高頻寬記憶體
歐亞股
外媒最新報導指出，SK海力士第六代高頻寬記憶體HBM4擴產步伐出現放緩跡象，部分後道工序設備訂單遞延至明年，後續採購計畫尚未明朗，引發市場對HBM4量產進度的疑慮，相關設備供應商股價承受潛在壓力。韓媒《Dealsite》近日引述半導體設備業界消息報導，原定今年下半年交付的部分HBM4後道設備，出貨時程往後順延，已交付設備是否滿載運轉缺乏數據佐證，SK海力士2027年度投資計畫也未正式通知部分供應商。
美股雷達
英特爾前執行長季辛格最新專訪再轟高頻寬記憶體(HBM)，直稱其「醜陋、太差勁」，雖是現階段最佳方案，卻有嚴重架構缺陷。他指出，HBM位元密度低，且受「海岸線頻寬」限制。透過超寬匯流排連接運算晶片，HBM3/3E為1024位、HBM4升至2048位，物理層佔用晶片邊緣大量矽面積，運算晶片通常僅兩邊放HBM、另兩邊給系統I/O，可堆疊數量受限。
美股雷達
AI晶片競爭正從「電晶體能做多小」，延伸至「不同晶片如何整合」。隨著先進製程微縮難度與成本攀升，將多塊晶片緊密連接的先進封裝技術，正成為提升效能的重要途徑，也讓台積電(2330-TW)(TSM-US)在AI供應鏈中的角色更加關鍵。據《華爾街日報》報導，過去晶片進步主要依賴電晶體設計與尺寸縮小，如今則愈來愈仰賴晶片的排列、連接及堆疊方式。
美股雷達
美光(MU-US)將支付6億美元，與記憶體技術公司Netlist(NLST-US)就記憶體晶片專利爭議達成和解，並取得涵蓋高頻寬記憶體(HBM)技術的專利組合授權，期限為五年。《路透》報導，Netlist周二(6日)發布聲明表示，美光將每季支付3,000萬美元，五年合計6億美元。
A股港股
據《路透》引述知情人士報導，中國動態隨機存取記憶體(DRAM)龍頭長鑫存儲(長鑫科技)正準備進軍由三星電子、SK海力士等外商主導的NAND快閃記憶體市場。此舉除了能開闢核心DRAM業務以外的新市場並擴大客戶群外，也意味著長鑫將在中國國內與長江存儲展開正面交鋒。
歐亞股
綜合外媒周五(21日)報導，三星電子宣布史上最大規模股東回饋計畫，預計2026年向投資人返還90兆至110兆韓元(約651億至795億美元)，透過現金股利、股票回購及註銷等方式，分享人工智慧(AI)熱潮帶來的獲利成果。繼SK海力士(SKHY-US)日前宣布40兆韓元股票回購計畫後，南韓兩大記憶體晶片巨頭接連大手筆回饋股東。
美股雷達
美國記憶體大廠美光(MU-US)周四(20日)宣布成立Micron Research Labs，計劃未來10年投入100億美元，在愛達荷州波伊西打造美國首座專門研究記憶體技術的長期創新中心，推動次世代記憶體、運算架構、先進封裝及未來半導體製造技術。
專家觀點
近期非常強勢，想知道慶龍老師有沒有接回，再鎖定節目，但無論如何記憶體都很值得產業研究。南亞科 (2408-TW) 7月營收再創歷史新高，記憶體價格上漲已經直接反映在公司數字。國際大廠把先進產能轉向高頻寬記憶體與第五代雙倍資料率記憶體，第四代產品的供給持續收縮；伺服器、消費電子與工業設備的需求仍在擴大，南亞科成為這輪供需變化的主要受惠者。
歐亞股
《華爾街日報》(WSJ)周三(19日)報導，SK海力士(SKHY-US)宣布，將在未來三個月內斥資40.004兆韓元(約283.1億美元)買回並註銷自家股票，規模創南韓企業史上新高，同時承諾進一步提高股東回饋，將2025年至2027年累計自由現金流逾50%返還股東。
美股雷達
三星電子因人工智慧(AI)晶片需求激增、先進製程產能吃緊，已針對部分新接晶圓代工訂單調漲價格，漲幅最高達15%。隨著台積電(TSMC)(2330-TW)(TSM-US)先進製程產能接近滿載，客戶轉向三星與英特爾(Intel)(INTC-US)，三星晶圓代工業務議價能力隨之提升，長年虧損的部門最快可能在明年轉虧為盈。
