高頻寬記憶體
韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。
美股雷達
美國記憶體大廠 Sandisk 與 SK 海力士周三 (25 日) 在前者總部聯合舉辦「HBF 規格標準化聯盟啟動會」，這標誌著兩大記憶體廠正式啟動高頻寬快閃記憶體(HBF) 的全球標準化進程。《韓聯社》報導，SK 海力士今 (26) 日表示，已與 Sandisk 攜手合作，開始將下一代儲存技術 HBF 標準化，以強化其在 AI 晶片市場的地位。
歐亞股
SK 海力士母公司 SK 集團會長崔泰源上周五 (20 日) 在華府表示，將擴大高頻寬記憶體 (HBM) 產能，以因應全球 AI 資料中心建設熱潮。被稱為「怪獸晶片」的 HBM 正推動 SK 海力士股價較去年同期飆升超三倍，去年漲幅更達 280%，市值突破 159 兆韓元。
科技
南韓記憶體巨擘 SK 海力士上周五 (20 日) 在面向高盛的虛擬投資者會議上釋放明確訊號說：「全球記憶體產業已徹底轉向賣方市場，2026 年價格漲勢將貫穿全年。」SK 海力士這項判斷是基於 AI 需求爆發與供應端剛性約束的雙重擠壓。根據 SK 海力士揭露，目前 DRAM 及 NAND 快閃記憶體庫存僅餘約 4 周，且所有客戶需求都無法滿足。
歐亞股
美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
科技
南韓三星電子將於春節假期後率先啟動全球首次 HBM4 大規模量產，並於 2 月第三周向輝達交付首批產品，此舉代表三星在 AI 記憶體領域上實現關鍵突破，試圖扭轉上一代產品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階記憶體競爭格局。三星 HBM4 在性能上實現跨越式升級。
歐亞股
韓媒週五 (5 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 正加速擴大下一代 DRAM 產能，計劃將用於高頻寬記憶體第四代 (HBM4) 的先進記憶體產能最高提升約 70%，以因應輝達 (NVDA-US) 與超微 (AMD) (AMD-US) 等 AI 晶片大廠需求快速升溫。
美股雷達
隨著人工智慧 (AI) 資料中心快速擴張，記憶體資源被大量吸納，消費性電子可用的記憶體供應持續吃緊，對智慧型手機產業形成明顯壓力。高度依賴手機市場的晶片設計商首當其衝，其中高通高層對記憶體短缺的示警，引發投資人對短期營運前景的重新評估，股價應聲重挫。
歐亞股
根據《路透》周二 (27 日) 報導，南韓記憶體晶片大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 表示，正評估成立專責人工智慧 (AI) 投資的單位，此前有媒體報導指出，該公司計畫在美國設立相關子公司，作為集團海外 AI 投資的管理平台。SK 海力士周二在向監管機構提交的文件中指出，公司正考慮多項方案，其中包括成立 AI 投資子公司，但強調相關規劃仍在評估階段，尚未作出最終決定。
歐亞股
南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 周二 (27 日) 收盤大漲 8.7%、登上歷史新高，不但抹去當天稍早因美國總統川普突升南韓關稅的賣壓，更延續今年來乘著人工智慧 (AI) 熱潮，而持續向 4000 億美元市值挺進的旅程。南韓每日經濟新聞 (Maeil Business Newspaper) 報導，在微軟 (MSFT-US) 周一發表的 Maia 200 晶片中，使用了六顆來自 SK 海力士的 HBM3E。
美股雷達
《CNBC》周一 (26 日) 報導，在人工智慧 (AI) 基礎設施投資持續擴大的帶動下，全球記憶體晶片供需失衡情況恐將比市場原先預期更為持久。半導體產業高層指出，記憶體價格上漲與供給短缺的情況，可能一路延續至 2027 年，顯示這波由 AI 資料中心需求引爆的晶片吃緊局面，短期內難以緩解。
