繼台積電之後美光也將擴大日本半導體投資 威脅三星、海力士

南韓媒體 BusinessKorea 報導，台積電 (2330-TW) 決定在日本設立半導體廠之後，美光 (MU-US) 也表示有意擴大日本投資，尤其是開發 5 奈米 DRAM 技術，正在威脅南韓三星電子和 SK 海力士的生產優勢。

美光執行長 Sanjay Mehrotra 近日接受日經新聞採訪時表示，願意和日本政府合作強化日本半導體供應鏈，將擴大投資，與日本設備和材料廠合作，並特別提到願意和日本企業合作開發第五代 DRAM 技術。

美光是全球第三大 DRAM 製造商，該公司 6 月初宣布，已經開始量產第四代 10 奈米級製程 DRAM，獨步全球。

三星電子和 SK 海力士分別是全球 DRAM 龍頭和第二大廠，但兩家公司主要開發的仍是第三代 DRAM 技術。然而美光本月宣布將砸下 140 億美元，開始擴大台灣台中 DRAM 廠的規模，這逐漸威脅到三星和海力士的市占率。

美光先前還傳出有意收購日本鎧俠 (Kioxia)，而鎧俠是全球第二大 NAND 快閃記憶體業者。Trendforce 資料顯示，三星在 NAND 快閃記憶體以 33.5% 市占率居第一，美光目前以 11.1% 居於第五，如果美光結盟並取得京瓷 18.7% 的市占率，將以 29.8% 市占率緊咬三星。

台積電則正在強化與美、日之間的關係。台積 2 月宣布在筑波市設置半導體研發城，且據悉正在評估在日本設立獨資晶圓廠。

而台積電在美國亞利桑那州的 5 奈米製程晶圓廠最近已經動工，該計畫預定三年斥資 1000 億美元，將多達六座工廠。

三星電子也計劃投資 170 億美元擴大美國德州晶圓廠，也將擴大對南韓平澤 P3 產線的投資，不過目前並無進一步細節。

BusinessKorea 指出，儘管三星電子已宣布 2030 年前半導體投資額將從 133 兆韓元提高到 171 兆韓元，但比起台積電三年內斥資的 111 兆韓元，美光投資還是相形見絀。