海力士
美股雷達
韓國科學技術信息通信部於 10 月 1 日宣布，韓國政府已與人工智慧技術巨頭 OpenAI 簽署了一項諒解備忘錄（MOU），雙方將在 AI 領域展開全面合作，旨在將韓國打造為全球三大人工智慧強國（G3）之一以及亞太地區的人工智慧中心。根據協議，韓國企業如三星和 SK 集團將參與 OpenAI 的全球 AI 數據中心建設及美國的「星際之門」項目，該項目由 OpenAI、軟銀和甲骨文共同投資高達 5000 億美元。
台股新聞
全球晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 與全球記憶體龍頭 SK 海力士 (000660-KRX) 股價紛創歷史新高，統一證 (2855-TW) 今 (24) 日指出，兩檔股票占比近 40% 的統一亞洲半導體 ETN(020025-TW)股價也同創發行 4 年以來新高。
美股雷達
分析師認為，在美國政府收緊出口管制，撤銷三星電子、SK 海力士的中國廠晶片豁免之後，電腦硬碟和記憶體業者有望受益，相關個股周四 (4 日) 應聲上漲，Sandisk(SNDK-US)更以將近 18% 的漲幅遙遙領先。Sandisk 周四終場上漲 17.9% 至每股 62.50 美元。
美股雷達
瑞銀 (UBS) 分析師指出，在人工智慧 (AI) 對算力的龐大需求帶動下，高頻寬記憶體 (HBM) 將在 2026 年進入突破性的一年，這也將持續重塑記憶體市場格局。瑞銀團隊：「我們的通路調查顯示，明年的 SK 海力士極有可能在 HBM 市場維持約 50% 的市占率。
美股雷達
美國對中國 AI 晶片出口管制，加上來自 SK 海力士、美光 (MU-US) 等競爭對手壓力，重創南韓記憶體晶片巨頭三星獲利表現，該公司周二（8 日）預估第二季獲利將暴跌 56%，讓投資人擔憂該公司在晶片戰爭中的競爭力。根據《商業內幕》周二報導，技術落後、客戶流失、地緣政治衝擊等多重因素重創三星競爭力。
美股雷達
《路透》周六 (21 日) 報導，根據知情人士透露，美國商務部正考慮撤銷近年來授予三星電子 (Samsung)、SK 海力士 (SK Hynix) 及台積電 (TSM-US) 等全球晶片製造商的授權，這將使他們更難在中國的工廠取得美國商品與技術。
美股雷達
根據《華爾街日報》周五 (20 日) 獨家報導，美國官員告知全球主要半導體製造商，擬撤銷其在中國使用美國技術的豁免權。此舉可能對三星電子、SK 海力士及台積電 (TSM-US)(2330-TW) 等廠商在中國的營運造成衝擊，並加劇美中貿易緊張關係。
台股新聞
2025 年記憶體市場供需結構持續改善，三大原廠啟動減產策略，搭配 AI 應用帶動高階記憶體需求，整體價格有望落底反彈，NAND Flash 方面，2025 年供給預估年增僅 13%，遠低於 2021 年之 55%，減產效益擴大。DRAM 則在 AI 伺服器、行動裝置升級與品牌提前備貨下，報價逐步止跌回穩，記憶體產業將迎來新一波回補週期。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 26 日宣布已成功向客戶供應第六代 10 奈米級 DRAM 樣品，反超韓國三星與 SK 海力士，打破原有的市場格局。美光表示，將於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ（1-gamma）製程技術的 16Gb DDR5 記憶體，這是美光首次採用極紫外光（EUV）曝光技術。
A股港股
TechInsights 分析顯示，長江存儲已開始出貨其第五代 3D NAND 儲存 晶片，該晶片共有 294 層，有 232 個有效層。新晶片的位元密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²)，與 SK Hynix 目前的產品相當，接近 Kioxia / 西部數據的最新產品。
歐亞股
韓媒報導，三星已完成 HBM4 的邏輯晶片設計，採用自家 4 奈米試產，待完成最終性能驗證後，三星將提供 HBM4 樣品驗證，成為全球首支第六代 HBM。三星試圖 HBM4 採取更積極路線，以挽回 HBM3E 流失的 HBM 市佔。除自家 4 奈米製造邏輯晶片外，HBM4 還導入 10 奈米級 1c 製程生產 DRAM，有望 16 層堆疊導入無凸塊混合鍵合。
歐亞股
三星電子提前進行年終人事變動，已向高階人事主管發出退休通知，並動手裁撤部分晶片主管，今 (27 日) 宣布人事內容，顯示要重振營運的決心。三星電子今 (27 日) 宣布，半導體及設備解決方案（DS）部門的負責人、公司副董事長全永鉉（Jun Young-hyun）被委以更大職責，將擔任三星聯合首席執行長，同時負責 DS 和記憶體晶片業務。