高頻寬記憶體
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輝達 (NVDA-US) 正推動新一輪總值可能超過 7,500 億美元的人工智慧 (AI) 基礎設施交易，持續透過投資、融資及擔保支持 AI 客戶擴建資料中心。然而，由輝達提供資金的企業往往又會採購或使用其晶片，也讓市場再次擔憂，這類「循環融資」可能人為推高 AI 需求與企業估值。
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南韓三星半導體今 (27) 日發布最新人物專訪，進一步揭露下一代 HBM 技術藍圖。三星電子晶圓代工業務技術開發負責人具滋焄 (音譯) 在專訪中明確表示，該公司打算在 HBM5 世代導入 2 奈米製程打造基礎裸晶 (Base Die)，此舉旨在同時突破性能與能效瓶頸。
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美光科技 (MU-US) 股價周四 (16 日) 早盤再度走低，一度下跌 5% 至 859.24 美元，延續前一交易日重挫 8% 的跌勢。以周三收盤價計算，美光過去一個月累計跌幅已達 20%，反映市場在股價過去一年暴漲近 700% 後，對記憶體產業景氣反轉的任何跡象都格外敏感。
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美光科技 (MU-US) 周四 (16 日) 宣布，已與高通 (QCOM-US)、汽車音響產品製造商 Harman 等汽車供應鏈業者簽署長期協議，確保人工智慧(AI) 汽車所需的記憶體與儲存元件供應，並提高價格與產能規畫的穩定性。隨著 AI 工具快速普及，資料中心、消費性電子與汽車對記憶體晶片的需求同步升溫，全球業者正加速擴充產能。
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人工智慧 (AI) 熱潮讓記憶體晶片產業迎來前所未有的繁榮，但這場革命也可能徹底顛覆 SK 海力士 (SKHY-US)、三星電子與美光 (MU-US) 數十年來賴以成功的商業模式。隨著 AI 系統對記憶體頻寬需求暴增，記憶體廠未來恐不能再單純大量生產標準化產品，而必須轉向客製化晶片，甚至開始押注哪些處理器公司將成為未來贏家。
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《路透》報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 美國存託憑證 (ADR) 發行案獲市場熱烈追捧。知情人士透露，由於投資人認購需求已數倍超過發行規模，公司已於美東時間周三 (8 日) 下午完成簿記 (Bookbuilding) 程序，市場預料最終定價將於周四南韓股市收盤後公布，ADR 則預計 7 月 10 日在那斯達克掛牌交易。
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全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
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綜合外媒周三 (24 日) 報導，SK 海力士 (SK Hynix) 計劃透過赴美掛牌籌資逾 290 億美元，成為人工智慧 (AI) 浪潮下最新一宗超大型募資案。隨著全球科技巨頭持續加碼資料中心與 AI 基礎建設投資，高頻寬記憶體 (HBM) 需求維持強勁成長，SK 海力士希望藉由美國資本市場募集資金，擴大產能並進一步鞏固其在 AI 記憶體市場的領導地位。
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外媒最新報導指出，南韓半導體巨擘 SK 海力士（SK Hynix）預計近期向該國金融監督院提交美國存託憑證 (ADR) 發行申報文件，朝赴美上市再邁出關鍵一步。《韓國經濟日報》報導，基於近期股價大漲後的市值推算，業界估計 SK 海力士本次 ADR 募資規模最高可達 40 兆韓元 (約 260 億美元)，若成行將與阿里巴巴 2014 年紐約 IPO 募資額相當，有望寫下韓企赴美最大規模籌資紀錄，最終發行規模則依市況而定。
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韓媒報導，SK 海力士 (SK Hynix) 正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體 (HBM) 龍頭不但沒有全力衝刺下一代 HBM4 量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統 DRAM 市場，希望在嚴重供給短缺帶動 DRAM 利潤意外飆升之際，搶下更多營收。
