高頻寬記憶體
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南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
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三星電子半導體員工週三 (27 日) 高票通過一項創紀錄的利潤分成協議，這場持續數月的勞資拉鋸戰終於結束，工會 74% 成員投下贊成票，避免因分紅爭議可能引發的罷工危機。受此利多刺激，三星股價週三收漲近 7%。根據協議，三星旗下 7.8 萬名半導體員工將分享今年營業利潤的 10.5%，加上原有的 1.5% 常規獎金制度，總獎金池規模料將突破 34 兆韓元。
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南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (26) 日發佈「iHBM」技術，該技術透過在高頻寬記憶體 (HBM) 封裝內嵌入整合式冷卻零件(ICE)，大幅降低產品運行時的發熱量。ICE 由電氣絕緣、導熱性佳的矽基材料製成之冷卻零件，透過提供額外散熱路徑，協助 HBM 封裝有效排出熱量。
美股雷達
AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
新股上市
從年虧百億到日賺 3 億元 (人民幣，下同)，中國國產 DRAM 龍頭長鑫科技週日(17 日) 用一份堪稱「炸裂」的成績單，向中國科創板發起衝刺。在這家合肥公司更新招股書後，一組財務數據迅速引發市場震動。今年第一季，長鑫科技營收 508 億元，年增 719.13%，淨利潤 330.12 億元，歸母凈利潤 247.62 億元。
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三星電子工會週一 (18 日) 發出聲明表示，儘管當地法院已部分應允三星的禁令申請，工會仍然會按原定計畫發起罷工，並將尊重法院下達的禁令，承諾確保罷工行動不會擾亂生產秩序。綜合《韓聯社》與《第一財經》等外媒報導，南韓三星電子勞資雙方分歧談判走到關鍵時刻之際，水原地方法院週一批准三星提出的部分禁令請求，責令該公司工會須確保即將開始的全面罷工行動「不影響產量」，「不得導致這家全球重要的記憶體晶片製造商生產原料受損」。
國際政經
《華爾街日報》專欄作家 James Mackintosh 近日撰文警告，當前由 AI 驅動的記憶體晶片榮景，正悄然埋下自我毀滅的種子。他在文中以美光科技為核心案例指出，這家三年前才剛創下史上最大虧損的企業，如今竟被預測將成為美國第六大獲利公司，未來 12 個月淨利潤將逼近千億美元，超越 Meta 與波克夏海瑟威。
美股雷達
由人工智慧 (AI) 建設熱潮引發的全球記憶體晶片嚴重短缺，正導致企業業績與股價表現出現劇烈分歧：受惠於產品價格飆漲帶來的亮眼財報，記憶體大廠美光 (MU-US) 與三星電子近期股價已衝上歷史新高。相較之下，從惠普 (HPQ-US) 到任天堂 (Nintendo) 等消費性產品製造商，則因晶片成本上升面臨沉重的獲利壓力。
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外媒最新報導指出，南韓記憶體大廠 SK 海力士正與英特爾攜手合作，共同研發 2.5D 先進封裝技術，並評估引入英特爾開發的「嵌入式多晶片互連橋 (EMIB)」技術。根據《ZDNet》報導，目前 SK 海力士已著手測試，嘗試將 HBM 與系統半導體，整合至英特爾提供的 EMIB 嵌入式基板上，同時積極尋找適合量產的材料與零件，此舉意在應對當前 AI 產業爆發下先進封裝產能緊缺的挑戰。
歐亞股
三星電子股價今 (6) 日早盤噴漲逾 11%，再創歷史新高，市值也正式突破 1 兆美元大關，成為繼台積電之後，亞洲第二家晉身兆美元市值俱樂部的企業。隨著 AI 晶片需求激增，這家全球最大記憶體製造商股價在過去一年大漲逾三倍。紐約 Roundhill Investments 執行長 Dave Mazza 分析指出，1 兆美元市值門檻除了象徵意義外，更具有實質重要性。
科技
自去年下半年以來，全球記憶體晶片市場行情急轉直上，緊俏的供需態勢不僅讓價格狂飆，更讓全球主要記憶體供應商業績成長數倍，產業關注焦點也隨之轉向這些大廠的產能動向與戰略佈局。記憶體晶片已從過去被視為計算晶片的「輔助」角色，躍升為全球 AI 競賽舞台中央的關鍵基石，直接決定 AI 算力與智能邊界。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。
美股雷達
美股記憶體族群周一 (27 日) 延續火熱行情，閃迪、美光科技與希捷科技股價同步創歷史新高，展現強勁的上漲勢頭。這波漲勢背後，是華爾街投資機構 Melius Research 最新發布的樂觀預測，該報告明確指出，受 AI 熱潮驅動，記憶體需求可能在本世紀末前都保持高位。
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韓媒最新報導指出，三星電子第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 良率仍低於 60%，該公司打算在今年下半年將 HBM4 DRAM 良率提升至接近完美的水準，以加快對包括輝達在內的主要 AI 客戶的回應速度。《ChosunBiz》報導，三星正全力衝刺 HBM4 良率，該公司 1c DRAM 良率近期已攀升至具意義的水準，已突破 80% 的「成熟良率」門檻，但業界普遍認為，這尚難以視為已達到 HBM4 的量產良率水準。
台股新聞
隨著 AI 產業對運算效能的需求飆升，先進封裝這個長期遭忽視的半導體環節，正迅速成為全球科技供應鏈的下一個致命瓶頸，《CNBC》報導，儘管當前輿論焦點多集中在晶圓製造，但實際上所有驅動 AI 的晶片，最終都必須透過精密的封裝技術才能與外部系統互動。
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全球記憶體市場正陷入一場結構性短缺的困局。儘管三星電子等行業巨頭近期斥巨資開啟擴產模式，但消費電子產品所使用的記憶體晶片價格依然堅挺，背後產能錯配邏輯值得深究。綜合《韓國經濟日報》、《Ked Global》等韓媒報導，三星正積極採購半導體曝光設備，以在先進製程與記憶體市場中重奪競爭優勢。
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南韓記憶體晶片巨擘 SK 海力士周三 (25 日) 表示，已開始採取措施，爭取在美國股市上市。《路透社》報導，SK 海力士在一份監管文件中表示，已在周二向美國證交會 (SEC) 提交一份「保密申請」，目標是在今年內將其美國存托憑證 (ADR) 在美國證券交易所上市。
美股雷達
南韓記憶體大廠 SK 海力士周二 (17 日) 說，在美國當地時間周一 (16 日) 參加了由輝達在加州主辦的 GTC 大會，期間重點展示其在 AI 產業記憶體晶片領域的領先地位，該大會將持續四天。SK 海力士指出，將以「聚焦 AI 記憶體」為主題，此次展覽將展示 SK 海力士的主要產品，例如第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 如何應用於輝達的 AI 平台，另外也將展示其記憶體解決方案，這些方案「旨在最大限度地減少資料瓶頸，並最大限度地提高輝達 AI 平台上的 AI 訓練和推理效能」。
美股雷達
受 AI 需求爆發影響，全球記憶體產業正經歷結構性轉變，傳統「週期邏輯」被徹底打破。過去一年，美光科技 (MU-US)股價飆漲逾 370%，去年 2 月才上市的閃迪 (SanDisk) 更創下超 1100% 的驚人漲幅，顯示資本對記憶體產業前景的高度樂觀。
科技
韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。