高頻寬記憶體
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綜合外媒周五(21日)報導，三星電子宣布史上最大規模股東回饋計畫，預計2026年向投資人返還90兆至110兆韓元(約651億至795億美元)，透過現金股利、股票回購及註銷等方式，分享人工智慧(AI)熱潮帶來的獲利成果。繼SK海力士(SKHY-US)日前宣布40兆韓元股票回購計畫後，南韓兩大記憶體晶片巨頭接連大手筆回饋股東。
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美國記憶體大廠美光(MU-US)周四(20日)宣布成立Micron Research Labs，計劃未來10年投入100億美元，在愛達荷州波伊西打造美國首座專門研究記憶體技術的長期創新中心，推動次世代記憶體、運算架構、先進封裝及未來半導體製造技術。
專家觀點
近期非常強勢，想知道慶龍老師有沒有接回，再鎖定節目，但無論如何記憶體都很值得產業研究。南亞科 (2408-TW) 7月營收再創歷史新高，記憶體價格上漲已經直接反映在公司數字。國際大廠把先進產能轉向高頻寬記憶體與第五代雙倍資料率記憶體，第四代產品的供給持續收縮；伺服器、消費電子與工業設備的需求仍在擴大，南亞科成為這輪供需變化的主要受惠者。
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《華爾街日報》(WSJ)周三(19日)報導，SK海力士(SKHY-US)宣布，將在未來三個月內斥資40.004兆韓元(約283.1億美元)買回並註銷自家股票，規模創南韓企業史上新高，同時承諾進一步提高股東回饋，將2025年至2027年累計自由現金流逾50%返還股東。
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三星電子因人工智慧(AI)晶片需求激增、先進製程產能吃緊，已針對部分新接晶圓代工訂單調漲價格，漲幅最高達15%。隨著台積電(TSMC)(2330-TW)(TSM-US)先進製程產能接近滿載，客戶轉向三星與英特爾(Intel)(INTC-US)，三星晶圓代工業務議價能力隨之提升，長年虧損的部門最快可能在明年轉虧為盈。
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全球高頻寬記憶體(HBM)龍頭SK海力士(SKHY-US)正投入7,200億美元，在南韓打造號稱全球規模最大的記憶體晶片生產網路，押注人工智慧(AI)需求將長期延續。即使南韓地形多山、大型工程難度甚高，公司仍決定大舉擴產，反映AI熱潮正改寫記憶體產業的供需與景氣循環。
國際政經
AI 浪潮持續推升記憶體需求，全球記憶體市場正迎來前所未有的結構性短缺週期。業界人士透露，三星電子 (005930KS) 、美光科技 (MU-US) 及 SK 海力士 (000660KS) 的 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）2027 年全年產能已提前完成分配，涵蓋長期供貨協議大客戶及部分中小型買家。
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輝達 (NVDA-US) 正推動新一輪總值可能超過 7,500 億美元的人工智慧 (AI) 基礎設施交易，持續透過投資、融資及擔保支持 AI 客戶擴建資料中心。然而，由輝達提供資金的企業往往又會採購或使用其晶片，也讓市場再次擔憂，這類「循環融資」可能人為推高 AI 需求與企業估值。
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南韓三星半導體今 (27) 日發布最新人物專訪，進一步揭露下一代 HBM 技術藍圖。三星電子晶圓代工業務技術開發負責人具滋焄 (音譯) 在專訪中明確表示，該公司打算在 HBM5 世代導入 2 奈米製程打造基礎裸晶 (Base Die)，此舉旨在同時突破性能與能效瓶頸。
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美光科技 (MU-US) 股價周四 (16 日) 早盤再度走低，一度下跌 5% 至 859.24 美元，延續前一交易日重挫 8% 的跌勢。以周三收盤價計算，美光過去一個月累計跌幅已達 20%，反映市場在股價過去一年暴漲近 700% 後，對記憶體產業景氣反轉的任何跡象都格外敏感。
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美光科技 (MU-US) 周四 (16 日) 宣布，已與高通 (QCOM-US)、汽車音響產品製造商 Harman 等汽車供應鏈業者簽署長期協議，確保人工智慧(AI) 汽車所需的記憶體與儲存元件供應，並提高價格與產能規畫的穩定性。隨著 AI 工具快速普及，資料中心、消費性電子與汽車對記憶體晶片的需求同步升溫，全球業者正加速擴充產能。
