趁美打壓陸半導體!海力士砸120兆韓圜建4座半導體廠 擴技術差距

圖片來源:afp
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週三 (21 日) 南韓記憶體大廠海力士 (SK Hynix) 宣布,將計劃在 2022 年之後的十年之內斥資 120 兆韓圜,於南韓龍仁市建造四座半導體工廠,海力士發言人表示,目前規劃龍仁市新廠主要產品將是次世代的儲存記憶體及 DRAM 晶片。

目前海力士已經遞交了投資意向書,而該項投資計劃約占地 450 萬平方公尺,估計未來共有 50 家半導體材料商、設備商等都將進駐該區,進而打造成全球最大的半導體聚落。

海力士指出,也將在未來十年內,繼續投資現有的兩座南韓利川、清川半導體廠共 55 兆韓圜,擴大產能,但中國無錫廠則是尚未決定是否擴廠。

海力士發言人表示,本次計劃是海力士長達十年的投資規劃,未來策略可能視市場狀況改變,但現行目標為新廠將生產 DRAM 記憶體和次世代記憶體。

南韓券商 Mirae Asset Daewoo 分析師亦分析,雖然目前來自自駕車的晶片需求仍不足,但估計在未來十年間,自駕車晶片市場需求將大幅成長,可望為海力士創造更多的記憶體晶片需求。

全球 DRAM 品牌廠市佔率 (以營收排名) 圖片來源:DRAMeXchange
全球 DRAM 品牌廠市佔率 (以營收排名) 圖片來源:DRAMeXchange
中、韓的半導體競爭:

近年來,中國在半導體大基金的籌資帶動下,早已介入進半導體記憶體領域,雖然目前全球記憶體產業仍以三星電子、海力士二大巨頭為首,但據 2018 年南韓產業技術振興院發布 (KIAT) 的報告顯示,雖然中國半導體技術仍然落後,但中國已可以透過 30、40 奈米技術,生產非伺服器或行動記憶體晶片。

南韓產業技術振興院該份報告並指出,若中國自產的 DRAM、NAND Flash 記憶體開始逐步量產進入市場,那麼估計將衝擊韓國記憶體產業 78 億美元,其中衝擊 DRAM 產業 67 億美元、NAND Flash 產業 11 億美元

據南韓媒體《DDaily》去年 11 月報導,目前中國長江存儲在 NAND Flash 技術上已經獲得突破,估計在 2019 年 Q4 即能夠量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,但預計量產規模不會太大,因長江存儲的最終目的,是希望在 2020 年跳過 96 層堆疊技術,快速切入 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體量產。

面對中國來勢洶洶的進攻,市場分析,由於這次中國受到美國政府針對《中國製造 2025》的「科技禁售令」打壓,例如將中國福建晉華列入出口管制清單,「禁售令」已造成中國 DRAM 廠今年的投產計劃延後,中國 DRAM 在短期內可能很難討論到量產事宜,而本次韓廠擴大投資,即是希望趁此拉開與中國的技術與產能差距。

南韓海力士的大規模投資,估計將加劇南韓與中國在半導體產業上的軍備競賽,目前南韓是全球最大的半導體記憶體出口國,而中國方面則是全球最大的晶片消費國,中國正極力增加半導體投資,以降低進口依賴程度。

上週南韓財長 Hong Nam-ki 亦表示,南韓政府將加速審批相關的半導體投資案,以加快南韓半導體企業的投資進程,預期南韓與中國在記憶體產業上的碰撞,將會越來越激烈。


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