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受惠於半導體景氣暢旺，三星電子與 SK 海力士員工近期陸續領取數億韓元績效獎金，資金迅速湧入在地房市與奢侈品消費市場。《中央日報》報導，南韓京畿道城南市盆唐區、華城東灘等「半導體帶」精華地段，部分主力公寓掛牌價較一個月前大漲近 2 億韓元 (約 460 萬台幣)，成交價亦明顯走揚，高檔進口車展示中心同樣湧入大批半導體從業人員詢問下單。
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南韓三星電子近日在 2026 年 VLSI 超大規模積體電路研討會上宣布，全球首次實現閘極間距 42 奈米的 3D 堆疊電晶體 (3D Stacked FET) 技術。傳統邏輯晶片依賴縮小電晶體橫向間距提升整合度，但若尺寸持續壓縮，薄層絕緣層易產生漏電干擾，但 3D 堆疊 FET 將原本並排放置的 N 型和 P 型電晶體上下堆疊，理論上一倍面積可容納兩倍電晶體。
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過去數十年，記憶體價格遵循著每五年跌價 9 成的規律，但這項定律已被 AI 徹底改寫。摩根士丹利 (下稱大摩) 出具最新研報指出，過去一年記憶體價格飆漲逾六倍，且這並非傳統的週期性波動，而是一場深層的「結構性供應危機」。根據集邦科技 (TrendForce) 數據，全球記憶體市場規模預計將從 2025 年的 2200 億美元，暴增至 2026 年的 8900 億美元，6700 億美元的增幅甚至超過了智慧手機、個人電腦或伺服器單一市場的總規模。
南韓《每日經濟新聞》今 (10) 日引述政界與業界人士消息報導指出，三星電子與 SK 海力士正對全國各地區投資計畫進行最終審查，最快本月內公布細節，二者打算在西南部與中部擴大設施投資，項目涵蓋封裝產線，亦不排除新建半導體晶圓廠的可能性。另據《韓國經濟日報》(KED) 報導，南韓總統李在明預計 6 月 29 日與各大財閥負責人會面，討論區域投資佈局，相關計畫將在會議上正式對外公布。
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南韓 SK 集團董事長崔泰源週二表示，旗下記憶體晶片子公司 SK 海力士目標在未來五年將晶圓產能擴充一倍。崔泰源在台北國際電腦展 (Computex) 現場做出上述發言。今年 3 月，他曾預警全球晶圓緊缺局面恐將延續至 2030 年。他還表示，企業需要深化在台灣的合作佈局，合作對象不能僅限於全球第一大晶圓代工廠台積電。
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南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
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三星電子半導體員工週三 (27 日) 高票通過一項創紀錄的利潤分成協議，這場持續數月的勞資拉鋸戰終於結束，工會 74% 成員投下贊成票，避免因分紅爭議可能引發的罷工危機。受此利多刺激，三星股價週三收漲近 7%。根據協議，三星旗下 7.8 萬名半導體員工將分享今年營業利潤的 10.5%，加上原有的 1.5% 常規獎金制度，總獎金池規模料將突破 34 兆韓元。
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南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (26) 日發佈「iHBM」技術，該技術透過在高頻寬記憶體 (HBM) 封裝內嵌入整合式冷卻零件(ICE)，大幅降低產品運行時的發熱量。ICE 由電氣絕緣、導熱性佳的矽基材料製成之冷卻零件，透過提供額外散熱路徑，協助 HBM 封裝有效排出熱量。
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AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
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從年虧百億到日賺 3 億元 (人民幣，下同)，中國國產 DRAM 龍頭長鑫科技週日(17 日) 用一份堪稱「炸裂」的成績單，向中國科創板發起衝刺。在這家合肥公司更新招股書後，一組財務數據迅速引發市場震動。今年第一季，長鑫科技營收 508 億元，年增 719.13%，淨利潤 330.12 億元，歸母凈利潤 247.62 億元。