台積晶圓代工領先英特爾1年！明後年獨霸10、7奈米

MoneyDJ 新聞 2016-09-29  記者 郭妍希 報導

台積電 (2330)、英特爾(Intel Corp.) 在晶圓代工領域正面對決，英特爾在 8 月宣布跟設計手機、汽車晶片的安謀 (ARM Holdings) 敲定代工協議，看似躍進一大步，但分析人士認為，英特爾整體晶圓代工能力仍落後台積電一年之久，短期內難以對台積電造成實質威脅。(圖為台積電董事長張忠謀)

barron`s.com 27 日報導，美系外資發表研究報告指出，台積電在技術、處理 ARM 製程的能力、晶圓產能、成本結構、生產彈性、資產負債表和整體價值方面，都比英特爾來得強勢。雖然英特爾微處理器的科技、製程都較佳，但晶圓代工能力卻落後微處理器製造技術至少兩年，因此大概比台積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期內難以對台積電產生實質威脅。

相較之下，台積電的 10 奈米、7 奈米製程技術雖落後英特爾，但台積電比英特爾提前 1-2 年跨入 7 奈米製程，可藉此縮短兩家公司的差距。台積電在獨家封裝技術「整合型扇出型封裝」(integrated fan-out，InFO) 的協助下，有望在 2017 年、2018 年霸佔 10 奈米和 7 奈米晶圓代工市場。

台積電 27 日上漲 1.88% 之後，28 日小跌 0.23%、收 30.33 美元；年初迄今已跳漲 33.32%。

最新消息顯示，台積電內部預估，7 奈米最快明 (2017) 年 4 月就可開始接受客戶下單。(圖為台積電董事長張忠謀)

WCCFtech 9 月 25 日報導 (見此)，台積電研發單位已在內部會議中，揭露未來幾年的最新研發藍圖，根據幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉換至 10 奈米，7 奈米則會在明年試產、估計明年 4 月就可接單，而 16 奈米 FinFET compact 製程(FFC，比 16FF + 更精密) 也將在今年導入。7 奈米製程可大幅提升省電效能 (時脈約 3.8Ghz、核心電壓(vcore) 達 1V)，臨界電壓 (threshold voltage) 最低可達 0.4V，適用溫度約為 150 度。

報導稱，跟 16FF + 相較，10 奈米 FinFET 製程可讓晶片尺寸縮小 50%、運算效能拉高 50%、耗電量降低 40%。相較之下，7 奈米 (採的應該是 FinFET 製程) 的運算效能只能拉高 15%、耗電量降低 35%，電晶體密度增加 163%，改善幅度遠不如 10 奈米。這是因為，台積電的 10 奈米 FinFET 製程大約等同英特爾的 14 奈米，7 奈米製程則大致跟英特爾的 10 奈米相當、甚至較遜。

Fudzilla 甫於 9 月 9 日報導，台積電高層在本週的 SEMICON Taiwan 國際半導體展表示，7 奈米製程有望在 2018 年 Q1 放量生產。台積電從 2014 年初開始投入 7 奈米製程研究，預定 2017 年上半進入風險生產 (Risk Production)，再過一年後量產，搭載 7 奈米晶片的消費產品應可同時上市。

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