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人工智慧 (AI) 熱潮讓記憶體晶片產業迎來前所未有的繁榮，但這場革命也可能徹底顛覆 SK 海力士 (SKHY-US)、三星電子與美光 (MU-US) 數十年來賴以成功的商業模式。隨著 AI 系統對記憶體頻寬需求暴增，記憶體廠未來恐不能再單純大量生產標準化產品，而必須轉向客製化晶片，甚至開始押注哪些處理器公司將成為未來贏家。
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《路透》報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 美國存託憑證 (ADR) 發行案獲市場熱烈追捧。知情人士透露，由於投資人認購需求已數倍超過發行規模，公司已於美東時間周三 (8 日) 下午完成簿記 (Bookbuilding) 程序，市場預料最終定價將於周四南韓股市收盤後公布，ADR 則預計 7 月 10 日在那斯達克掛牌交易。
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全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
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綜合外媒周三 (24 日) 報導，SK 海力士 (SK Hynix) 計劃透過赴美掛牌籌資逾 290 億美元，成為人工智慧 (AI) 浪潮下最新一宗超大型募資案。隨著全球科技巨頭持續加碼資料中心與 AI 基礎建設投資，高頻寬記憶體 (HBM) 需求維持強勁成長，SK 海力士希望藉由美國資本市場募集資金，擴大產能並進一步鞏固其在 AI 記憶體市場的領導地位。
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外媒最新報導指出，南韓半導體巨擘 SK 海力士（SK Hynix）預計近期向該國金融監督院提交美國存託憑證 (ADR) 發行申報文件，朝赴美上市再邁出關鍵一步。《韓國經濟日報》報導，基於近期股價大漲後的市值推算，業界估計 SK 海力士本次 ADR 募資規模最高可達 40 兆韓元 (約 260 億美元)，若成行將與阿里巴巴 2014 年紐約 IPO 募資額相當，有望寫下韓企赴美最大規模籌資紀錄，最終發行規模則依市況而定。
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韓媒報導，SK 海力士 (SK Hynix) 正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體 (HBM) 龍頭不但沒有全力衝刺下一代 HBM4 量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統 DRAM 市場，希望在嚴重供給短缺帶動 DRAM 利潤意外飆升之際，搶下更多營收。
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受惠於半導體景氣暢旺，三星電子與 SK 海力士員工近期陸續領取數億韓元績效獎金，資金迅速湧入在地房市與奢侈品消費市場。《中央日報》報導，南韓京畿道城南市盆唐區、華城東灘等「半導體帶」精華地段，部分主力公寓掛牌價較一個月前大漲近 2 億韓元 (約 460 萬台幣)，成交價亦明顯走揚，高檔進口車展示中心同樣湧入大批半導體從業人員詢問下單。
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南韓三星電子近日在 2026 年 VLSI 超大規模積體電路研討會上宣布，全球首次實現閘極間距 42 奈米的 3D 堆疊電晶體 (3D Stacked FET) 技術。傳統邏輯晶片依賴縮小電晶體橫向間距提升整合度，但若尺寸持續壓縮，薄層絕緣層易產生漏電干擾，但 3D 堆疊 FET 將原本並排放置的 N 型和 P 型電晶體上下堆疊，理論上一倍面積可容納兩倍電晶體。
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過去數十年，記憶體價格遵循著每五年跌價 9 成的規律，但這項定律已被 AI 徹底改寫。摩根士丹利 (下稱大摩) 出具最新研報指出，過去一年記憶體價格飆漲逾六倍，且這並非傳統的週期性波動，而是一場深層的「結構性供應危機」。根據集邦科技 (TrendForce) 數據，全球記憶體市場規模預計將從 2025 年的 2200 億美元，暴增至 2026 年的 8900 億美元，6700 億美元的增幅甚至超過了智慧手機、個人電腦或伺服器單一市場的總規模。