高頻寬記憶體
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綜合外媒周三 (24 日) 報導，SK 海力士 (SK Hynix) 計劃透過赴美掛牌籌資逾 290 億美元，成為人工智慧 (AI) 浪潮下最新一宗超大型募資案。隨著全球科技巨頭持續加碼資料中心與 AI 基礎建設投資，高頻寬記憶體 (HBM) 需求維持強勁成長，SK 海力士希望藉由美國資本市場募集資金，擴大產能並進一步鞏固其在 AI 記憶體市場的領導地位。
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外媒最新報導指出，南韓半導體巨擘 SK 海力士（SK Hynix）預計近期向該國金融監督院提交美國存託憑證 (ADR) 發行申報文件，朝赴美上市再邁出關鍵一步。《韓國經濟日報》報導，基於近期股價大漲後的市值推算，業界估計 SK 海力士本次 ADR 募資規模最高可達 40 兆韓元 (約 260 億美元)，若成行將與阿里巴巴 2014 年紐約 IPO 募資額相當，有望寫下韓企赴美最大規模籌資紀錄，最終發行規模則依市況而定。
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韓媒報導，SK 海力士 (SK Hynix) 正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體 (HBM) 龍頭不但沒有全力衝刺下一代 HBM4 量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統 DRAM 市場，希望在嚴重供給短缺帶動 DRAM 利潤意外飆升之際，搶下更多營收。
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受惠於半導體景氣暢旺，三星電子與 SK 海力士員工近期陸續領取數億韓元績效獎金，資金迅速湧入在地房市與奢侈品消費市場。《中央日報》報導，南韓京畿道城南市盆唐區、華城東灘等「半導體帶」精華地段，部分主力公寓掛牌價較一個月前大漲近 2 億韓元 (約 460 萬台幣)，成交價亦明顯走揚，高檔進口車展示中心同樣湧入大批半導體從業人員詢問下單。
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南韓三星電子近日在 2026 年 VLSI 超大規模積體電路研討會上宣布，全球首次實現閘極間距 42 奈米的 3D 堆疊電晶體 (3D Stacked FET) 技術。傳統邏輯晶片依賴縮小電晶體橫向間距提升整合度，但若尺寸持續壓縮，薄層絕緣層易產生漏電干擾，但 3D 堆疊 FET 將原本並排放置的 N 型和 P 型電晶體上下堆疊，理論上一倍面積可容納兩倍電晶體。
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過去數十年，記憶體價格遵循著每五年跌價 9 成的規律，但這項定律已被 AI 徹底改寫。摩根士丹利 (下稱大摩) 出具最新研報指出，過去一年記憶體價格飆漲逾六倍，且這並非傳統的週期性波動，而是一場深層的「結構性供應危機」。根據集邦科技 (TrendForce) 數據，全球記憶體市場規模預計將從 2025 年的 2200 億美元，暴增至 2026 年的 8900 億美元，6700 億美元的增幅甚至超過了智慧手機、個人電腦或伺服器單一市場的總規模。
南韓《每日經濟新聞》今 (10) 日引述政界與業界人士消息報導指出，三星電子與 SK 海力士正對全國各地區投資計畫進行最終審查，最快本月內公布細節，二者打算在西南部與中部擴大設施投資，項目涵蓋封裝產線，亦不排除新建半導體晶圓廠的可能性。另據《韓國經濟日報》(KED) 報導，南韓總統李在明預計 6 月 29 日與各大財閥負責人會面，討論區域投資佈局，相關計畫將在會議上正式對外公布。
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南韓 SK 集團董事長崔泰源週二表示，旗下記憶體晶片子公司 SK 海力士目標在未來五年將晶圓產能擴充一倍。崔泰源在台北國際電腦展 (Computex) 現場做出上述發言。今年 3 月，他曾預警全球晶圓緊缺局面恐將延續至 2030 年。他還表示，企業需要深化在台灣的合作佈局，合作對象不能僅限於全球第一大晶圓代工廠台積電。
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南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
