良率決定獲利！全球記憶體三巨頭正式開啟HBM4良率競爭 戰場重心回歸HBM

作為第六代高頻寬記憶體，HBM4 將應用於輝達今年下半年推出的 Vera Rubin 等 AI 加速晶片，成為今年下半年企業業績關鍵支撐。目前，三星電子、SK 海力士與美光科技全球三大記憶體晶片廠已全面展開 HBM4 良率競爭。

三星率先實現 HBM4 規模化量產，業界估其良率接近 70%，得益於年初良率穩定超 80% 的 1C 製程 DRAM 持續帶動，良率管控能力顯著提升。

SK 海力士雖未公佈精確數據，但業界判斷其已進入穩定區間，為鞏固超半數 HBM 市場份額，正洽談引進新設備以優化製程並擴大產能。

美光科技因產能基礎相對薄弱，正加速推動良率爬坡與大規模設備投資，同步提升產出能力。

良率直接決定交付量與獲利空間，是廠商攻堅核心。

儘管先前通用 DRAM 短期利潤反超，但漲價空間已趨緩，今年首季接近翻倍、第二季 30%–50%、第三季預估 0%–20%，但 HBM 需求持續擴張、高毛利優勢將重歸主導。

業內人士表示，三星搶先落地量產，良率提升帶來的供貨增量與利潤增長已在該公司 Q2 財報充分體現，下半年趨勢將延續，全球記憶體前三強企業的良率競爭將進一步白熱化。