高頻寬記憶體
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《路透》報導，美國記憶體晶片大廠美光 (Micron Technology) 公布最新財測，釋出遠優於市場預期的獲利展望，受惠高頻寬記憶體 (HBM) 價格飆升與人工智慧 (AI) 資料中心需求強勁，美光股價周四 (18 日) 盤前一度大漲逾 10%，再度點燃市場對 AI 記憶體供不應求的想像空間。
根據華爾街機構伯恩斯坦 (Bernstein) 發布的最新研究報告，全球記憶體市場正經歷一個顯著的超級週期，價格上升趨勢料將持續，但隨著資本支出的增加，2026 年底可能開始逐步正常化。報告中也強調，儘管價格最終會回落，但成本下降將支撐利潤率維持高位，讓本輪週期成為業界表現最佳的時期之一。
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根據市調機構 Counterpoint Research 周三 (19 日) 發布的報告指出，輝達 (NVDA-US) 近期決定將人工智慧 (AI) 伺服器改採手機與平板常用的 LPDDR 低功耗記憶體後，恐在供應鏈掀起重大衝擊，並可能使伺服器記憶體價格在 2026 年底前翻倍。
摩根士丹利 (下稱大摩)(MS-US) 最新表示，一場由 AI 驅動的記憶體「超級週期」已正式降臨，其強度、邏輯與持續性均遠超過以往任何一輪行情。報告指出，本輪週期核心變數在於需求端的徹底重構，不再是傳統價格敏感型客戶主導，而是 AI 資料中心與雲端服務商為建構算力基礎設施展開的「軍備競賽」。
全球記憶體晶片市場正以超預期速度從低谷中強勢復甦，三星、SK 海力士、西部數據 (WD)、美光等巨頭最新一季財報集體報喜，不僅獲利利潤雙位數增長，更釋放出記憶體進入新一輪「超級週期」的強烈信號。這場由 AI 需求驅動的產業變革，正重塑全球記憶體產業競爭格局與成長邏輯。
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被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。
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人工智慧 (AI) 帶來對記憶體的狂熱需求，SK 海力士股價今年來狂飆 240%，引發南韓證券交易所 (Korea Exchange, KRX) 罕見發布「投資警示」(investment caution)，反映市場對漲勢過熱的擔憂。韓交所周一 (3 日) 晚間發布投資警示，該警示為期一天，理由是股價異常大幅上漲。
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南韓三星電子近日首度對外公開展示自家 HBM4 記憶體模組，顯示這家南韓記憶體巨擘已為即將到來的高頻寬記憶體 (HBM) 競爭做好準備。就在上月，三星也已經向輝達等核心客戶交付 HBM4 樣品，運行速度提升至每秒 11Gbps，與美光規格持平，並打算在年內啟動量產，此舉也被業界視為三星在 HBM 領域收復失土的關鍵一步。
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全球晶片製造商競逐 AI 晶片熱潮的同時，正意外攪動傳統半導體市場格局。隨著輝達等企業對高頻寬記憶體 (HBM) 晶片需求激增，三星電子、SK 海力士等記憶體巨頭將產能向高階 AI 晶片傾斜，加上中國長鑫儲存等對手在低階市場的擠壓，智慧手機、PC 及伺服器所需的傳統記憶體晶片供應迅速趨緊，引發價格飆升與搶購潮，更讓超週期晶片商意外收穫。
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最新數據顯示，記憶體晶片市場正迎來貨品交易與股市交易的雙重上行週期，中國記憶體指數截至周二 (9 月 30 日) 大漲 5.46%，多檔個股漲停，反映出產業回溫與漲價潮的強勁動能。《21 世紀經濟報道》報導，本輪行情本質是記憶體產業步入新一輪上行週期的體現。
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美光科技 (MU-US) 將於周二 (23 日) 美股盤後公布 2025 會計年度第四季 (截至 8/31) 財報，投資人高度關注其對高頻寬記憶體 (HBM) 與人工智慧 (AI) 相關需求的展望。在 9 月股價已飆漲近 40% 的背景下，市場押注美光財測若優於共識，將是支撐其股價續強的關鍵。
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三星電子的 12 層第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，上周傳出已通過輝達 (NVDA-US) 品質測試，即將開始供貨，激勵三星股價周一 (22 日) 早盤狂飆 5.3%，達到一年多以來新高。三星電子周一在韓國股市一度大漲 5.3%，達到 2024 年 8 月以來的最高水準。
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根據《彭博》周四 (11 日) 報導，美光科技 (MU-US) 股價周四大漲 9%，創四個月來最大漲幅，分析師看好該公司在資料中心市場的成長潛力。花旗將目標價從 150 美元上調至 175 美元，預期美光將在 9 月 23 日財報中給出優於共識的指引。
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美光科技 (MU-US) 周一 (11 日) 美股盤前宣布上修 2025 會計年度第四季 (截至 8 月 28 日止) 財測，主因人工智慧 (AI) 基礎設施需求強勁，帶動其高頻寬記憶體 (HBM) 與動態隨機存取記憶體 (DRAM) 產品價格改善。
根據《路透》周一 (11 日) 報導，南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 預測，專為人工智慧 (AI) 設計的高頻寬記憶體 (HBM) 市場，至 2030 年將以每年約 30% 的速度成長，儘管近期業界對價格壓力有所擔憂，公司對長期前景仍保持樂觀。
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南韓主要電子企業將於明 (24) 日起陸續公佈今年第二季財報，其中最受市場關注的是 SK 海力士的營業利潤能否首次突破 9 兆韓元，創下歷史新高。此外，面對近期關於高頻寬記憶體 (HBM) 市場的悲觀預期，SK 海力士在公佈財報時會如何回應也備受矚目。
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瑞銀 (UBS) 分析師指出，在人工智慧 (AI) 對算力的龐大需求帶動下，高頻寬記憶體 (HBM) 將在 2026 年進入突破性的一年，這也將持續重塑記憶體市場格局。瑞銀團隊：「我們的通路調查顯示，明年的 SK 海力士極有可能在 HBM 市場維持約 50% 的市占率。
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根據《巴隆週刊》(Barron’s) 周二 (8 日) 報導，南韓三星電子 (Samsung Electronics) 最新一季營運預警引發市場震撼，但對美國記憶體大廠美光 (Micron Technology)(MU-US) 來說卻是利多消息。
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受向人工智慧（AI）晶片龍頭輝達 (NVDA-US) 供應高頻寬記憶體（HBM）晶片進度延遲影響，南韓科技巨擘三星電子預計將於本週二（8 日）公布第二季營業利潤暴跌 39%。根據《路透》援引倫敦證交所集團（LSEG）SmartEstimate 數據，三星預估第二季（4-6 月）營業利益僅 6.3 兆韓元（約 46.2 億美元），為六季以來的最低水準。