的 NXE:3800E。該機型具備更快的晶圓傳輸系統、更高效的晶圓台與更強大的光源，在曝光劑量 30 mJ/cm² 條件下，每小時可處理多達 220 片晶圓；相較之下，其餘 3 台 NXE:3600D 在相同條件下的產能約為每小時 160 片。英特爾規劃在亞利桑那州 Silicon Desert 園區最終部署至少 15 台 EUV 設備，雖尚未揭露 High-NA EUV 的占比，以及 Fab 62 的具體配置，但整體規模顯示其仍具顯著的產能擴充空間。
在產能規模上，英特爾 Fab 52 於滿載運轉時，每週可生產約 10,000 片晶圓，換算月產能約為 40,000 片，屬於目前產業中規模極為龐大的超大型晶圓廠。相較之下，台積電亞利桑那州 Fab 21 第一期量產產線的月產能約為 20,000 片，代表英特爾 Fab 52 單一晶圓廠的設計產能，相當於台積電 Fab 21 第一期與第二期兩條產線的總和。
不過，先進製程也伴隨更高的營運挑戰。英特爾目前利用 Fab 52 生產 Panther Lake 與 Clearwater Forest 處理器，Intel 18A 仍處於良率爬坡的早期階段，預期要到 2027 年初，良率才會達到高峰。在此之前，英特爾可能刻意控管 CPU 出貨量，使 Fab 52 短期內的產能利用率維持在相對偏低水準，部分時段甚至可能出現閒置。
相對而言，台積電在美國採取較為穩健的策略，主力導入已經過市場驗證的成熟製程，如 N5 與 N4，得以快速拉升產量，並讓工廠的產能利用率接近滿載。兩種不同策略顯示，英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者角色，試圖直接在美國本土建立最尖端製程標竿；台積電則以成熟產線移轉，確保商業運作的穩定與效率。
整體來看，英特爾在亞利桑那州的 Fab 52 已成為美國本土最先進的半導體製造布局代表，結合 Intel 18A 製程、密集的 EUV 設備配置，以及高達月產 4 萬片的潛在產能。儘管在 2027 年前，良率與產能利用率仍可能落後台積電，但 Fab 52 的存在已強化英特爾在美國先進製造的戰略地位。未來能否在 Intel 14A 節點如期取得關鍵外部客戶訂單，將成為左右其長期競爭力的關鍵指標。
#指標剛突破
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