〈觀察〉先進封裝技術戰開打 台積電利器出鞘、三星拚彎道超車

摩爾定律面臨越來越多挑戰，半導體產業正逐步邁向「後摩爾定律」時代，台積電繼先前以 InFO(整合扇出型封裝) 封裝技術一路獨拿蘋果 iPhone 處理器大單後，近期也整合前後段 3D IC 封裝推出新平台，而三星也不甘示弱，以 3D IC 封裝技術 X-Cube 要與台積電展開競爭。

隨著先進製程技術逼近物理極限，摩爾定律在 2D 晶片微縮上，面臨越來越多挑戰，不足支撐製程需求，半導體產業逐步進入「後摩爾定律」時代。

透過 Chiplet (小晶片)、異質整合、3D 堆疊技術，可替摩爾定律「延壽」，也使封裝技術漸漸由傳統封裝走向先進封裝，朝系統級、晶圓級等先進封裝技術邁進。

台積電、三星、英特爾均積極跨入先進封裝領域。在半導體技術爭奪戰中，戰場由晶圓代工先進製程，延伸至先進封裝，若能一路從前段做到後段先進封裝，打造一條龍的高度整合供應鏈，就能與客戶間達成更緊密的連結合作。

蘋果 iPhone 處理器訂單就是最佳例子，早期由三星以超薄的 PoP (Package on Package) 多重晶片封裝技術，獨攬 iPhone 處理器訂單；但從 A11 處理器開始，台積電以全新的 InFO(整合扇出型封裝) 封裝技術作為敲門磚，一路獨拿 iPhone 處理器大單，也因其在先進封裝技術上的成功，蘋果 iPhone 處理器訂單，從此由台積電獨霸一方。

三星目前位居晶圓代工二哥，在先進製程技術上仍落後台積電，為了不重演當年台積電以 InFO 封裝技術力奪蘋果大單的慘痛經驗，三星也積極佈局先進封裝製程技術。

三星日前對外展示 3D IC 封裝技術 X-Cube，將邏輯與 SRAM 向上堆疊，以減少晶片面積，再以直通矽穿孔 (TSV) 技術，提升系統整合晶片資料處理速度，著眼高效運算處理器、5G 連網數據晶片、AI 運算晶片等應用，目前已在旗下 7 奈米與 5 奈米製程技術進行驗證。

台積電也在今年度技術論壇上，對外宣布推出 3D Fabric 平台，平台包含其系統整合晶片 (TSMC-SoIC) 技術、CoWoS 技術、及整合型扇出 (InFO) 技術，可將多個邏輯晶片連結在一起，甚至串連高頻寬記憶體、異質小晶片或特殊製程晶片等，提升系統效能與功能性，並縮小尺寸外觀。

台積電努力實現電晶體微縮，但也發現 2D 微縮不足以支撐製程需求，以微縮、先進封裝雙頭並進，而三星在先進製程上仍落後台積電，正加速推進其 3D IC 封裝技術；隨著 3D IC 技術已具備可行性，未來雙方戰場可望延伸至先進封裝領域，台積電力守產業龍頭地位，三星則力拚以先進封裝彎道超車。