AI推理引爆記憶體晶片荒!花旗:明年DRAM/NAND供需比暴跌 這些公司將受益
鉅亨網編譯陳韋廷
華爾街投資機構花旗集團 (C-US)周二 (9 日) 出具研究報告指出,受 AI 領域對儲存需求激增驅動,2026 年全球關鍵科技商品 DRAM 與 NAND 快閃記憶體恐面臨供不應求局面。

花旗分析師指出,隨著 AI 應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸,一般伺服器記憶體、行動端 DRAM 及高頻寬 / 高密度 NAND 快閃記憶體 (如企業級 QLC 固態硬碟) 需求將大幅成長,DRAM 供需比料將下滑至 - 1.8%,NAND 快閃記憶體供需比更低至 - 4%,整體記憶體市場供需關係趨緊並推升。
根據報告,2026 年 DRAM 供應量與需求量料將分別年增 17.5% 及 20.1%,NAND 快閃記憶體則為 16.5% 及 21.4%,供需增速差凸顯失衡風險。
儘管傳統記憶體需求攀升,但供應商優先投資高頻寬記憶體 (HBM),犧牲了傳統產能。DRAM 資本支出預計年增 12.2%,NAND 快閃記憶體為 9%,而晶圓廠設備總支出預計成長 11.1%,資源傾斜趨勢明顯。
因此,花旗重申對美光科技、SanDisk、三星及 SK 海力士的「買進」評級,認為記憶體領域龍頭將受益於供需缺口帶來的市場機會。
但花旗這項研判也為 2026 年全球半導體供應鏈的結構性矛盾敲響警鐘,也凸顯 AI 技術演進對底層硬體需求的深遠影響。
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