AI需求旺記憶體廠積極擴產 明年HBM供給位元量將年增逾1倍

據 TrendForce 最新報告指出，記憶體原廠在面臨輝達 (NVDA-US) 及其他雲端服務業者自研晶片訂單下，加大 TSV 產線來擴增 HBM 產能。從目前各原廠規劃來看，預估 2024 年 HBM 供給位元量將年增 105%，不過，預估多數產能明年第二季才可望陸續開出。

TrendForce 分析，由於今、明年為 AI 建置爆發期，大量需求挹注在 AI Training 晶片，並推升 HBM 使用量，後續建置轉為 Inference 以後，對 AI Training 晶片以及 HBM 需求的年成長率則將略為收斂。

因此，原廠此刻在 HBM 擴產的評估正面臨抉擇，必須在擴大市占率以滿足客戶需求，及過度擴產恐導致供過於求之間取得平衡。值得注意的是，目前買方在預期 HBM 可能缺貨的情況下，其需求數量恐隱含超額下單的風險。

觀察 HBM 供需變化，2022 年供給無虞，今年受到 AI 需求突爆式增長，導致客戶預先追加訂單，即便原廠擴大產能，仍無法完全滿足客戶需求。展望明年，TrendForce 認為，基於各原廠積極擴產的策略下，HBM 供需比有望獲改善，預估將從 2023 年的 - 2.4%，轉為 0.6%。

以 HBM 不同世代需求比重而言，TrendForce 表示，2023 年主流需求自 HBM2e 轉往 HBM3，需求比重分別預估約是 50% 及 39%。隨著使用 HBM3 的加速晶片陸續放量，2024 年市場需求將大幅轉往 HBM3，而 2024 年將直接超越 HBM2e，比重預估達 60%，且受惠於其更高的平均銷售單價，將帶動明年 HBM 營收顯著成長。