美股雷達
全球高頻寬記憶體(HBM)龍頭SK海力士(SKHY-US)正投入7,200億美元，在南韓打造號稱全球規模最大的記憶體晶片生產網路，押注人工智慧(AI)需求將長期延續。即使南韓地形多山、大型工程難度甚高，公司仍決定大舉擴產，反映AI熱潮正改寫記憶體產業的供需與景氣循環。
國際政經
AI 浪潮持續推升記憶體需求，全球記憶體市場正迎來前所未有的結構性短缺週期。業界人士透露，三星電子 (005930KS) 、美光科技 (MU-US) 及 SK 海力士 (000660KS) 的 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）2027 年全年產能已提前完成分配，涵蓋長期供貨協議大客戶及部分中小型買家。
美股雷達
輝達 (NVDA-US) 正推動新一輪總值可能超過 7,500 億美元的人工智慧 (AI) 基礎設施交易，持續透過投資、融資及擔保支持 AI 客戶擴建資料中心。然而，由輝達提供資金的企業往往又會採購或使用其晶片，也讓市場再次擔憂，這類「循環融資」可能人為推高 AI 需求與企業估值。
歐亞股
南韓三星半導體今 (27) 日發布最新人物專訪，進一步揭露下一代 HBM 技術藍圖。三星電子晶圓代工業務技術開發負責人具滋焄 (音譯) 在專訪中明確表示，該公司打算在 HBM5 世代導入 2 奈米製程打造基礎裸晶 (Base Die)，此舉旨在同時突破性能與能效瓶頸。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 股價周四 (16 日) 早盤再度走低，一度下跌 5% 至 859.24 美元，延續前一交易日重挫 8% 的跌勢。以周三收盤價計算，美光過去一個月累計跌幅已達 20%，反映市場在股價過去一年暴漲近 700% 後，對記憶體產業景氣反轉的任何跡象都格外敏感。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 周四 (16 日) 宣布，已與高通 (QCOM-US)、汽車音響產品製造商 Harman 等汽車供應鏈業者簽署長期協議，確保人工智慧(AI) 汽車所需的記憶體與儲存元件供應，並提高價格與產能規畫的穩定性。隨著 AI 工具快速普及，資料中心、消費性電子與汽車對記憶體晶片的需求同步升溫，全球業者正加速擴充產能。
美股雷達
人工智慧 (AI) 熱潮讓記憶體晶片產業迎來前所未有的繁榮，但這場革命也可能徹底顛覆 SK 海力士 (SKHY-US)、三星電子與美光 (MU-US) 數十年來賴以成功的商業模式。隨著 AI 系統對記憶體頻寬需求暴增，記憶體廠未來恐不能再單純大量生產標準化產品，而必須轉向客製化晶片，甚至開始押注哪些處理器公司將成為未來贏家。
歐亞股
《路透》報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 美國存託憑證 (ADR) 發行案獲市場熱烈追捧。知情人士透露，由於投資人認購需求已數倍超過發行規模，公司已於美東時間周三 (8 日) 下午完成簿記 (Bookbuilding) 程序，市場預料最終定價將於周四南韓股市收盤後公布，ADR 則預計 7 月 10 日在那斯達克掛牌交易。
歐亞股
全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
美股雷達
綜合外媒周三 (24 日) 報導，SK 海力士 (SK Hynix) 計劃透過赴美掛牌籌資逾 290 億美元，成為人工智慧 (AI) 浪潮下最新一宗超大型募資案。隨著全球科技巨頭持續加碼資料中心與 AI 基礎建設投資，高頻寬記憶體 (HBM) 需求維持強勁成長，SK 海力士希望藉由美國資本市場募集資金，擴大產能並進一步鞏固其在 AI 記憶體市場的領導地位。