政院:三面向強化台灣半導體競爭優勢 目標2030年突破1奈米

政院:三面向強化台灣半導體競爭優勢 目標2030年突破1奈米。(圖:行政院直播)
政院:三面向強化台灣半導體競爭優勢 目標2030年突破1奈米。(圖:行政院直播)

行政院科技會報辦公室今 (15) 日報告「美中科技戰下台灣半導體前瞻科研及人才布局」,擬定 2030 年台灣半導體產業將以突破 1 奈米技術節點為發展目標,穩固國際戰略地位,除了擴大連結矽基半導體產業鏈,也將推動化合物半導體進入 8 吋時代,以協助產業搶攻電動車、綠能、5G/6G 等高頻、高功率的應用,最後則是邁向未來前瞻十年的量子電腦科技。

科會辦表示,在美中貿易戰情形下,半導體產業邁入國際競合戰場,從材料、設備、技術、晶片到產能,都已成為國際競合焦點。事實上,台灣早從 2 年前開始布局,去年疫情嚴峻之際,透過視訊方式,多次與各部會、產業界討論,最後擬定在 2030 年半導體競爭趨勢下,台灣矽製程必須要突破 1 奈米為發展目標。

科會辦說明,在這個大目標下,囊括了矽基半導體、化合物半導體布局,以及未來十年的量子科技。台灣要維持供應鏈優勢,得從三大關鍵議題下手,首先是擴大代工製造競爭優勢,保持技術領先;其次,確保半導體人才供應,解決五缺 (地水電材工) 之急;第三,掌握戰略技術與資源,避免落入供應鏈掐脖子的危機。

因此,科會辦進一步提出四大解方,第一,確保半導體人才供應,從去年第三季起已經規劃短中長期目標,經濟部、教育部、科技部也攜手推動重點產業學院、半導體研發中心等,預計未來每年將新增 1 萬名以上的相關系所人才。

第二,在 2025/30 半導體科研布局方面,科會辦說明,中程計畫將推動矽基「A 世代半導體」,主要應用在電腦、手機、汽車的運算;化合物半導體則聚焦高功率的電動車、綠能,以及高頻率的通訊、低軌衛星等應用,因此,我國必須掌握設備、材料、元件關鍵技術。2030 年後長期目標量子電腦,則必須建立在台灣維持半導體領先優勢的基礎上。

第三,未來將建立高雄半導體材料專區,以楠梓的原高雄煉油廠為半導體材料研發核心,北接路竹、橋頭至南科為新興半導體製造聚落,南接大社、仁武、大寮、林園、小港 (大林埔) 半導體材料、石化聚落,並結合台積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠,建立南部半導體材料 S 形廊帶。

最後,現有的竹科第三 - 五期標準廠房更新。科會辦表示,計畫於 2021-2035 年期間,投入 272.57 億元,讓廠房單元數從 88 擴大至 196 單元,維持既有廠商營運,採先建後拆逐棟更新,預估將可引進就業人口 5848 人,創造年產值 411.82 億元。
 


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