韓媒：美光科技嘗試垂直堆疊GDDR 欲在標準GDDR與HBM之間開闢新路

韓媒《ETNEWS》周一 (30 日) 報導指出，美光科技(MU-US) 正積極研發垂直堆疊 GDDR 新型記憶體產品，預計最早於 2027 年推出原型，此舉旨在標準 GDDR 與 HBM 之間開闢全新技術路線。儘管在 AI 記憶體領域的熱度不及 HBM，但 GDDR 憑藉在圖形 GPU 領域的深厚積累，仍在 AI XPU 記憶體市場佔有一席之地。

當前 AI 推理需求蓬勃發展，各類緩存與記憶體均有其獨特應用場景。垂直堆疊 GDDR 憑藉較低成本與更大容量的優勢，可望成為記憶體大廠新一輪技術競爭的焦點。業內人士分析指出，該技術若能實現量產，將為中高端 AI 加速卡提供更具性價比的解決方案。

值得注意的是，輝達的 RTX PRO 專業顯卡及部分 AI ASIC 項目已採用 GDDR 技術，而曾被擱置的 Rubin CPX 項目在最初規劃中也考慮配備 GDDR。這顯示儘管 HBM 在高端市場佔據主導地位，但 GDDR 仍在特定應用場景保持競爭力。

美光此次技術佈局，反映記憶體市場正朝多元化方向發展。在 AI 推理應用日益普及的背景下，不同類型的記憶體方案將根據性能、成本和功耗需求在不同細分市場找到發展空間。垂直堆疊 GDDR 的問世，有望為中端 AI 加速器市場帶來新的選擇。