打破國際壟斷 長江存儲宣布3D快閃記憶體晶片投入量產

長江存儲宣布3D快閃記憶體晶片投入量產 (圖:AFP)
長江存儲宣布3D快閃記憶體晶片投入量產 (圖:AFP)

中國紫光集團 (365-HK) 旗下長江存儲,宣布正式量產基於 Xtacking 結構的 64 層 3D NAND 晶片,市場分析,這將有望幫助中國打破產業國際壟斷局面。

長江存儲是中國第一家 NAND 記憶體晶片製造商,本次量產預計能推動第一期月產能達 10 萬片。除了發布量產消息,該公司同時計畫推出 64 層 3D NAND 的固態硬碟 (SSD)、通用快閃記憶體 (UFS) 等產品,專攻數據機、企業伺服器、個人筆電等各種行動設備。

不同於其他製造商,長江存儲的 64 層 3D NAND 晶片是全球首款基於 Xtacking 結構設計,且實現量產的快閃記憶體晶片,可在兩片獨立晶圓上,分別加工週圍電路與儲存單元,帶來更快的 I/O 傳輸速度、更高的儲存密度,且有助於縮短產品上市週期。

長江存儲技術研發中心副總裁程衛華表示,將 Xtacking 結構投入大規模生產,能夠在提升產品性能的同時,縮短開發與生產週期,推動市場的快速發展。

展望未來市場,程衛華指出,在 5G、AI 時代的引領下,全球對 3D NAND 晶片的需求將持續增長,而 64 層 3D NAND 閃存產品的大規模生產,將為全球 NAND 記憶體市場挹注發展動能。

根據 TrendForce 報告,2018 年 NAND Flash 因供過於求導致市場價格大跌,製造商紛紛推遲 96 層 3D NAND 擴產計畫,技術製程因此陷入瓶頸,這為長江存儲提供技術追趕的機會。

(圖:DRAMeXchange)
(圖:DRAMeXchange)

另外外界傳出,該公司計畫跳過 96 層 3D NAND 技術,在 2020 年直接投入 128 層技術研發,搶奪國際市場。

目前包含三星電子、SK 海力士、東芝以及美光等全球主要 NAND 供應商皆已開始量產 96 層技術,並為 128 層技術熱身,若長江存儲能在 2020 年成功投入 128 層技術,將有望拉近與國際大廠間的競爭差距。


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