科技
美國知名資產管理公司 ClearBridge Investments 新興市場股票基金經理 Divya Mathur 周四 (15 日) 表示，未來十年，隨著 AI 持續推高晶片需求，記憶體晶片類股將成為最佳投資方向。ClearBridge 是富蘭克林鄧普頓旗下專注主動股票管理的子公司，其聯合管理的 ClearBridge SMASh 系列新興市場基金過去一年表現跑贏 97% 同類產品，規模約 14 億美元。
美股雷達
南韓 SK 海力士正積極押注記憶體晶片熱潮，計劃在本國投資 130 億美元新設一座處理器封測廠，競爭對手美光 (MU-US) 周二 (13 日) 股價應聲下挫逾 2%。SK 海力士周二宣布，將在首爾南方的清州建造一座先進的人工智慧 (AI) 晶片封裝與測試工廠。
歐亞股
在 AI 需求推高全球晶片價格的背景下，中國記憶體晶片大廠長鑫存儲正積極突破技術與地緣政治限制，準備與美光和三星與 SK 海力士等南韓領先企業展開競爭。長鑫存儲近期打算進行 40 億美元的股票發行，此舉可望重塑美國與南韓公司主導的產業格局。長鑫存儲此次的晶片供應計畫是本世紀晶片製造商規模最大的供應行動之一，對當前 AI 熱潮中面臨晶片短缺的科技公司而言意義重大。
美股雷達
《CNBC》周二 (6 日) 報導，全球半導體類股在新年開局表現強勁，其中以記憶體晶片大廠領漲最為明顯。隨著人工智慧 (AI) 相關需求持續推升，加上供應偏緊，市場對記憶體價格上漲的預期升溫，帶動投資人信心回溫。南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 與三星電子 (Samsung Electronics) 今年以來股價分別上漲約 11.5% 與 15.9%，美國記憶體大廠美光 (MU-US) 同期漲幅也約 9%。
科技
輝達 (NVDA-US) 周一 (5 日) 在 CES 2026 大展上宣布，下一代 Rubin AI 晶片已全面投入生產，並打算今年下半年正式上市。這次發布的最大亮點在於，Rubin GPU 將成為業界首款整合 HBM4 高頻寬記憶體的處理器，標誌著 AI 運算基礎設施邁入新的技術階段。
美股雷達
全球記憶體晶片供應持續吃緊，在人工智慧 (AI) 基礎建設需求帶動下，投資人押注價格續漲，相關類股周一 (5 日) 全面走揚。市場預期，供給緊俏態勢短期內難以緩解，推升記憶體族群投資吸引力。三星電子共同執行長盧泰文 (TM Roh) 日前接受《路透》專訪時形容，此次記憶體短缺「前所未見」，並呼應同業看法指出，供給受限的情況可能持續數月，甚至延伸至數年。
美股雷達
巴隆周刊 (Barron’s) 報導，在人工智慧 (AI) 帶動對記憶體的需求下， 美光 (美光)(MU-US)、希捷 (Seagate)(STX-US)、威騰 (WDC)(WDC-US) 異軍突起，2025 年暴漲至少兩倍，「科技七巨頭」也甘拜下風，2026 年還能再度發光？歷史經驗顯示最好別抱太大希望，但從記憶體寡占格局來看，也可能有例外。
美股雷達
根據《CNBC》周三 (24 日) 報導，人工智慧 (AI) 熱潮持續推升資料中心與基礎建設投資，輝達 (NVDA-US) 雖仍是最大受惠者，但過去一年來，華爾街資金也大量流向其他 AI 基礎建設供應商。隨著多家大型科技公司今年合計投入約 3,800 億美元，用於資料中心與相關基礎設施建置，記憶體、儲存設備、光纖與網通設備等供應鏈股價明顯受惠，其中多檔個股年內漲幅已超過三倍，成為 AI 題材下的另一批贏家。
美股雷達
《路透》報導，美國記憶體晶片大廠美光 (Micron Technology) 公布最新財測，釋出遠優於市場預期的獲利展望，受惠高頻寬記憶體 (HBM) 價格飆升與人工智慧 (AI) 資料中心需求強勁，美光股價周四 (18 日) 盤前一度大漲逾 10%，再度點燃市場對 AI 記憶體供不應求的想像空間。