中芯測試首台浸潤式國產DUV 外媒估技術規格落後艾司摩爾17年

日前，《金融時報》報導，中國最大晶圓代工廠中芯國際 (0981-HK)(688981-CN) 正在測試國內首台自製浸潤式深紫外光 (DUV) 顯影器，該設備由上海宇量昇科技有限公司開發。值得注意的是，該公司的股東之一，是與華為關係密切的半導體設備製造商新凱來（SiCarrier）。

美國科技媒體 Tom"s Hardware 稍後的分析指出，若《金融時報》描述準確，宇量昇正在測試的浸潤式 DUV 系統，類似荷蘭半導體顯影設備大廠艾司摩爾 (ASML-US) 在 2008 年推出的 Twinscan NXT 1950i。

據了解，中國自主生產的 DUV 設備主要針對 28 奈米製程設計，但透過多重曝光技術可用於 7 奈米甚至 5 奈米晶片生產。其中大部分零組件已可在中國國內採購，但仍有部分零件需要進口。宇量昇正積極將整個供應鏈本土化，一旦達成將讓中國在這個領域擺脫美歐出口管制影響。

伯恩斯坦半導體分析師 Lin Qingyuan 表示：「(自主 DUV) 成功的話將是中國企業重要一步，可以此為基礎發展更先進設備。但要讓原型機投入量產並與艾司摩爾競爭，還需要數年時間。」

Tom"s Hardware 指出，雖然理論上 NXT 1950i 可用於製造 7 奈米和 5 奈米晶片，但艾司摩爾已為此類製程開發了領先數代的 NXT 2000i 設備。

《金融時報》報導，以中芯國際為首的中國晶片製造商正尋求在 2026 年將產能增加兩倍。大部分產能增長仍將使用先前囤積的艾司摩爾 DUV 設備，而國產設備預計最早 2027 年開始量產。