IC insights:記憶體產能過剩 拖累全年資本支出成長

IC insights:記憶體產能過剩 拖累全年資本支出成長 (圖:AFP)
IC insights:記憶體產能過剩 拖累全年資本支出成長 (圖:AFP)

據 IC insights 報告指出,2019 年半導體產業中,記憶體產業鏈之資本支出費用約佔整體半導體產業達 43%,而由於記憶體近年產能爆量等因素,造成記憶體市場近 1 年出現供過於求的跌價現象,各廠減少擴產,導致今年記憶體資本支出因此下滑,拖累整體半導體產業資本支出下修為 978 億美元,相較於去年減少 80 億美元

拉開歷史數據來看,從下圖可知,過去 2 年記憶體產業資本支出是大幅增加,且自 2013 起至 2018 為止記憶體產業資本支出佔比已從 24% 跳升至 49%,2019 則略為下降至 43%,整體 7 年的年均複合增長率 (CAGR) 則達 18.9%。

半導體資本支出於半導體產業佔比與各年變動 (圖: IC insights)
半導體資本支出於半導體產業佔比與各年變動 (圖: IC insights)

IC 產品中,以快取記憶體 (NAND) 的資本支出為 2017 與 2018 年整體半導體產業資本支出達高峰的主要產品,如記憶體大廠三星、SK 海力士、美光即在過去 2 年間開出不小產能。

而過去 18 個月中英特爾 (INTC-US)、東芝、威騰、SanDisk、XMC 與長江存儲,也都明顯加速擴增 3D NAND 的產量,持續產能擴增下,也使得 DRAM 與快取記憶體都出現供過於求的狀況,終而造成持續性的價格下跌。

資本支出變動方面,過去兩年全球各大記憶體廠的擴廠計畫,由於目前皆已完成或接近完成,再加上產能擴增下使市場價格不斷掉價,兩大因素下使各廠已逐漸縮減資本支出費用,截至目前為止 DRAM 與 Flash 資本支出已分別下跌 19% 與 21%。

DRAM 與 Flash 資本支出各年變動 (圖: IC insights)
DRAM 與 Flash 資本支出各年變動 (圖: IC insights)

展望記憶體後市 IC insights 指出,跌價的持續與否,將取決於各廠對於資本支出的調整,其中大廠之一的 SK 海力士已於上月宣布將減產,而若未來各廠持續出現減產的態度,未來將能平緩記憶體跌價的趨勢。

IC insights 表示,從短期供需面來看,供給過剩造成的低價,已使消費者具價格優勢,需求量的增加,或多少能彌補廠商的跌價損失。


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