繼台積電之後美光也將擴大日本半導體投資 威脅三星、海力士

繼台積電之後美光也將擴大日本半導體投資 威脅三星、海力士 (圖:AFP)
繼台積電之後美光也將擴大日本半導體投資 威脅三星、海力士 (圖:AFP)

南韓媒體 BusinessKorea 報導,台積電 (2330-TW) 決定在日本設立半導體廠之後,美光 (MU-US) 也表示有意擴大日本投資,尤其是開發 5 奈米 DRAM 技術,正在威脅南韓三星電子和 SK 海力士的生產優勢。

美光執行長 Sanjay Mehrotra 近日接受日經新聞採訪時表示,願意和日本政府合作強化日本半導體供應鏈,將擴大投資,與日本設備和材料廠合作,並特別提到願意和日本企業合作開發第五代 DRAM 技術。

美光是全球第三大 DRAM 製造商,該公司 6 月初宣布,已經開始量產第四代 10 奈米級製程 DRAM,獨步全球。

三星電子和 SK 海力士分別是全球 DRAM 龍頭和第二大廠,但兩家公司主要開發的仍是第三代 DRAM 技術。然而美光本月宣布將砸下 140 億美元,開始擴大台灣台中 DRAM 廠的規模,這逐漸威脅到三星和海力士的市占率。

美光先前還傳出有意收購日本鎧俠 (Kioxia),而鎧俠是全球第二大 NAND 快閃記憶體業者。Trendforce 資料顯示,三星在 NAND 快閃記憶體以 33.5% 市占率居第一,美光目前以 11.1% 居於第五,如果美光結盟並取得京瓷 18.7% 的市占率,將以 29.8% 市占率緊咬三星。

台積電則正在強化與美、日之間的關係。台積 2 月宣布在筑波市設置半導體研發城,且據悉正在評估在日本設立獨資晶圓廠。

而台積電在美國亞利桑那州的 5 奈米製程晶圓廠最近已經動工,該計畫預定三年斥資 1000 億美元,將多達六座工廠。

三星電子也計劃投資 170 億美元擴大美國德州晶圓廠,也將擴大對南韓平澤 P3 產線的投資,不過目前並無進一步細節。

BusinessKorea 指出,儘管三星電子已宣布 2030 年前半導體投資額將從 133 兆韓元提高到 171 兆韓元,但比起台積電三年內斥資的 111 兆韓元,美光投資還是相形見絀。


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