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三星電子半導體員工週三 (27 日) 高票通過一項創紀錄的利潤分成協議，這場持續數月的勞資拉鋸戰終於結束，工會 74% 成員投下贊成票，避免因分紅爭議可能引發的罷工危機。受此利多刺激，三星股價週三收漲近 7%。根據協議，三星旗下 7.8 萬名半導體員工將分享今年營業利潤的 10.5%，加上原有的 1.5% 常規獎金制度，總獎金池規模料將突破 34 兆韓元。
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南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (26) 日發佈「iHBM」技術，該技術透過在高頻寬記憶體 (HBM) 封裝內嵌入整合式冷卻零件(ICE)，大幅降低產品運行時的發熱量。ICE 由電氣絕緣、導熱性佳的矽基材料製成之冷卻零件，透過提供額外散熱路徑，協助 HBM 封裝有效排出熱量。
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AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
新股上市
從年虧百億到日賺 3 億元 (人民幣，下同)，中國國產 DRAM 龍頭長鑫科技週日(17 日) 用一份堪稱「炸裂」的成績單，向中國科創板發起衝刺。在這家合肥公司更新招股書後，一組財務數據迅速引發市場震動。今年第一季，長鑫科技營收 508 億元，年增 719.13%，淨利潤 330.12 億元，歸母凈利潤 247.62 億元。
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三星電子工會週一 (18 日) 發出聲明表示，儘管當地法院已部分應允三星的禁令申請，工會仍然會按原定計畫發起罷工，並將尊重法院下達的禁令，承諾確保罷工行動不會擾亂生產秩序。綜合《韓聯社》與《第一財經》等外媒報導，南韓三星電子勞資雙方分歧談判走到關鍵時刻之際，水原地方法院週一批准三星提出的部分禁令請求，責令該公司工會須確保即將開始的全面罷工行動「不影響產量」，「不得導致這家全球重要的記憶體晶片製造商生產原料受損」。
國際政經
《華爾街日報》專欄作家 James Mackintosh 近日撰文警告，當前由 AI 驅動的記憶體晶片榮景，正悄然埋下自我毀滅的種子。他在文中以美光科技為核心案例指出，這家三年前才剛創下史上最大虧損的企業，如今竟被預測將成為美國第六大獲利公司，未來 12 個月淨利潤將逼近千億美元，超越 Meta 與波克夏海瑟威。
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由人工智慧 (AI) 建設熱潮引發的全球記憶體晶片嚴重短缺，正導致企業業績與股價表現出現劇烈分歧：受惠於產品價格飆漲帶來的亮眼財報，記憶體大廠美光 (MU-US) 與三星電子近期股價已衝上歷史新高。相較之下，從惠普 (HPQ-US) 到任天堂 (Nintendo) 等消費性產品製造商，則因晶片成本上升面臨沉重的獲利壓力。
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外媒最新報導指出，南韓記憶體大廠 SK 海力士正與英特爾攜手合作，共同研發 2.5D 先進封裝技術，並評估引入英特爾開發的「嵌入式多晶片互連橋 (EMIB)」技術。根據《ZDNet》報導，目前 SK 海力士已著手測試，嘗試將 HBM 與系統半導體，整合至英特爾提供的 EMIB 嵌入式基板上，同時積極尋找適合量產的材料與零件，此舉意在應對當前 AI 產業爆發下先進封裝產能緊缺的挑戰。
歐亞股
三星電子股價今 (6) 日早盤噴漲逾 11%，再創歷史新高，市值也正式突破 1 兆美元大關，成為繼台積電之後，亞洲第二家晉身兆美元市值俱樂部的企業。隨著 AI 晶片需求激增，這家全球最大記憶體製造商股價在過去一年大漲逾三倍。紐約 Roundhill Investments 執行長 Dave Mazza 分析指出，1 兆美元市值門檻除了象徵意義外，更具有實質重要性。
科技
自去年下半年以來，全球記憶體晶片市場行情急轉直上，緊俏的供需態勢不僅讓價格狂飆，更讓全球主要記憶體供應商業績成長數倍，產業關注焦點也隨之轉向這些大廠的產能動向與戰略佈局。記憶體晶片已從過去被視為計算晶片的「輔助」角色，躍升為全球 AI 競賽舞台中央的關鍵基石，直接決定 AI 算力與智能邊界。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。