鉅亨網編譯莊閔棻
三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正同步加快在中國的NAND快閃記憶體布局，兩家南韓記憶體大廠計畫在明年前陸續完成新一輪設備投資，鎖定人工智慧（AI）伺服器帶動的高階儲存需求成長。
根據《ZDnet》報導，三星電子已具體化西安廠第9代NAND轉換投資計畫，並確定追加設備投資方案，相關設備採購訂單預計在今年底前敲定，補充投資則規劃於明年下半年啟動。
三星第9代NAND採用280層堆疊架構，是目前最先進的NAND產品之一，該產線預計月產能可達4萬至5萬片晶圓。
為強化第9代NAND量產的穩定性，三星近期進一步確定追加投資計畫，主要增加蝕刻製程設備。NAND需要將大量記憶體單元垂直堆疊，因此製程必須在晶圓上蝕刻出極深的通道孔，對蝕刻設備的精度及加工深度要求相當高。
業界人士透露，三星預計明年下半年執行相關補充投資，設備採購訂單則預計在今年底前確定。
受到AI伺服器等應用對高階NAND需求快速成長的帶動，三星將在今年與明年分階段擴大中國先進NAND產能。
與此同時，SK海力士則已自今年第3季起，在大連第2座工廠推進NAND產品升級所需的設備投資，目前規劃的產能規模約為每月3萬片晶圓，相關投資預計持續至明年。
大連廠此次投資也代表SK海力士在中國的NAND產能建置進一步加速，與三星西安廠的擴產計畫形成呼應。
分析指出，兩家南韓記憶體大廠接連擴大中國產線投資，顯示中國工廠在其高階NAND產品布局中的重要性持續提高。
隨著AI基礎設施建置加速，高階NAND需求快速增加，也成為此次擴產計畫的重要推力，將進一步提高兩家企業高階產品的供應能力。
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