長江存儲
美股雷達
《路透》周三 (22 日) 報導，美國記憶體晶片大廠美光 (MU-US) 正積極推動美國國會加強對中國半導體產業的限制。知情人士指出，美光近期向國會遊說，支持一項名為《硬體技術多邊協調管制法案》(Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act, 簡稱 MATCH 法案) 的新立法，旨在填補現行出口管制漏洞，限制中國競爭對手取得關鍵製造設備。
歐亞股
中國記憶體晶片產業正以驚人速度改寫全球版圖，以龍頭企業長江存儲為首的國產陣營，已徹底擺脫過去「低價競爭」的刻板印象，展開一場產能與技術的雙重躍升。最新財報顯示，長江存儲今年首季營收突破人民幣 200 億元，較去年同期翻倍暴增，其 NAND 全球市占率正式跨越 10% 門檻，直逼全球前三大廠商之列。
歐亞股
外媒引述消息人士最新報導，中國記憶體晶片龍頭長江存儲 (YMTC) 正啟動一場史無前例的產能大躍進。《路透社》報導，繼今年即將完工的武漢三期廠後，YMTC 擬再加碼興建兩座全新晶圓廠。待三座新廠全數量產後，YMTC 總產能將較現有規模翻倍成長，這不僅是對全球 NAND 市佔率的強勢進攻，更是對外部技術封鎖的一次正面突圍。
台股新聞
中國 NAND 大廠長江存儲今 (15) 日傳出將再規劃 2 座新廠，加上今年即將投產的 1 座新廠，等同未來數年將有三座新廠投產，屆時產能將較現在倍增，也引發市場對於 NAND 市況的疑慮，不過業界認為，新廠量產時間約莫需要 2 至 3 年，短期難以紓解現階段缺貨，且長江存儲勢必優先供應中國內需，對全球影響有限。
國際政經
一群跨黨派的美國政治人物提出一項法案，計畫對出口至中國的電腦晶片製造設備施加更嚴格的限制，影響包括艾司摩爾 (ASML-US) 及中國主要晶片製造商在內的企業。根據《路透》報導，週四（2 日）晚間公布的《MATCH 法案》草案旨在保護美國在人工智慧（AI）領域的領先地位，透過阻止中國企業獲得其自身無法製造的晶片製造設備，並確保位於美國盟國的企業在出口限制上與美國公司面臨相同規範。
美國跨黨派國會議員周三 (4 日) 針對英特爾 (INTC-US) 提出國安疑慮，理由是該公司正在測試盛美半導體 (ACM Research)(ACRM-US) 的晶片生產設備，後者有中資背景且子公司仍在美國商務部黑名單上，擔憂英特爾的敏感資訊可能在測試過程中被洩露出去。
美國政府進一步收緊對中國半導體產業的限制措施。2 月 17 日，《聯邦公報》發布一項擬議規則，編號為 FAR Case 2023-008，核心內容為禁止美國聯邦行政機構採購含有受限半導體的產品與服務。中芯國際、長鑫儲存、長江存儲三家中國企業被明確列入受限名單，顯示美方對中國半導體的限制，已從出口管制與投資審查延伸至政府採購層面。
自去年下半年以來，全球記憶體晶片市場迎來新一輪漲價潮，手機製造商面臨成本飆升壓力，市場傳出蘋果正評估將中國長鑫存儲與長江存儲納入供應鏈，此舉不僅凸顯產業鏈格局變化，更引發市場對中國國產晶片能否借勢崛起的關注。根據「CFM 閃存市場」數據，DDR5 16Gb eTT 記憶體晶片價格從去年 8 月每顆 4.1 美元暴漲至本月的 24 美元，半年飆漲 583%。
美股雷達
人工智慧 (AI) 熱潮持續推升記憶體族群表現，美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (000660-KR) 與三星電子 (005930-KR) 近期股價強勢上攻，成為本波 AI 投資主線的最新贏家。不過，分析人士提醒，記憶體產業向來具高度循環性，當前榮景背後已開始浮現中長期風險訊號。
A股港股
根據中國科技產業媒體《快科技》報導，蘋果 (AAPL-US) 正考慮與中國半導體廠商長江存儲及長鑫存儲展開合作洽談。此舉旨在為即將推出的 iPhone 18 系列以及包含 MacBook 在內的 Mac 電腦產品線，尋求更穩定的 DRAM 與 NAND Flash 供應源。
美股雷達
日經亞洲 (Nikkei Asia) 周四 (5 日) 引述知情人士說法報導，由於全球記憶體供給短缺且價格高漲，包括惠普 (HPQ-US)、戴爾 (DELL-US)、宏碁 (2353-TW)、華碩 (2357-TW) 在內的個人電腦 (PC) 龍頭廠，首次考慮採購中國製的記憶體晶片。
台股新聞
近期市場傳出，中國 NAND 原廠長江存儲 (YMTC) 可能將原訂 2027 年才開出的新晶圓廠產能，提前至 2026 年下半年啟動量產，加上三星重啟投資平澤廠，引發市場對 NAND 供需市況將有所變化的擔憂。業界認為，若從供需結構性變化來看，單一廠商的擴產消息，難以實質扭轉 NAND 市場長期供不應求的趨勢。
中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。在中美對立的大背景下，長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策，迅速提昇技術實力，NAND 銷售份額首次超過全球 10%。
A股
《彭博》周三 (22 日) 引述知情人數報導稱，長江存儲科技考慮在中國 IPO，估值可能超過 400 億美元，有望成為近年來當地最大規模上市案之一。另一家記憶體廠商長鑫存儲也規劃上市，兩家公司目標估值均為 2000 億至 3000 億人民幣。