高頻寬記憶體
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三星電子股價今 (6) 日早盤噴漲逾 11%，再創歷史新高，市值也正式突破 1 兆美元大關，成為繼台積電之後，亞洲第二家晉身兆美元市值俱樂部的企業。隨著 AI 晶片需求激增，這家全球最大記憶體製造商股價在過去一年大漲逾三倍。紐約 Roundhill Investments 執行長 Dave Mazza 分析指出，1 兆美元市值門檻除了象徵意義外，更具有實質重要性。
科技
自去年下半年以來，全球記憶體晶片市場行情急轉直上，緊俏的供需態勢不僅讓價格狂飆，更讓全球主要記憶體供應商業績成長數倍，產業關注焦點也隨之轉向這些大廠的產能動向與戰略佈局。記憶體晶片已從過去被視為計算晶片的「輔助」角色，躍升為全球 AI 競賽舞台中央的關鍵基石，直接決定 AI 算力與智能邊界。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。
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美股記憶體族群周一 (27 日) 延續火熱行情，閃迪、美光科技與希捷科技股價同步創歷史新高，展現強勁的上漲勢頭。這波漲勢背後，是華爾街投資機構 Melius Research 最新發布的樂觀預測，該報告明確指出，受 AI 熱潮驅動，記憶體需求可能在本世紀末前都保持高位。
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韓媒最新報導指出，三星電子第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 良率仍低於 60%，該公司打算在今年下半年將 HBM4 DRAM 良率提升至接近完美的水準，以加快對包括輝達在內的主要 AI 客戶的回應速度。《ChosunBiz》報導，三星正全力衝刺 HBM4 良率，該公司 1c DRAM 良率近期已攀升至具意義的水準，已突破 80% 的「成熟良率」門檻，但業界普遍認為，這尚難以視為已達到 HBM4 的量產良率水準。
隨著 AI 產業對運算效能的需求飆升，先進封裝這個長期遭忽視的半導體環節，正迅速成為全球科技供應鏈的下一個致命瓶頸，《CNBC》報導，儘管當前輿論焦點多集中在晶圓製造，但實際上所有驅動 AI 的晶片，最終都必須透過精密的封裝技術才能與外部系統互動。
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全球記憶體市場正陷入一場結構性短缺的困局。儘管三星電子等行業巨頭近期斥巨資開啟擴產模式，但消費電子產品所使用的記憶體晶片價格依然堅挺，背後產能錯配邏輯值得深究。綜合《韓國經濟日報》、《Ked Global》等韓媒報導，三星正積極採購半導體曝光設備，以在先進製程與記憶體市場中重奪競爭優勢。
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南韓記憶體晶片巨擘 SK 海力士周三 (25 日) 表示，已開始採取措施，爭取在美國股市上市。《路透社》報導，SK 海力士在一份監管文件中表示，已在周二向美國證交會 (SEC) 提交一份「保密申請」，目標是在今年內將其美國存托憑證 (ADR) 在美國證券交易所上市。
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南韓記憶體大廠 SK 海力士周二 (17 日) 說，在美國當地時間周一 (16 日) 參加了由輝達在加州主辦的 GTC 大會，期間重點展示其在 AI 產業記憶體晶片領域的領先地位，該大會將持續四天。SK 海力士指出，將以「聚焦 AI 記憶體」為主題，此次展覽將展示 SK 海力士的主要產品，例如第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 如何應用於輝達的 AI 平台，另外也將展示其記憶體解決方案，這些方案「旨在最大限度地減少資料瓶頸，並最大限度地提高輝達 AI 平台上的 AI 訓練和推理效能」。
受 AI 需求爆發影響，全球記憶體產業正經歷結構性轉變，傳統「週期邏輯」被徹底打破。過去一年，美光科技 (MU-US)股價飆漲逾 370%，去年 2 月才上市的閃迪 (SanDisk) 更創下超 1100% 的驚人漲幅，顯示資本對記憶體產業前景的高度樂觀。
韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。
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美國記憶體大廠 Sandisk 與 SK 海力士周三 (25 日) 在前者總部聯合舉辦「HBF 規格標準化聯盟啟動會」，這標誌著兩大記憶體廠正式啟動高頻寬快閃記憶體(HBF) 的全球標準化進程。《韓聯社》報導，SK 海力士今 (26) 日表示，已與 Sandisk 攜手合作，開始將下一代儲存技術 HBF 標準化，以強化其在 AI 晶片市場的地位。
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SK 海力士母公司 SK 集團會長崔泰源上周五 (20 日) 在華府表示，將擴大高頻寬記憶體 (HBM) 產能，以因應全球 AI 資料中心建設熱潮。被稱為「怪獸晶片」的 HBM 正推動 SK 海力士股價較去年同期飆升超三倍，去年漲幅更達 280%，市值突破 159 兆韓元。
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南韓記憶體巨擘 SK 海力士上周五 (20 日) 在面向高盛的虛擬投資者會議上釋放明確訊號說：「全球記憶體產業已徹底轉向賣方市場，2026 年價格漲勢將貫穿全年。」SK 海力士這項判斷是基於 AI 需求爆發與供應端剛性約束的雙重擠壓。根據 SK 海力士揭露，目前 DRAM 及 NAND 快閃記憶體庫存僅餘約 4 周，且所有客戶需求都無法滿足。
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美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
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南韓三星電子將於春節假期後率先啟動全球首次 HBM4 大規模量產，並於 2 月第三周向輝達交付首批產品，此舉代表三星在 AI 記憶體領域上實現關鍵突破，試圖扭轉上一代產品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階記憶體競爭格局。三星 HBM4 在性能上實現跨越式升級。
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韓媒週五 (5 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 正加速擴大下一代 DRAM 產能，計劃將用於高頻寬記憶體第四代 (HBM4) 的先進記憶體產能最高提升約 70%，以因應輝達 (NVDA-US) 與超微 (AMD) (AMD-US) 等 AI 晶片大廠需求快速升溫。
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隨著人工智慧 (AI) 資料中心快速擴張，記憶體資源被大量吸納，消費性電子可用的記憶體供應持續吃緊，對智慧型手機產業形成明顯壓力。高度依賴手機市場的晶片設計商首當其衝，其中高通高層對記憶體短缺的示警，引發投資人對短期營運前景的重新評估，股價應聲重挫。
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根據《路透》周二 (27 日) 報導，南韓記憶體晶片大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 表示，正評估成立專責人工智慧 (AI) 投資的單位，此前有媒體報導指出，該公司計畫在美國設立相關子公司，作為集團海外 AI 投資的管理平台。SK 海力士周二在向監管機構提交的文件中指出，公司正考慮多項方案，其中包括成立 AI 投資子公司，但強調相關規劃仍在評估階段，尚未作出最終決定。
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南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 周二 (27 日) 收盤大漲 8.7%、登上歷史新高，不但抹去當天稍早因美國總統川普突升南韓關稅的賣壓，更延續今年來乘著人工智慧 (AI) 熱潮，而持續向 4000 億美元市值挺進的旅程。南韓每日經濟新聞 (Maeil Business Newspaper) 報導，在微軟 (MSFT-US) 周一發表的 Maia 200 晶片中，使用了六顆來自 SK 海力士的 HBM3E。